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21.固態攝像裝置及其製造方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
Simplified title: 固态摄像设备及其制造方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME公开(公告)号:TW201133806A
公开(公告)日:2011-10-01
申请号:TW099122472
申请日:2010-07-08
Applicant: 東芝股份有限公司
Inventor: 山下浩史
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 實施形態為背面照射型固態攝像裝置之製造方法,係於SOI基板之半導體層之表面上,形成具有和畫素圖案對應之開口的遮罩;使用上述遮罩由上述半導體層之表面側對該層內進行第2導電型之雜質之離子植入,而形成第2導電型之光電轉換部之同時,以未被進行離子植入之部分來形成畫素分離區域。之後,除去上述遮罩之後,於上述半導體層之表面部形成信號掃描電路用於讀出上述光電轉換部所獲得之光信號。之後,在上述半導體層之表面側接著支撐基板之後,將上述半導體基板及填埋絕緣膜由上述半導體層予以剝離。
Abstract in simplified Chinese: 实施形态为背面照射型固态摄像设备之制造方法,系于SOI基板之半导体层之表面上,形成具有和像素图案对应之开口的遮罩;使用上述遮罩由上述半导体层之表面侧对该层内进行第2导电型之杂质之离子植入,而形成第2导电型之光电转换部之同时,以未被进行离子植入之部分来形成像素分离区域。之后,除去上述遮罩之后,于上述半导体层之表面部形成信号扫描电路用于读出上述光电转换部所获得之光信号。之后,在上述半导体层之表面侧接着支撑基板之后,将上述半导体基板及填埋绝缘膜由上述半导体层予以剥离。
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22.固態成像裝置,其製造方法及照相機 SOLID-STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND CAMERA 审中-公开
Simplified title: 固态成像设备,其制造方法及照相机 SOLID-STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND CAMERA公开(公告)号:TW201110337A
公开(公告)日:2011-03-16
申请号:TW099120133
申请日:2010-06-21
Applicant: 新力股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N9/045 , H04N2209/045
Abstract: 本發明揭示一種固態成像裝置,其包含:若干個光電二極體,其等係針對配置於一半導體基板之一光感測表面上之像素形成;一信號讀取單元,其形成於該半導體基板上以讀取一信號電荷或一電壓;一絕緣膜,其形成於該半導體基板上且包含光學波導;若干個濾色器,其等形成於該絕緣膜上;及若干個晶片上透鏡,其等形成於該等濾色器上。該第一像素組合與該第二像素組合在水平方向及垂直方向兩者上交替地配置,該第一像素組合具有其中在該水平方向及該垂直方向兩者上均配置兩個綠色像素且配置總共四個像素之一佈局,該第二像素組合具有其中在該水平方向及該垂直方向兩者上均配置兩個像素、配置總共四個像素且成對角線地配置兩個紅色像素及兩個藍色像素之一佈局。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种固态成像设备,其包含:若干个光电二极管,其等系针对配置于一半导体基板之一光传感表面上之像素形成;一信号读取单元,其形成于该半导体基板上以读取一信号电荷或一电压;一绝缘膜,其形成于该半导体基板上且包含光学波导;若干个滤色器,其等形成于该绝缘膜上;及若干个芯片上透镜,其等形成于该等滤色器上。该第一像素组合与该第二像素组合在水平方向及垂直方向两者上交替地配置,该第一像素组合具有其中在该水平方向及该垂直方向两者上均配置两个绿色像素且配置总共四个像素之一布局,该第二像素组合具有其中在该水平方向及该垂直方向两者上均配置两个像素、配置总共四个像素且成对角线地配置两个红色像素及两个蓝色像素之一布局。
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23.固態成像裝置及電子設備 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS 审中-公开
Simplified title: 固态成像设备及电子设备 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS公开(公告)号:TW201044566A
公开(公告)日:2010-12-16
申请号:TW099100294
申请日:2010-01-07
Applicant: 新力股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14603 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14831 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37457 , H04N5/378 , H04N9/045
Abstract: 固態成像裝置包括一佈局,其中,一個共用單元包括在水平和垂直方向上分別為2個像素乘上4xn個像素(其中,n為正整數)的光電二極體陣列。
Abstract in simplified Chinese: 固态成像设备包括一布局,其中,一个共享单元包括在水平和垂直方向上分别为2个像素乘上4xn个像素(其中,n为正整数)的光电二极管数组。
