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公开(公告)号：TWI535025B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW104107019
申请日：2009-11-11
发明人： 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/203 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/28079 , H01L21/28158 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TWI512999B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099133863
申请日：2010-10-05
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/45 , H01L29/78606 , H01L29/78696
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公开(公告)号：TWI508287B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW099131261
申请日：2010-09-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/2636 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI501395B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099108506
申请日：2010-03-23
发明人： 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 大原宏樹 , OHARA, HIROKI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , C23C14/08
CPC分类号： H01L29/7869 , G09G3/3258 , G09G3/3275 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0248 , G09G2310/0297 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/66969 , H01L29/78618
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公开(公告)号：TWI491046B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099139943
申请日：2010-11-19
发明人： 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/10 , H01L29/41733
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公开(公告)号：TW201523887A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW104107019
申请日：2009-11-11
发明人： 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/203 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/28079 , H01L21/28158 , H01L29/04 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本發明係有關半導體裝置及其製造方法，其目的在於提供一種適用於半導體裝置的氧化物半導體。或者，本發明的另一個目的在於提供一種使用該氧化物半導體的半導體裝置。揭示的半導體裝置在電晶體的通道形成區域中包括以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層。在所述半導體裝置中，以In-Ga-Zn-O為基的氧化物半導體層具有如下結構：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形結構中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。
简体摘要： 本发明系有关半导体设备及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体设备的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体设备。揭示的半导体设备在晶体管的信道形成区域中包括以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层。在所述半导体设备中，以In-Ga-Zn-O为基的氧化物半导体层具有如下结构：在由InGaO3(ZnO)m(m>0)所表示的非晶形结构中包含由InGaO3(ZnO)m(m=1)所表示的晶粒。
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公开(公告)号：TW201515238A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW104100540
申请日：2010-02-08
发明人： 今藤敏和 , KONDO, TOSHIKAZU , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78663 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 本發明的目的之一在於防止薄膜電晶體的截止電流的增加或臨界值電壓的負向漂移。在薄膜電晶體中，在源電極層及汲電極層與氧化物半導體層之間設置有緩衝層。緩衝層在氧化物半導體層的中央部上具有作為絕緣體或半導體的金屬氧化物層。金屬氧化物層用作抑制雜質侵入到氧化物半導體層的保護層。因此，可以防止薄膜電晶體的截止電流的增加或臨界值電壓的負向偏移。
简体摘要： 本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或临界值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及汲电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或临界值电压的负向偏移。
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公开(公告)号：TWI479655B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW099103855
申请日：2010-02-08
发明人： 今藤敏和 , KONDO, TOSHIKAZU , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78663 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L29/78693
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公开(公告)号：TW201403758A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102132979
申请日：2010-09-13
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/77 , H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 提供一種電晶體，具有有利的電氣特性和高可靠性，及包括該電晶體之顯示裝置。該電晶體為底閘電晶體使用用於通道區之氧化物半導體而予形成。歷經經由熱處理之脫水或脫氫的氧化物半導體層被用做活動層。該活動層包括微晶化表面部分之第一區及其餘部分之第二區。經由使用具有該等結構之該氧化物半導體層，改變為n型，歸因於濕氣進入該表面部分，或氧從該表面部分排除，並可抑制寄生通道之產生。此外，並可減少該氧化物半導體層與源極及汲極電極之間的接觸電阻。
简体摘要： 提供一种晶体管，具有有利的电气特性和高可靠性，及包括该晶体管之显示设备。该晶体管为底闸晶体管使用用于信道区之氧化物半导体而予形成。历经经由热处理之脱水或脱氢的氧化物半导体层被用做活动层。该活动层包括微晶化表面部分之第一区及其余部分之第二区。经由使用具有该等结构之该氧化物半导体层，改变为n型，归因于湿气进入该表面部分，或氧从该表面部分排除，并可抑制寄生信道之产生。此外，并可减少该氧化物半导体层与源极及汲极电极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：TW201807827A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106122545
申请日：2010-09-15
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 坂倉真之 , SAKAKURA, MASAYUKI , 渡邊了介 , WATANABE, RYOSUKE , 坂田淳一郎 , SAKATA, JUNICHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 宮永昭治 , MIYANAGA, AKIHARU , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 岸田英幸 , KISHIDA, HIDEYUKI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/76 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/2636 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 一個靶為提供具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置，及包括該半導體裝置做為開關元件之顯示裝置。在包括氧化半導體層之電晶體中，設於該氧化半導體層至少一表面側之針狀結晶組係以垂直於該表面之c軸方向生長，並包括平行於該表面之a-b平面，且除了該針狀結晶組以外之部分為非結晶區或非結晶及微晶混合區。因此，可形成具良好電氣特性之高度可靠半導體裝置。
简体摘要： 一个靶为提供具良好电气特性之高度可靠半导体设备，及包括该半导体设备做为开关组件之显示设备。在包括氧化半导体层之晶体管中，设于该氧化半导体层至少一表面侧之针状结晶组系以垂直于该表面之c轴方向生长，并包括平行于该表面之a-b平面，且除了该针状结晶组以外之部分为非结晶区或非结晶及微晶混合区。因此，可形成具良好电气特性之高度可靠半导体设备。
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