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公开(公告)号:TWI603342B
公开(公告)日:2017-10-21
申请号:TW103111145
申请日:2014-03-26
申请人: 富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人: 早田佑一 , HAYATA, YUUICHI , 加納丈嘉 , KANO, TAKEYOSHI , 渡辺徹 , WATANABE, TORU
CPC分类号: C09D5/24 , C08J7/04 , C08K5/053 , C08K2003/085 , C08K2003/2248 , C09D1/00 , C09D5/00 , C09D7/40 , C09D7/68 , C09D201/00 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01B13/30 , H05K1/092 , H05K3/1283 , H05K2201/0209
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公开(公告)号:TWI601583B
公开(公告)日:2017-10-11
申请号:TW102122065
申请日:2013-06-21
发明人: 中室嘉一郎 , NAKAMURO, KAICHIRO , 吉川拓摩 , YOSHIKAWA, TAKUMA
CPC分类号: B32B15/08 , B21B1/40 , B32B15/20 , B32B2307/406 , B32B2307/412 , B32B2457/08 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0355
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公开(公告)号:TW201734219A
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW105143778
申请日:2016-12-29
发明人: 坂東慎介 , BANDO, SHINSUKE , 冠和樹 , KAMMURI, KAZUKI
摘要: 提供一種彎折性及蝕刻性優異之可撓性印刷基板用銅箔。 一種可撓性印刷基板用銅箔,相對於以JIS-H3100(C1100)規定之精銅或JIS-H3100(C1011)之無氧銅,含有0.001~0.05質量%之Ag,且含有合計0.003~0.825質量%之選自P、Ti、Sn、Ni、Be、Zn、In及Mg之群中的1種以上之添加元素而成,平均結晶粒徑為0.5~4.0μm,且拉伸強度為235~290MPa。
简体摘要: 提供一种弯折性及蚀刻性优异之可挠性印刷基板用铜箔。 一种可挠性印刷基板用铜箔,相对于以JIS-H3100(C1100)规定之精铜或JIS-H3100(C1011)之无氧铜,含有0.001~0.05质量%之Ag,且含有合计0.003~0.825质量%之选自P、Ti、Sn、Ni、Be、Zn、In及Mg之群中的1种以上之添加元素而成,平均结晶粒径为0.5~4.0μm,且拉伸强度为235~290MPa。
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公开(公告)号:TW201733793A
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW106105345
申请日:2017-02-17
发明人: 松田光由 , MATSUDA, MITSUYOSHI , 髙梨哲聡 , TAKANASHI, AKITOSHI , 飯田浩人 , IIDA, HIROTO , 吉川和広 , YOSHIKAWA, KAZUHIRO , 加藤翼 , KATO, TSUBASA , 金子智一 , KANEKO, TOMOKAZU
摘要: 本發明之目的在於提供一種印刷配線板製造用銅箔,其不另外需要追加的蝕刻步驟,有意義地減低Cu蝕刻的面內偏差,結果可抑制種子層之缺損或電路凹陷之發生。此銅箔係依順序具備第一銅層、蝕刻犧牲層及第二銅層,蝕刻犧牲層的蝕刻速率相對於Cu的蝕刻速率之比r係比1.0更高。
简体摘要: 本发明之目的在于提供一种印刷配线板制造用铜箔,其不另外需要追加的蚀刻步骤,有意义地减低Cu蚀刻的面内偏差,结果可抑制种子层之缺损或电路凹陷之发生。此铜箔系依顺序具备第一铜层、蚀刻牺牲层及第二铜层,蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比r系比1.0更高。
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公开(公告)号:TW201732082A
公开(公告)日:2017-09-16
申请号:TW105107510
申请日:2016-03-11
申请人: 琦芯科技股份有限公司
发明人: 許國誠 , HSU, KUO-CHEN , 蘇建豪 , SU, CHIEN-HAO
IPC分类号: C23C28/00 , C23C14/34 , C23C14/08 , C25D3/38 , C25D7/12 , C25D5/00 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B15/20 , B32B7/06 , H05K1/09
