公开(公告)号：TW201801517A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106117088

申请日：2017-05-24

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  維拉森 崔弗 ,  WILLASSEN, TRYGVE ,  蘇哈斯維 喬恩斯 ,  SOLHUSVIK, JOHANNES ,  馬渆圭司 ,  MABUCHI, KEIJI ,  陳 剛 ,  CHEN, GANG ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  戴 戴森 H ,  TAI, DYSON H. ,  潘 比爾 ,  PHAN, BILL ,  席勒克 歐蕊 奧昆 ,  CELLEK, ORAY ORKUN ,  林志強 ,  LIN, ZHIQIANG ,  馬四光 ,  MA, SIGUANG ,  楊 大江 ,  YANG, DAJIANG ,  佛勒 保德 艾伯特 ,  FOWLER, BOYD ALBERT

IPC: H04N5/345 ,  H04N1/40

CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/23229 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3592 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457

Abstract: 一種用於偵測沒有閃爍之發光二極體(LED)之影像感測器包含具有像素之一像素陣列。各像素包含：包含一第一及一第二子像素之子像素、雙浮動擴散(DFD)電晶體、及耦合至該DFD電晶體之一電容器。第一子像素包含用於擷取一第一影像電荷之一第一光敏元件、及用於選擇性地將該第一影像電荷自該第一光敏元件轉移至一第一浮動擴散(FD)節點之一第一轉移閘極電晶體。第二子像素包含用於擷取一第二影像電荷之一第二光敏元件、及用於選擇性地將該第二影像電荷自該第二光敏元件轉移至一第二FD節點之一第二轉移閘極電晶體。DFD電晶體耦合至該第一及該第二FD節點。亦描述其他實施例。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于侦测没有闪烁之发光二极管(LED)之影像传感器包含具有像素之一像素数组。各像素包含：包含一第一及一第二子像素之子像素、双浮动扩散(DFD)晶体管、及耦合至该DFD晶体管之一电容器。第一子像素包含用于截取一第一影像电荷之一第一光敏组件、及用于选择性地将该第一影像电荷自该第一光敏组件转移至一第一浮动扩散(FD)节点之一第一转移闸极晶体管。第二子像素包含用于截取一第二影像电荷之一第二光敏组件、及用于选择性地将该第二影像电荷自该第二光敏组件转移至一第二FD节点之一第二转移闸极晶体管。DFD晶体管耦合至该第一及该第二FD节点。亦描述其他实施例。

公开(公告)号：TWI549275B

公开(公告)日：2016-09-11

申请号：TW103111546

申请日：2014-03-27

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/355

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645

公开(公告)号：TW201410021A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102113841

申请日：2013-04-18

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO

IPC: H04N5/3745 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/353 ,  H04N5/3532 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37452

Abstract: 本發明係關於一種影像感測器像素，其包括一光敏區域及像素電路。該光敏區域回應於入射在該影像感測器上之光而累積一影像電荷。該像素電路包括一傳送儲存電晶體、一電荷儲存區域、一輸出電晶體及一浮動擴散區域。該傳送儲存電晶體耦合在該光敏區域與該電荷儲存區域之間。該輸出電晶體具有耦合在該電荷儲存區域與該浮動擴散區域之間之一通道且具有連接於一固定電壓電位之一閘極。該傳送儲存電晶體引起該影像電荷自該光敏區域傳送至該電荷儲存區域以及自該電荷儲存區域傳送至該浮動擴散區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种影像传感器像素，其包括一光敏区域及像素电路。该光敏区域回应于入射在该影像传感器上之光而累积一影像电荷。该像素电路包括一发送存储晶体管、一电荷存储区域、一输出晶体管及一浮动扩散区域。该发送存储晶体管耦合在该光敏区域与该电荷存储区域之间。该输出晶体管具有耦合在该电荷存储区域与该浮动扩散区域之间之一信道且具有连接于一固定电压电位之一闸极。该发送存储晶体管引起该影像电荷自该光敏区域发送至该电荷存储区域以及自该电荷存储区域发送至该浮动扩散区域。

公开(公告)号：TW201347532A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102111962

申请日：2013-04-02

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/378 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

