公开(公告)号：TWI622159B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW106103091

申请日：2017-01-26

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 林雨德 ,  LIN, YU-DE ,  李亨元 ,  LEE, HENG-YUAN

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144

公开(公告)号：TW201411814A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW101149876

申请日：2012-12-25

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 陳達 ,  CHEN, FREDERICK T. ,  李亨元 ,  LEE, HENG YUAN ,  陳佑昇 ,  CHEN, YU SHENG ,  陳維恕 ,  CHEN, WEI SU ,  吳岱原 ,  WU, TAI YUAN ,  陳邦旭 ,  CHEN, PANG HSU

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8239

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/56 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/249 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： 一種具有可變電阻層的電阻式記憶胞。可變電阻層包括至少一主要電阻層以及至少一輔助電阻層。主要電阻層以及輔助電阻層一起形成封閉的離子交換系統，被交換的離子於主要電阻層及輔助電阻層的每一者中具有等同的移動性，且主要電阻層的最大電阻值高於輔助電阻層的最大電阻值。

简体摘要： 一种具有可变电阻层的电阻式记忆胞。可变电阻层包括至少一主要电阻层以及至少一辅助电阻层。主要电阻层以及辅助电阻层一起形成封闭的离子交换系统，被交换的离子于主要电阻层及辅助电阻层的每一者中具有等同的移动性，且主要电阻层的最大电阻值高于辅助电阻层的最大电阻值。

公开(公告)号：TWI428929B

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW098139877

申请日：2009-11-24

申请人： 財團法人工業技術研究院 ,  INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： 陳佑昇 ,  CHEN, YU SHENG ,  李亨元 ,  LEE, HENG YUAN ,  許雁雅 ,  HSU, YEN YA ,  陳邦旭 ,  CHEN, PANG SHIU ,  許瀞之 ,  HSU, CHING CHIH

IPC分类号： G11C7/22

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/79

公开(公告)号：TWI357149B

公开(公告)日：2012-01-21

申请号：TW096109879

申请日：2007-03-22

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 王慶鈞 ,  李亨元 ,  陳邦旭 ,  吳啟弘 ,  劉國辰

IPC分类号： H01L

摘要： 一種電阻式記憶體，包括一層陰極端電極、一層ITO陽極端電極以及一層金屬氧化層，而金屬氧化層是位於陰極端電極與ITO陽極端電極之間。因為使用ITO作為電阻式記憶體的陽極端電極，所以能降低成本並改善陽極端電極與下方金屬氧化層的附著性。

简体摘要： 一种电阻式内存，包括一层阴极端电极、一层ITO阳极端电极以及一层金属氧化层，而金属氧化层是位于阴极端电极与ITO阳极端电极之间。因为使用ITO作为电阻式内存的阳极端电极，所以能降低成本并改善阳极端电极与下方金属氧化层的附着性。

公开(公告)号：TW201042791A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW098117393

申请日：2009-05-26

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 李亨元 ,  陳邦旭 ,  陳佑昇

IPC分类号： H01L

摘要： 一種交叉點型電阻式記憶體陣列以及其製造方法。該交叉點型電阻式記憶體陣列係包括：一層間絕緣層(IDL)，其中形成貫穿該層間絕緣層之複數個栓塞，使得該複數個栓塞連接至複數條位元線之一；一圖案化絕緣層，其包含複數個圖案化下電極隔離層，該複數個圖案化下電極隔離層係與該複數個栓塞部分地接觸；一過渡金屬氧化層，係填補該圖案化絕緣層內之空隙，並且覆蓋該層間絕緣層，使得每一該等圖案化下電極隔離層以側向的方式與該過渡金屬氧化層接觸；複數條上電極線，其部分地與該過渡金屬氧化層接觸；以及複數條字元線，其形成於該複數條上電極線上。

简体摘要： 一种交叉点型电阻式内存数组以及其制造方法。该交叉点型电阻式内存数组系包括：一层间绝缘层(IDL)，其中形成贯穿该层间绝缘层之复数个栓塞，使得该复数个栓塞连接至复数条比特线之一；一图案化绝缘层，其包含复数个图案化下电极隔离层，该复数个图案化下电极隔离层系与该复数个栓塞部分地接触；一过渡金属氧化层，系填补该图案化绝缘层内之空隙，并且覆盖该层间绝缘层，使得每一该等图案化下电极隔离层以侧向的方式与该过渡金属氧化层接触；复数条上电极线，其部分地与该过渡金属氧化层接触；以及复数条字符线，其形成于该复数条上电极在线。

