公开(公告)号：TW201643968A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105112017

申请日：2016-04-18

Applicant: 愛德萬測試股份有限公司 ,  ADVANTEST CORPORATION

Inventor： 佐藤拓 ,  SATO, TAKU ,  瓜生和也 ,  URYU, KAZUYA ,  庄司一之 ,  SHOUJI, KAZUYUKI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/095 ,  H01L27/098 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 本發明的半導體裝置包含：半導體層；源極電極，設於前述半導體層；汲極電極，設於前述半導體層，並與前述源極電極分離配置；第1閘極電極，設於前述源極電極與前述汲極電極之間；及第2閘極電極，設於前述源極電極與前述汲極電極之間，且至少一部分比前述第1閘極電極更靠近前述汲極電極。前述半導體層具有：第1對向部分，是面對前述第1閘極電極的部分；及第2對向部分，是面對前述第2閘極電極的部分。當前述源極電極與前述第1閘極電極間的電位差，也就是第1閘極電壓為0V以下時，前述第1對向部分不導通。當前述第1對向部分及前述第2對向部分之間的部分與前述第2閘極電極間的電位差，也就是第2閘極電壓為0V以下時，前述第2對向部分不導通。前述第1對向部分剛開始導通時的前述第1閘極電壓比前述第2對向部分剛開始導通時的前述第2閘極電壓大。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的半导体设备包含：半导体层；源极电极，设于前述半导体层；汲极电极，设于前述半导体层，并与前述源极电极分离配置；第1闸极电极，设于前述源极电极与前述汲极电极之间；及第2闸极电极，设于前述源极电极与前述汲极电极之间，且至少一部分比前述第1闸极电极更靠近前述汲极电极。前述半导体层具有：第1对向部分，是面对前述第1闸极电极的部分；及第2对向部分，是面对前述第2闸极电极的部分。当前述源极电极与前述第1闸极电极间的电位差，也就是第1闸极电压为0V以下时，前述第1对向部分不导通。当前述第1对向部分及前述第2对向部分之间的部分与前述第2闸极电极间的电位差，也就是第2闸极电压为0V以下时，前述第2对向部分不导通。前述第1对向部分刚开始导通时的前述第1闸极电压比前述第2对向部分刚开始导通时的前述第2闸极电压大。

公开(公告)号：TWI542009B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW103105994

申请日：2014-02-24

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 李亦衡 ,  LEE, YEEHENG ,  博德 馬督兒 ,  BOBDE, MADHUR ,  高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  依瑪茲 哈姆紥 ,  YILMAZ, HAMZA ,  王曉彬 ,  WANG, XIAOBIN ,  潘繼 ,  PAN, JI ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/265 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66257 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW200901325A

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：TW097114464

申请日：2008-04-21

Applicant: 艾斯摩斯科技公司 ICEMOS TECHNOLOGY CORPORATION

Inventor： 石黑武史 ISHIGURO, TAKESHI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/088 ,  H01L27/095 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66712

Abstract: 本發明提供一種製造含有熱不安定之再填充材料的溝槽型半導體裝置之方法。使用一可置換材料填充溝槽且其接著在進行一高溫製程後以熱敏性再填充材料置換。亦提供依此方法實施例製造之溝槽型半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种制造含有热不安定之再填充材料的沟槽型半导体设备之方法。使用一可置换材料填充沟槽且其接着在进行一高温制程后以热敏性再填充材料置换。亦提供依此方法实施例制造之沟槽型半导体设备。

