印刷電路板之製造方法
    2.
    发明专利
    印刷電路板之製造方法 审中-公开
    印刷电路板之制造方法

    公开(公告)号:TW201633873A

    公开(公告)日:2016-09-16

    申请号:TW104140558

    申请日:2015-12-03

    IPC分类号: H05K3/46 H05K3/18

    CPC分类号: G01N21/956 H05K3/00 H05K3/46

    摘要: 提供一種印刷電路板的製造方法,包含:準備具備相對於入射光的8°擴散反射率SCI為41%以下的處理表面的銅箔,在銅箔的表面形成光阻圖案,對銅箔實施電解銅鍍層,將光阻圖案剝離而形成配線圖案,對銅箔進行配線圖案的外觀影像檢查。依本發明時,可提供一種印刷電路板的製造方法,在印刷電路板的製造中於疊合配線層的形成前,可高精度地進行針對形成於銅箔上的配線圖案的外觀影像檢查,藉此可顯著地提升印刷電路板的生產性。

    简体摘要: 提供一种印刷电路板的制造方法,包含:准备具备相对于入射光的8°扩散反射率SCI为41%以下的处理表面的铜箔,在铜箔的表面形成光阻图案,对铜箔实施电解铜镀层,将光阻图案剥离而形成配线图案,对铜箔进行配线图案的外观影像检查。依本发明时,可提供一种印刷电路板的制造方法,在印刷电路板的制造中于叠合配线层的形成前,可高精度地进行针对形成于铜箔上的配线图案的外观影像检查,借此可显着地提升印刷电路板的生产性。

    粗糙化處理銅箔、貼銅層積板及印刷電路板
    3.
    发明专利
    粗糙化處理銅箔、貼銅層積板及印刷電路板 审中-公开
    粗糙化处理铜箔、贴铜层积板及印刷电路板

    公开(公告)号:TW201718948A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:TW105120194

    申请日:2016-06-27

    摘要: 提供在貼銅層積板的加工乃至於印刷電路板的製造,可以兼顧細微電路形成性(特別是電路直線性)、以及與樹脂之密接性之粗糙化處理銅箔。本發明之粗糙化處理銅箔,於至少一方之側具有粗糙化處理面,前述粗糙化處理面,依據國際標準ISO25178測定的算術平均高度Sa(μm)與山部的頂點密度Spd(個/mm2)之積亦即Sa×Spd為250000μm/mm2以上,而且依據日本工業標準JIS B0601-2001測定的算術平均起伏Wa為0.030~0.060μm。

    简体摘要: 提供在贴铜层积板的加工乃至于印刷电路板的制造,可以兼顾细微电路形成性(特别是电路直线性)、以及与树脂之密接性之粗糙化处理铜箔。本发明之粗糙化处理铜箔,于至少一方之侧具有粗糙化处理面,前述粗糙化处理面,依据国际标准ISO25178测定的算术平均高度Sa(μm)与山部的顶点密度Spd(个/mm2)之积亦即Sa×Spd为250000μm/mm2以上,而且依据日本工业标准JIS B0601-2001测定的算术平均起伏Wa为0.030~0.060μm。

    帶載體超薄銅箔,及其製造方法,銅張積層板及印刷配線板
    7.
    发明专利
    帶載體超薄銅箔,及其製造方法,銅張積層板及印刷配線板 审中-公开
    带载体超薄铜箔,及其制造方法,铜张积层板及印刷配线板

    公开(公告)号:TW201710077A

    公开(公告)日:2017-03-16

    申请号:TW105107041

    申请日:2016-03-08

    IPC分类号: B32B15/00 B32B7/04 H05K1/09

    CPC分类号: B32B15/01 B32B15/08 H05K1/09

    摘要: 本發明提供一種帶載體超薄銅箔,在銅張積層板的加工以至於印刷配線板的製造中,可以達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。本發明的帶載體超薄銅箔依序具備有:載體箔、剝離層、及超薄銅箔。於超薄銅箔的剝離層側的面,其表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm,且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm。於與超薄銅箔的剝離層側相反之面,其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下。

    简体摘要: 本发明提供一种带载体超薄铜箔,在铜张积层板的加工以至于印刷配线板的制造中,可以达到兼具激光钻孔加工性及微细电路形成性的效果。本发明的带载体超薄铜箔依序具备有:载体箔、剥离层、及超薄铜箔。于超薄铜箔的剥离层侧的面,其表面峰值间的平均距离(Peak Spacing)为2.5~20.0μm,且其内核粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5~3.0μm。于与超薄铜箔的剥离层侧相反之面,其起伏的最大高低差Wmax为4.0μm以下。