公开(公告)号：TW201121035A

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：TW098145045

申请日：2009-12-25

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 陳達 ,  蔡銘進 ,  陳維恕 ,  李亨元

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： 一種電阻切換式記憶體。此電阻切換式記憶體包括高度絕緣或電阻切換式材料，其覆蓋著圖案化之金屬線的側壁，且沿著介電層側壁的邊緣而延伸，以進一步接觸下電極上表面的一部分。下電極上表面的其他部分則被上電極與下電極之間的絕緣層所覆蓋。下電極中的一吸氧金屬層佔據了下電極上表面的實質中心部分，且被高度絕緣或電阻切換式材料局部覆蓋著。如此一來，一切換區就自然定義在在下電極的吸氧金屬層的實質中心部分。

简体摘要： 一种电阻切换式内存。此电阻切换式内存包括高度绝缘或电阻切换式材料，其覆盖着图案化之金属线的侧壁，且沿着介电层侧壁的边缘而延伸，以进一步接触下电极上表面的一部分。下电极上表面的其他部分则被上电极与下电极之间的绝缘层所覆盖。下电极中的一吸氧金属层占据了下电极上表面的实质中心部分，且被高度绝缘或电阻切换式材料局部覆盖着。如此一来，一切换区就自然定义在在下电极的吸氧金属层的实质中心部分。

公开(公告)号：TWI364836B

公开(公告)日：2012-05-21

申请号：TW096144383

申请日：2007-11-23

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 李亨元 ,  王慶鈞 ,  陳邦旭 ,  吳岱原

IPC分类号： H01L

摘要： 一種電阻式記憶體以及其製造方法，使用與CMOS製程相容之材料以形成電極，以降低元件的製程整合的困難度。該電阻式記憶體，包括：一第一導電材料所形成之下電極、一非化學計量比氧化物所形成之介電層以及一第二導電材料所形成之上電極；其中該第一導電材料之功函數高於該第二導電材料之功函數。

简体摘要： 一种电阻式内存以及其制造方法，使用与CMOS制程兼容之材料以形成电极，以降低组件的制程集成的困难度。该电阻式内存，包括：一第一导电材料所形成之下电极、一非化学计量比氧化物所形成之介电层以及一第二导电材料所形成之上电极；其中该第一导电材料之功函数高于该第二导电材料之功函数。

公开(公告)号：TW201118887A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW098139877

申请日：2009-11-24

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 陳佑昇 ,  李亨元 ,  許雁雅 ,  陳邦旭 ,  許瀞之

IPC分类号： G11C

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0064 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/79

摘要： 一種控制方法，適用於至少一記憶胞。記憶胞包括一電晶體以及一電阻。電晶體與電阻串聯於一第一節點與一第二節點之間。首先，程式化記憶胞。接著，判斷記憶胞是否成功地被程式化。當記憶胞未成功地被程式化時，執行一特定動作。

简体摘要： 一种控制方法，适用于至少一记忆胞。记忆胞包括一晶体管以及一电阻。晶体管与电阻串联于一第一节点与一第二节点之间。首先，进程化记忆胞。接着，判断记忆胞是否成功地被进程化。当记忆胞未成功地被进程化时，运行一特定动作。

公开(公告)号：TWI328872B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：TW096110974

申请日：2007-03-29

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 王慶鈞 ,  陳邦旭 ,  李亨元

IPC分类号： H01L

摘要： 本發明係提供一電阻式記憶體及其製造方法。根據本發明一較佳實施例，該電阻式記憶體包括：一基底；一下電極，配置於該基底之上；一具有一開口之介電層配置於該下電極之上，其中該開口係露出該下電極上表面；一突出導電尖端，形成於該開口內之下電極之上，並與該下電極電性連結，其中該突出導電尖端係具有一上窄下寬的結構；一可變電阻絕緣層，坦覆性形成於該介電層之上，並填滿該開口；以及，一上電極，形成於該可變電阻絕緣層之上。

