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1.

发明专利
可卸式互連結構有权
简体标题：可卸式互链接构

公开(公告)号：TWI548045B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW098109204

申请日：2009-03-20

申请人： 通用電機股份有限公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： 瓦奇克查理斯 , WOYCHIK, CHARLES GERARD , 費里昂雷蒙 , FILLION, RAYMOND ALBERT

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49822 , H01L23/4334 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/31 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/20 , H01L2224/214 , H01L2224/221 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/81801 , H01L2224/83132 , H01L2224/92144 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , Y10T428/26 , Y10T428/31515 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , H01L2924/00 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/014

2.

发明专利
覆晶、面向上型及面向下型中心接合記憶體導線接合總成审中-公开
简体标题：覆晶、面向上型及面向下型中心接合内存导线接合总成

公开(公告)号：TW201546986A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104130271

申请日：2012-04-20

申请人： 泰斯拉公司 , TESSERA, INC.

发明人： 哈巴貝勒卡塞姆 , HABA, BELGACEM , 柯斯伯理查狄威特 , CRISP, RICHARD DEWITT , 柔伊華爾 , ZOHNI, WAEL

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488

CPC分类号： H01L23/50 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/48472 , H01L2224/4911 , H01L2224/49112 , H01L2224/49175 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1029 , H01L2225/1047 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01076 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1435 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/14511 , H01L2924/15151 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15172 , H01L2924/15182 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

摘要： 本發明揭示一種微電子總成10，其可包括一基板30，該基板具有第一表面34及第二表面58、在該第一表面與該第二表面之間延伸之一孔口39及端子36。該總成10亦可包括具有面對該第一表面34之一前表面16之一第一微電子元件12、具有突出超過該第一微電子元件之一邊緣29之一前表面22之一第二微電子元件14、將該等微電子元件之觸點20、52電連接至該等端子之第一引線70及第二引線76及將該第一微電子元件及該第二微電子元件之觸點電互連之第三引線73。該第一微電子元件12之觸點20可毗鄰邊緣29而安置。該第二微電子元件14之觸點26可安置於其前表面22之一中心區19中。該等引線70、76、99可具有與孔口39對準之部分。

简体摘要： 本发明揭示一种微电子总成10，其可包括一基板30，该基板具有第一表面34及第二表面58、在该第一表面与该第二表面之间延伸之一孔口39及端子36。该总成10亦可包括具有面对该第一表面34之一前表面16之一第一微电子组件12、具有突出超过该第一微电子组件之一边缘29之一前表面22之一第二微电子组件14、将该等微电子组件之触点20、52电连接至该等端子之第一引线70及第二引线76及将该第一微电子组件及该第二微电子组件之触点电互连之第三引线73。该第一微电子组件12之触点20可毗邻边缘29而安置。该第二微电子组件14之触点26可安置于其前表面22之一中心区19中。该等引线70、76、99可具有与孔口39对准之部分。

3.

发明专利
包括無機層中的高密度互連和有機層中的重分佈層的集成裝置审中-公开
简体标题：包括无机层中的高密度互连和有机层中的重分布层的集成设备

公开(公告)号：TW201545303A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104112735

申请日：2015-04-21

申请人： 高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED

发明人： 顧世群 , GU, SHIQUN , 拉朵克拉提柏 , RADOJCIC, RATIBOR , 金東旭 , KIM, DONG WOOK , 李載植 , LEE, JAE SIK

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/145 , H01L23/15 , H01L23/3107 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/023 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16055 , H01L2224/16057 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/171 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81895 , H01L2224/81896 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01029 , H01L2924/1434 , H01L2924/1517 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/18161 , H05K3/4688 , H01L2924/014

摘要： 一些新穎特徵涉及集成裝置(例如，集成封裝)，其包括集成裝置的基底部分、第一晶粒(例如，第一晶片級晶粒)、和第二晶粒(例如，第二晶片級晶粒)。基底部分包括第一無機電介質層，位於第一無機電介質層中的第一組互連，不同於第一無機電介質層的第二電介質層，以及第二電介質層中的一組重分佈金屬層。第一晶粒耦合至基底部分的第一表面。第二晶粒耦合至基底部分的第一表面，第二晶粒經由第一組互連電耦合至第一晶粒。

简体摘要： 一些新颖特征涉及集成设备(例如，集成封装)，其包括集成设备的基底部分、第一晶粒(例如，第一芯片级晶粒)、和第二晶粒(例如，第二芯片级晶粒)。基底部分包括第一无机电介质层，位于第一无机电介质层中的第一组互连，不同于第一无机电介质层的第二电介质层，以及第二电介质层中的一组重分布金属层。第一晶粒耦合至基底部分的第一表面。第二晶粒耦合至基底部分的第一表面，第二晶粒经由第一组互连电耦合至第一晶粒。