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公开(公告)号：TW201349238A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101119371
申请日：2012-05-30
发明人： 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 辜佩儀 , GU, PEI YI , 陳佑昇 , CHEN, YU SHENG
IPC分类号： G11C13/00 , G11C11/16 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C13/0007 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1633
摘要： 一種電阻式隨機存取記憶體之記憶胞及其製造方法。所述方法包括形成第一電極。在第一電極上形成金屬氧化物層。在金屬氧化物層上形成電極緩衝疊層，其中電極緩衝疊層包括第一緩衝層以及第二緩衝層，第一緩衝層位於金屬氧化物層與第二緩衝層之間，第一緩衝層相對地不易與金屬氧化物層產生氧化反應，且第二緩衝層相對地容易與金屬氧化層產生氧化反應。在電極緩衝疊層上形成第二電極。
简体摘要： 一种电阻式随机存取内存之记忆胞及其制造方法。所述方法包括形成第一电极。在第一电极上形成金属氧化物层。在金属氧化物层上形成电极缓冲叠层，其中电极缓冲叠层包括第一缓冲层以及第二缓冲层，第一缓冲层位于金属氧化物层与第二缓冲层之间，第一缓冲层相对地不易与金属氧化物层产生氧化反应，且第二缓冲层相对地容易与金属氧化层产生氧化反应。在电极缓冲叠层上形成第二电极。
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公开(公告)号：TW201507127A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102127852
申请日：2013-08-02
发明人： 陳 達 , CHEN, FREDERICK T. , 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 蔡侃學 , TSAI, KAN HSUEH , 蔡承翰 , TSAI, CHEN HAN
摘要： 一種半導體電路與其操作方法及電感元件的製造方法。半導體電路包括一半導體裝置、一重設電路與一電感元件。電感元件耦接在半導體裝置與重設電路之間。在重設半導體裝置的步驟中，電感元件是用作一電流限制器。
简体摘要： 一种半导体电路与其操作方法及电感组件的制造方法。半导体电路包括一半导体设备、一重设电路与一电感组件。电感组件耦接在半导体设备与重设电路之间。在重设半导体设备的步骤中，电感组件是用作一电流限制器。
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公开(公告)号：TW201327784A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101107499
申请日：2012-03-06
发明人： 陳達 , CHEN, FREDERICK T. , 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 陳佑昇 , CHEN, YU SHENG
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/51 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： 一種電阻式隨機存取記憶胞，其包括一第一電極、一第二電極以及多組重覆排列之薄膜。各組薄膜包括一電阻變化層、一阻障層以及一位於電阻變化層與阻障層之間的離子交換層，其中電阻變化層、阻障層以及離子交換層各層的厚度大於費米波長，且電阻變化層與離子交換層的厚度小於電子平均自由徑。此外，本申請案另提供一種電阻式隨機存取記憶模組，其包括前述之電阻式隨機存取記憶胞。
简体摘要： 一种电阻式随机存取记忆胞，其包括一第一电极、一第二电极以及多组重复排列之薄膜。各组薄膜包括一电阻变化层、一阻障层以及一位于电阻变化层与阻障层之间的离子交换层，其中电阻变化层、阻障层以及离子交换层各层的厚度大于费米波长，且电阻变化层与离子交换层的厚度小于电子平均自由径。此外，本申请案另提供一种电阻式随机存取记忆模块，其包括前述之电阻式随机存取记忆胞。
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公开(公告)号：TWI681561B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW106141528
申请日：2017-11-29
发明人： 蔡侃學 , TSAI, KAN-HSUEH , 李亨元 , LEE, HENG-YUAN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/772 , H01L21/71 , H01L21/8252
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公开(公告)号：TWI540714B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW102127852
申请日：2013-08-02
发明人： 陳 達 , CHEN, FREDERICK T. , 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 蔡侃學 , TSAI, KAN HSUEH , 蔡承翰 , TSAI, CHEN HAN
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公开(公告)号：TWI431825B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098117393
申请日：2009-05-26
发明人： 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 陳邦旭 , CHEN, PANG HSU , 陳佑昇 , CHEN, YU SHENG
IPC分类号： H01L45/00
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公开(公告)号：TWI405331B
公开(公告)日：2013-08-11
申请号：TW098145045
申请日：2009-12-25
发明人： 陳達 , CHEN, FREDERICK T. , 蔡銘進 , TSAI, MING JINN , 陳維恕 , CHEN, WEI SU , 李亨元 , LEE, HENG YUAN
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/124 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/16
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公开(公告)号：TWI393216B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW096141126
申请日：2007-11-01
发明人： 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 王慶鈞 , WANG, CHING CHIUN , 陳邦旭 , CHEN, PANG HSU , 吳岱原 , WU, TAI YUAN
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L27/101 , H01L45/04 , H01L45/145
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公开(公告)号：TW201301283A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100140480
申请日：2011-11-07
发明人： 陳達 , CHEN, FREDERICK T. , 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 陳佑昇 , CHEN, YU SHENG
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/2418 , H01L27/2427 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/146
摘要： 一種記憶體單元，包括一記憶體元件，一電流限制元件電性耦接於該記憶體元件，以及一高選擇比元件與該電流限制元件耦接。記憶體元件被設定為以一電阻狀態儲存資料。電流限制元件為一電壓控制電阻元件(voltage-controlled resistor)，具有一電阻值，當施加一電壓時該電阻值先減少而後增加。當施加於記憶體單元的電壓約等同於記憶體單元的一選擇電壓時，高選擇比元件具有一第一電阻值，第一電阻值較小；當施加於記憶體單元的電壓約等同於記憶體單元的選擇電壓的二分之一時，高選擇比元件另具有一第二電阻值，其中第二電阻值較第一電阻值為大。
简体摘要： 一种内存单元，包括一内存组件，一电流限制组件电性耦接于该内存组件，以及一高选择比组件与该电流限制组件耦接。内存组件被设置为以一电阻状态存储数据。电流限制组件为一电压控制电阻组件(voltage-controlled resistor)，具有一电阻值，当施加一电压时该电阻值先减少而后增加。当施加于内存单元的电压约等同于内存单元的一选择电压时，高选择比组件具有一第一电阻值，第一电阻值较小；当施加于内存单元的电压约等同于内存单元的选择电压的二分之一时，高选择比组件另具有一第二电阻值，其中第二电阻值较第一电阻值为大。
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公开(公告)号：TWI673831B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107140212
申请日：2018-11-13
发明人： 王志耀 , WANG, CHIH YAO , 李亨元 , LEE, HENG YUAN , 葉伯淳 , YEH, PO CHUN , 林雨德 , LIN, YU DE , 徐建華 , HSU, CHIEN HUA
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/11517 , G11C11/22
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