公开(公告)号：TW521435B

公开(公告)日：2003-02-21

申请号：TW090107511

申请日：2001-03-29

Applicant: APD半導體公司

Inventor： 張崇健 ,  吉因-長 程 ,  威恩 Y W 蘇 ,  菲拉迪莫 羅多夫

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L27/0727 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/781 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種半導體整流裝置，其可模擬一低順向電壓降蕭特基(Schottky)二極體的特性，且其能夠具有由小於1A到大於1000A並具有可調整的崩潰電壓的電流的電氣特性。該製程提供了操作參數的均勻性及可控制性、高良率以及簡易可變動的裝置尺寸。該裝置包含一半導體主體，其在一表面上具有一導環，藉以界定一裝置區域，其中係依需要來形成複歎個導電栓塞。在該導環及該導電栓塞之間為複數個源極/汲極，閘極及通道元件，其可配合底層的基板作用來形成一MOS電晶體。該通道區域係藉由該閘極氧化物的光阻遮罩來界定，並以該光阻遮罩蝕刻來暴露出該閘極氧化物(及閘電極)的一週邊部份，然後即經由該暴露的閘極以植入離子來形成該通道區域。該源極/汲極(例如源極)區域可由離子植入或藉由來自一摻雜的複晶矽層的向外擴散來形成。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体整流设备，其可仿真一低顺向电压降萧特基(Schottky)二极管的特性，且其能够具有由小于1A到大于1000A并具有可调整的崩溃电压的电流的电气特性。该制程提供了操作参数的均匀性及可控制性、高良率以及简易可变动的设备尺寸。该设备包含一半导体主体，其在一表面上具有一导环，借以界定一设备区域，其中系依需要来形成复叹个导电栓塞。在该导环及该导电栓塞之间为复数个源极/汲极，闸极及信道组件，其可配合底层的基板作用来形成一MOS晶体管。该信道区域系借由该闸极氧化物的光阻遮罩来界定，并以该光阻遮罩蚀刻来暴露出该闸极氧化物(及闸电极)的一周边部份，然后即经由该暴露的闸极以植入离子来形成该信道区域。该源极/汲极(例如源极)区域可由离子植入或借由来自一掺杂的复晶硅层的向外扩散来形成。

公开(公告)号：TW201637133A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105100951

申请日：2016-01-13

Applicant: 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

Inventor： 守谷美彦 ,  MORIYA, YOSHIHIKO ,  目黒健 ,  MEGURO, TAKESHI ,  和田次郎 ,  WADA, JIRO

IPC: H01L21/8222 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 即使於HEMT構造層與HBT構造層間之止擋層較薄時，亦可充分獲得蝕刻選擇比。 具備單晶基板(11)、形成於單晶基板(11)上且於最上層形成有由GaAs所成之肖特基(Schottky)層(18)之高電子移動度電晶體構造層(2)、形成於高電子移動度電晶體構造層(2)上之雜雙極電晶體構造層(3)、以及形成於高電子移動度電晶體構造層(2)與雜雙極電晶體構造層(3)之間之第1止擋層(19)，於雜雙極電晶體構造層(3)之較基底層(24)更靠高電子移動度電晶體構造層(2)側，形成有對於使雜雙極電晶體構造層(3)蝕刻之蝕刻液蝕刻選擇比高於GaAs或不被蝕刻之第2止擋層(22)者。

Abstract in simplified Chinese: 即使于HEMT构造层与HBT构造层间之止挡层较薄时，亦可充分获得蚀刻选择比。 具备单晶基板(11)、形成於单晶基板(11)上且于最上层形成有由GaAs所成之肖特基(Schottky)层(18)之高电子移动度晶体管构造层(2)、形成于高电子移动度晶体管构造层(2)上之杂双极晶体管构造层(3)、以及形成于高电子移动度晶体管构造层(2)与杂双极晶体管构造层(3)之间之第1止挡层(19)，于杂双极晶体管构造层(3)之较基底层(24)更靠高电子移动度晶体管构造层(2)侧，形成有对于使杂双极晶体管构造层(3)蚀刻之蚀刻液蚀刻选择比高于GaAs或不被蚀刻之第2止挡层(22)者。

公开(公告)号：TWI542018B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW103121783

申请日：2014-06-24

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  李亦衡 ,  LEE, YEEHENG

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/265 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66257 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TWI415259B

公开(公告)日：2013-11-11

申请号：TW094146747

申请日：2005-12-27

Applicant: OMMIC公司 ,  OMMIC SAS

Inventor： 漢森 瑪合 ,  MAHER, HASSAN ,  派瑞爾 麥可 馬歇爾 包迪特 ,  BAUDET, PIERRE MICHEL MARCEL