摘要: 一種具有濺鍍式無機複合薄膜的附載體銅箔及其製備方法,其包含有一基板、一無機複合薄膜以及一金屬電鍍層,將該無機複合薄膜以濺鍍方式形成於該基板上,再利用電鍍的方式於該無機複合薄膜遠離該基板之一側形成該金屬電鍍層,最後藉由該無機複合薄膜與該金屬電鍍層晶格不匹配的特性,而可以在不損壞該金屬電鍍層的情形下,將該金屬電鍍層從該無機複合薄膜上剝離下來,且該無機複合薄膜在高溫製程下依舊可以維持其特性,保持與該金屬電鍍層的低結合強度,而於進行剝離時,不會破壞該金屬電鍍層。
简体摘要: 一种具有溅镀式无机复合薄膜的附载体铜箔及其制备方法,其包含有一基板、一无机复合薄膜以及一金属电镀层,将该无机复合薄膜以溅镀方式形成于该基板上,再利用电镀的方式于该无机复合薄膜远离该基板之一侧形成该金属电镀层,最后借由该无机复合薄膜与该金属电镀层晶格不匹配的特性,而可以在不损坏该金属电镀层的情形下,将该金属电镀层从该无机复合薄膜上剥离下来,且该无机复合薄膜在高温制程下依旧可以维持其特性,保持与该金属电镀层的低结合强度,而于进行剥离时,不会破坏该金属电镀层。
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公开(公告)号:TW201722717A
公开(公告)日:2017-07-01
申请号:TW105102795
申请日:2016-01-29
发明人: 森山晃正 , MORIYAMA, TERUMASA , 古曳倫也 , KOHIKI, MICHIYA
摘要: 本發明提供一種表面處理銅箔,其能夠提供如下銅箔去除後基材面的輪廓形狀,該輪廓形狀即使進行去汙處理也具有所需的凹凸形狀,且實現無電鍍銅皮膜的良好密接力。另外,本發明提供一種基材,其即使進行去汙處理也具有所需的凹凸形狀,且實現無電鍍銅皮膜的良好密接力。本發明的表面處理銅箔在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材,去除表面處理銅箔,對露出的樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時,樹脂基材之銅箔去除側表面的白部平均值成為0.14~0.70μm。
简体摘要: 本发明提供一种表面处理铜箔,其能够提供如下铜箔去除后基材面的轮廓形状,该轮廓形状即使进行去污处理也具有所需的凹凸形状,且实现无电镀铜皮膜的良好密接力。另外,本发明提供一种基材,其即使进行去污处理也具有所需的凹凸形状,且实现无电镀铜皮膜的良好密接力。本发明的表面处理铜箔在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材,去除表面处理铜箔,对露出的树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时,树脂基材之铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.14~0.70μm。
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公开(公告)号:TWI588302B
公开(公告)日:2017-06-21
申请号:TW105113111
申请日:2016-04-27
发明人: 柳響介 , YANAGI, KYOSUKE , 溝口美智 , MIZOGUCHI, MISATO , 朝長咲子 , TOMONAGA, SAKIKO
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公开(公告)号:TWI587756B
公开(公告)日:2017-06-11
申请号:TW102148636
申请日:2013-12-27
发明人: 中林利之 , NAKABAYASHI, TOSHIYUKI , 重松櫻子 , SHIGEMATSU, SAKURAKO , 藤元伸悅 , FUJIMOTO, SHIN-ETSU
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公开(公告)号:TW201718951A
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:TW105125612
申请日:2016-08-11
发明人: 奧野裕子 , OKUNO, YUKO , 篠崎健作 , SHINOZAKI, KENSAKU , 宇野岳夫 , UNO, TAKEO
摘要: 如果局部存在高度0.5μm以上、3μm以下之粗化顆粒(9),則提高與樹脂基板之密合性之效果較大。另一方面,高度0.1μm以上、0.4μm以下之粗化顆粒(9)提高與樹脂基板之密合性之效果較小,但是對高頻傳輸特性之不良影響較小。因此,本發明中,於沿寬度方向切割銅箔(5)之剖面中,粗化高度0.5μm以上、3μm以下之粗化顆粒(9)於30μm範圍內係1個以上、10個以下,並且粗化高度0.1μm以上、0.4μm以下之粗化顆粒(9)於30μm範圍內係5個以上。
简体摘要: 如果局部存在高度0.5μm以上、3μm以下之粗化颗粒(9),则提高与树脂基板之密合性之效果较大。另一方面,高度0.1μm以上、0.4μm以下之粗化颗粒(9)提高与树脂基板之密合性之效果较小,但是对高频传输特性之不良影响较小。因此,本发明中,于沿宽度方向切割铜箔(5)之剖面中,粗化高度0.5μm以上、3μm以下之粗化颗粒(9)于30μm范围内系1个以上、10个以下,并且粗化高度0.1μm以上、0.4μm以下之粗化颗粒(9)于30μm范围内系5个以上。
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