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公开(公告)号:TW200709407A
公开(公告)日:2007-03-01
申请号:TW095119229
申请日:2006-05-30
Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION
Inventor: 岩淵信 IWABUCHI, SHIN , 元吉真 MOTOYOSHI, MAKOTO
IPC: H01L
CPC classification number: H04N5/378 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L25/18 , H01L27/115 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16237 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/13091 , H01L2924/1425 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1443 , H04N5/2253 , H04N5/374 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種謀求像素之開口率提高及晶片使用效率提高,且可全像素同時快門開閉之CMOS型半導體影像感測器模組及其製造方法。本發明之半導體影像感測器模組係層積有第1半導體晶片及第2半導體晶片而構成,上述第1半導體晶片具備排列有由光電轉換元件與電晶體構成之複數個像素之影像感測器,上述第2半導體晶片具備A/D轉換器陣列。較好的是,進而層積具備記憶體元件陣列之第3半導體晶片而構成。又,本發明之半導體影像感測器模組係層積具備上述影像感測器之第1半導體晶片及具備類比型非揮發性記憶體陣列之第4半導體晶片而構成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种谋求像素之开口率提高及芯片使用效率提高,且可全像素同时快门开闭之CMOS型半导体影像传感器模块及其制造方法。本发明之半导体影像传感器模块系层积有第1半导体芯片及第2半导体芯片而构成,上述第1半导体芯片具备排列有由光电转换组件与晶体管构成之复数个像素之影像传感器,上述第2半导体芯片具备A/D转换器数组。较好的是,进而层积具备内存组件数组之第3半导体芯片而构成。又,本发明之半导体影像传感器模块系层积具备上述影像传感器之第1半导体芯片及具备模拟型非挥发性内存数组之第4半导体芯片而构成。
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公开(公告)号:TW201811019A
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:TW106125989
申请日:2017-08-02
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
Inventor: 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 戴 戴森 H , TAI, DYSON H. , 席勒克 歐蕊 奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 毛 杜立 , MAO, DULI , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC: H04N5/3745 , H04N5/228 , H01L31/12
CPC classification number: H04N5/35518 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N9/045
Abstract: 本發明揭示一種用於高動態範圍影像感測器中之一像素陣列,其包含在該像素陣列中依複數個列及行配置之複數個像素。該等像素之各者包含經安置在一半導體材料中之一線性子像素及一對數子像素。該線性子像素經耦合以產生具有一線性回應之一線性輸出信號,且該對數子像素經耦合以回應於入射光產生具有一對數回應之一對數輸出信號。一位元線經耦合至該線性子像素及該對數子像素以接收該線性輸出信號及該對數輸出信號。該位元線係耦合至該複數個像素之複數個位元線之一者。該複數個位元線之各者經耦合至該複數個像素之一對應分組。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于高动态范围影像传感器中之一像素数组,其包含在该像素数组中依复数个列及行配置之复数个像素。该等像素之各者包含经安置在一半导体材料中之一线性子像素及一对数子像素。该线性子像素经耦合以产生具有一线性回应之一线性输出信号,且该对数子像素经耦合以回应于入射光产生具有一对数回应之一对数输出信号。一比特线经耦合至该线性子像素及该对数子像素以接收该线性输出信号及该对数输出信号。该比特线系耦合至该复数个像素之复数个比特线之一者。该复数个比特线之各者经耦合至该复数个像素之一对应分组。
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公开(公告)号:TW201801295A
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW105133611
申请日:2016-10-18
Applicant: 豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
Inventor: 錢胤 , QIAN, YIN , 張明 , ZHANG, MING , 陸震偉 , LU, CHEN-WEI , 李 津 , LI, JIN , 繆佳君 , MIAO, CHIA-CHUN , 戴 戴森 H , TAI, DYSON H.