简体摘要： 本发明系提供一电阻式内存及其制造方法。根据本发明一较佳实施例，该电阻式内存包括：一基底；一下电极，配置于该基底之上；一具有一开口之介电层配置于该下电极之上，其中该开口系露出该下电极上表面；一突出导电尖端，形成于该开口内之下电极之上，并与该下电极电性链接，其中该突出导电尖端系具有一上窄下宽的结构；一可变电阻绝缘层，坦覆性形成于该介电层之上，并填满该开口；以及，一上电极，形成于该可变电阻绝缘层之上。

公开(公告)号：TWI318437B

公开(公告)日：2009-12-11

申请号：TW095142795

申请日：2006-11-20

申请人： 財團法人工業技術研究院

发明人： 李亨元 ,  陳邦旭 ,  王慶鈞

IPC分类号： H01L

摘要： 一種電阻式隨機存取記憶體，包括：一第一電極；一第二電極；以及一電阻轉換層，夾置於該第一電極與第二電極之間。其中該電阻轉換層包括非化學計量比(non－stoichiometric)之一第一金屬氧化物次層以及設置於該第一金屬氧化物次層上之化學計量比(stoichiometric)之一第二金屬氧化物次層。 A resistive random access memory device comprises a first electrode, a second electrode and a resistive switching layer sandwiched between the first and second electrodes, wherein the resistive switching layer comprises a non－stoichiometric first metal oxide sub－layer and a stoichiometric second metal oxide sub－layer formed over the non－stoichiometric first metal oxide sub－layer. 【創作特點】 有鑑於此，便需要一種較為改善之電阻式隨機存取記憶體，其具有較低之重置電流，進而提升其於商業上之應用性。
依據一實施例，本發明提供了一種電阻式隨機存取記憶體，包括：一第一電極；一第二電極；以及一電阻轉換層，埋設於該第一電極與第二電極之間。其中該電阻轉換層包括非化學計量比(non－stoichiometric)之一第一金屬氧化物次層以及設置於該第一金屬氧化物次層上之化學計量比(stoichiometric)之一第二金屬氧化物次層。
依據另一實施例，本發明提供了一種電阻式隨機存取記憶體之製造方法，包括：提供一基底；形成一第一電極於該基底上；形成一電阻轉換層於該下電極上以及形成一第二電極於該電阻轉換層上。其中，上述電阻轉換層包括非化學計量比(non－stoichiometric)之一第一金屬氧化物次層以及設置於該第一金屬氧化物次層上之化學計量比(stoichiometric)之一第二金屬氧化物次層。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖示，作詳細說明如下：

简体摘要： 一种电阻式随机存取内存，包括：一第一电极；一第二电极；以及一电阻转换层，夹置于该第一电极与第二电极之间。其中该电阻转换层包括非化学计量比(non－stoichiometric)之一第一金属氧化物次层以及设置于该第一金属氧化物次层上之化学计量比(stoichiometric)之一第二金属氧化物次层。 A resistive random access memory device comprises a first electrode, a second electrode and a resistive switching layer sandwiched between the first and second electrodes, wherein the resistive switching layer comprises a non－stoichiometric first metal oxide sub－layer and a stoichiometric second metal oxide sub－layer formed over the non－stoichiometric first metal oxide sub－layer. 【创作特点】 有鉴于此，便需要一种较为改善之电阻式随机存取内存，其具有较低之重置电流，进而提升其于商业上之应用性。 依据一实施例，本发明提供了一种电阻式随机存取内存，包括：一第一电极；一第二电极；以及一电阻转换层，埋设于该第一电极与第二电极之间。其中该电阻转换层包括非化学计量比(non－stoichiometric)之一第一金属氧化物次层以及设置于该第一金属氧化物次层上之化学计量比(stoichiometric)之一第二金属氧化物次层。 依据另一实施例，本发明提供了一种电阻式随机存取内存之制造方法，包括：提供一基底；形成一第一电极于该基底上；形成一电阻转换层于该下电极上以及形成一第二电极于该电阻转换层上。其中，上述电阻转换层包括非化学计量比(non－stoichiometric)之一第一金属氧化物次层以及设置于该第一金属氧化物次层上之化学计量比(stoichiometric)之一第二金属氧化物次层。 为了让本发明之上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图标，作详细说明如下：