Abstract: 本發明係關於一種電路，其用於減小一影像感測器中之信號雜訊特性。在一實施例中，一位元線跡線片段位於一源極隨耦器電力跡線與一額外跡線之相鄰的各自片段之間，該額外跡線將在一像素單元讀出時間週期期間維持在一第一電壓位準處。在另一實施例中，對於每一此類跡線片段，該跡線片段與此等跡線片段之各自相鄰另一者之間之一最小間隔實質上等於或小於某一最大長度，以在該位元線跡線與一個或多個其他跡線之間提供寄生電容。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种电路，其用于减小一影像传感器中之信号噪声特性。在一实施例中，一比特线迹线片段位于一源极随耦器电力迹线与一额外迹线之相邻的各自片段之间，该额外迹线将在一像素单元读出时间周期期间维持在一第一电压位准处。在另一实施例中，对于每一此类迹线片段，该迹线片段与此等迹线片段之各自相邻另一者之间之一最小间隔实质上等于或小于某一最大长度，以在该比特线迹线与一个或多个其他迹线之间提供寄生电容。

公开(公告)号：TWI407553B

公开(公告)日：2013-09-01

申请号：TW098101080

申请日：2009-01-13

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 凡尼賈 文生 ,  VENEZIA, VINCENT ,  戴幸志 ,  TAI, HSIN CHIH ,  貿伊 都力 ,  MAO, DULI ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  羅狄絲 霍華E ,  RHODES, HOWARD E. ,  錢衛東 ,  QIAN, WEI DONG

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

公开(公告)号：TWI406402B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：TW098103973

申请日：2009-02-06

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 代鐵軍 ,  DAI, TIEJUN ,  戴幸志 ,  TAI, HSIN CHIH ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  野崎秀俊 ,  NOZAKI, HIDETOSHI ,  羅狄絲 霍華E ,  RHODES, HOWARD E.

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641

公开(公告)号：TW201324780A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101138772

申请日：2012-10-19

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/761 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6659

Abstract: 一種裝置包含一電晶體，該電晶體包含：一源極及一汲極，其安置於一基板中；及一閘極，其安置於該基板上方。該閘極包含安置於該源極及該汲極上方且實質上平行於該電晶體之一通道延續之一第一縱向構件。該第一縱向構件安置於一第一接面隔離區域上方。該閘極亦包含安置於該源極及該汲極上方且實質上平行於該電晶體之該通道延續之一第二縱向構件。該第二縱向構件安置於一第二接面隔離區上方。該閘極亦包含實質上垂直於該電晶體之該通道延續且將該第一縱向構件連接至該第二縱向構件之一橫向構件。該橫向構件安置於該源極及該汲極上方以及其之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种设备包含一晶体管，该晶体管包含：一源极及一汲极，其安置于一基板中；及一闸极，其安置于该基板上方。该闸极包含安置于该源极及该汲极上方且实质上平行于该晶体管之一信道延续之一第一纵向构件。该第一纵向构件安置于一第一接面隔离区域上方。该闸极亦包含安置于该源极及该汲极上方且实质上平行于该晶体管之该信道延续之一第二纵向构件。该第二纵向构件安置于一第二接面隔离区上方。该闸极亦包含实质上垂直于该晶体管之该信道延续且将该第一纵向构件连接至该第二纵向构件之一横向构件。该横向构件安置于该源极及该汲极上方以及其之间。

公开(公告)号：TWI587494B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105112857

申请日：2014-03-27

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 柳政澔 ,  LYU, JEONG-HO ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645

公开(公告)号：TWI573463B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW104129434

申请日：2011-11-08

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 毛 杜立 ,  MAO, DULI ,  戴幸志 ,  TAI, HSIN CHIH ,  凡尼賈 文生 ,  VENEZIA, VINCENT ,  羅狄絲 霍華E ,  RHODES, HOWARD E. ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/376

CPC classification number: H04N5/35509 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3597 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/376

公开(公告)号：TWI509784B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW102139617

申请日：2013-10-31

Applicant: 豪威科技股份有限公司 ,  OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 胡信崇 ,  HU, SING-CHUNG ,  楊榮生 ,  YANG, RONGSHENG ,  陳剛 ,  CHEN, GANG ,  羅狄絲 霍華E ,  RHODES, HOWARD E. ,  真鍋宗平 ,  MANABE, SOHEI ,  戴幸志 ,  TAI, HSIN CHIH

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/0928 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464