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 一種影像感測器包含在一半導體基板中彼此穿插之第一複數個光電二極體及第二複數個光電二極體。入射光待被引導穿過該半導體基板之一表面至該第一複數個光電二極體及該第二複數個光電二極體中。相較於該第二複數個光電二極體,該第一複數個光電二極體對該入射光具有更大敏感度。一金屬膜層安置於該第二複數個光電二極體上方之該半導體基板之該表面上方,且未安置於該第一複數個光電二極體上方。一金屬格柵安置於該半導體基板之該表面上方,且包含第一複數個開口,該入射光穿過該第一複數個開口被引導至該第一複數個光電二極體中。該金屬格柵進一步包含第二複數個開口,該入射光穿過該第二複數個開口被引導穿過該金屬膜層至該第二複數個光電二極體中。
Abstract in simplified Chinese: 一种影像传感器包含在一半导体基板中彼此穿插之第一复数个光电二极管及第二复数个光电二极管。入射光待被引导穿过该半导体基板之一表面至该第一复数个光电二极管及该第二复数个光电二极管中。相较于该第二复数个光电二极管,该第一复数个光电二极管对该入射光具有更大敏感度。一金属膜层安置于该第二复数个光电二极管上方之该半导体基板之该表面上方,且未安置于该第一复数个光电二极管上方。一金属格栅安置于该半导体基板之该表面上方,且包含第一复数个开口,该入射光穿过该第一复数个开口被引导至该第一复数个光电二极管中。该金属格栅进一步包含第二复数个开口,该入射光穿过该第二复数个开口被引导穿过该金属膜层至该第二复数个光电二极管中。
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公开(公告)号:TW201743438A
公开(公告)日:2017-12-16
申请号:TW105128877
申请日:2016-09-07
Applicant: 采鈺科技股份有限公司 , VISERA TECHNOLOGIES COMPANY LIMITED
Inventor: 林國峰 , LIN, KUO FENG , 蕭玉焜 , HSIAO, YU KUN , 謝錦全 , HSIEH, CHIN CHUAN
IPC: H01L27/14 , H01L31/0236
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14625
Abstract: 一種影像感測裝置,包括:一半導體基板;一被動層;以及一集光元件。該半導體基板包括一感光元件,而該被動層係設置於該半導體基板上。該集光元件係設置於該被動層上,且包括一第一迴圈、一第二迴圈、與一第三迴圈。該第一迴圈具有一第一寬度。該第二迴圈環繞該第一迴圈,且具有少於該第一寬度之一第二寬度。該第三迴圈環繞該第一迴圈與該第二迴圈,且具有少於該第一寬度與該第二寬度之一第三寬度。該集光元件係對準該感光元件,且該第一迴圈、該第二迴圈與該第三迴圈包括不同之折射率。
Abstract in simplified Chinese: 一种影像传感设备,包括:一半导体基板;一被动层;以及一集光组件。该半导体基板包括一感光组件,而该被动层系设置于该半导体基板上。该集光组件系设置于该被动层上,且包括一第一循环、一第二循环、与一第三循环。该第一循环具有一第一宽度。该第二循环环绕该第一循环,且具有少于该第一宽度之一第二宽度。该第三循环环绕该第一循环与该第二循环,且具有少于该第一宽度与该第二宽度之一第三宽度。该集光组件系对准该感光组件,且该第一循环、该第二循环与该第三循环包括不同之折射率。
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公开(公告)号:TWI601275B
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW100120447
申请日:2011-06-10
Applicant: 新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
Inventor: 戶田淳 , TODA, ATSUSHI , 平山照峰 , HIRAYAMA, TERUO
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14687 , H01L31/022466 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T29/49002
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公开(公告)号:TW201729410A
公开(公告)日:2017-08-16
申请号:TW106116443
申请日:2016-02-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
Inventor: 楊武璋 , YANG,WU-ZANG , 劉家穎 , LIU,CHIA-YING , 熊志偉 , HSIUNG,CHIH-WEI , 艾群詠 , AI,CHUN-YUNG , 戴戴森 H , TAI,DYSON H. , 麥西堤多明尼克 , MASSETTI,DOMINIC
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14692 , H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/90
Abstract: 本發明揭示一種影像感測器畫素及影像感測器及一種製造影像感測器畫素及影像感測器之方法。該影像畫素包含一感光性電容器及一電晶體網路。該感光性電容器包含一電極、一導電層、一介電層及一感光性半導體材料。該導電層經安置於該電極周圍,且該介電層形成於該導電層與該電極之間。該感光性半導體材料係用於回應於影像光產生一影像信號且經安置於該介電層與該電極之間。該電晶體網路經耦合以從該感光性電容器之該電極讀出該影像信號。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种影像传感器像素及影像传感器及一种制造影像传感器像素及影像传感器之方法。该影像像素包含一感光性电容器及一晶体管网络。该感光性电容器包含一电极、一导电层、一介电层及一感光性半导体材料。该导电层经安置于该电极周围,且该介电层形成于该导电层与该电极之间。该感光性半导体材料系用于回应于影像光产生一影像信号且经安置于该介电层与该电极之间。该晶体管网络经耦合以从该感光性电容器之该电极读出该影像信号。
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公开(公告)号:TWI584453B
公开(公告)日:2017-05-21
申请号:TW105104361
申请日:2016-02-15
Applicant: 豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
Inventor: 林蔚峰 , LIN, WEI FENG , 黃吉志 , HUANG, CHI CHIH
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L2224/11
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