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/085 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/095 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/7783

公开(公告)号：TW200636997A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW094146747

申请日：2005-12-27

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 漢森 瑪合 MAHER, HASSAN ,  派瑞爾 麥可 馬歇爾 包迪特 BAUDET, PIERRE MICHEL MARCEL

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/095 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/7783

Abstract: 本發明係揭示一種增進型–耗損型高電子移動性電晶體(ED–HEMT)結構，其包括：一含有一摻雜層18之緩衝層4、一通道層6、一障壁層8、及一第二摻雜層20。一增進模式HEMT閘極12形成在一延伸通過該第二摻雜層20之通道中，及一耗損模式HEMT結構形成在該第二摻雜層20上方。該層順序容許具良好特性之增進及耗損模式HEMT兩者在同一結構中形成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭示一种增进型–耗损型高电子移动性晶体管(ED–HEMT)结构，其包括：一含有一掺杂层18之缓冲层4、一信道层6、一障壁层8、及一第二掺杂层20。一增进模式HEMT闸极12形成在一延伸通过该第二掺杂层20之信道中，及一耗损模式HEMT结构形成在该第二掺杂层20上方。该层顺序容许具良好特性之增进及耗损模式HEMT两者在同一结构中形成。

公开(公告)号：TW200627627A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：TW094132678

申请日：2005-09-21

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 皮耶魯 米契爾 馬歇爾 玻德特 BAUDET, PIERRE MICHEL MARCEL ,  海珊 梅爾 MAHER, HASSAN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/095

Abstract: 本發明係關於一種具有增強及空乏模式電晶體之電晶體結構。為允許較佳控制兩種電晶體之製造，使用分別由第一半導體材料及第二半導體材料製造之一第一肖特基層10及一第二肖特基層12。第一材料及第二材料具有至少為0.5V之能帶隙。對於一n型電晶體而言，該第二肖特基層與該第一肖特基層具有一較低導帶不連續性。在製造電晶體之方法中，該第一肖特基層及該第二肖特基層皆用作蝕刻終止。電晶體較佳係一HEMT。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种具有增强及空乏模式晶体管之晶体管结构。为允许较佳控制两种晶体管之制造，使用分别由第一半导体材料及第二半导体材料制造之一第一肖特基层10及一第二肖特基层12。第一材料及第二材料具有至少为0.5V之能带隙。对于一n型晶体管而言，该第二肖特基层与该第一肖特基层具有一较低导带不连续性。在制造晶体管之方法中，该第一肖特基层及该第二肖特基层皆用作蚀刻终止。晶体管较佳系一HEMT。

公开(公告)号：TW501203B

公开(公告)日：2002-09-01

申请号：TW090117692

申请日：2001-07-19

Applicant: APD半導體公司

Inventor： 張崇健 ,  金-親 程 ,  威恩 YM 徐 ,  佛拉迪莫 羅多夫

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/2815 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/095 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/781 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 一種肖特基二極體包含屬一種導電型之半導體本體，該半導體本體具有一設溝之表面。在該設溝、表面上並與該半導體本體形成一肖特基接合之一金屬層。該半導體本體宜包括一矽基體，以該設溝表面位於具有與該半導體本體之導電型相反導電型之一保護環所限定之裝置區上，及在各溝底部與該半導體本體形成P-N接合之多數摻雜區域。各該摻雜區域之P-N接合形成越過及與各溝隔用之電荷空乏區，以增加反偏壓破壞電壓及減少反偏壓漏電電流。

Abstract in simplified Chinese: 一种肖特基二极管包含属一种导电型之半导体本体，该半导体本体具有一设沟之表面。在该设沟、表面上并与该半导体本体形成一肖特基接合之一金属层。该半导体本体宜包括一硅基体，以该设沟表面位于具有与该半导体本体之导电型相反导电型之一保护环所限定之设备区上，及在各沟底部与该半导体本体形成P-N接合之多数掺杂区域。各该掺杂区域之P-N接合形成越过及与各沟隔用之电荷空乏区，以增加反偏压破坏电压及减少反偏压漏电电流。