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公开(公告)号：TW201806183A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106139186
申请日：2011-02-01
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 吳俊毅 , WU,CHUN-YI
摘要： 一光電半導體元件，包括：一基板；一第一窗口層形成於所述之基板，具有第一片電阻值，第一厚度及第一雜質濃度；一第二窗口層，具有第二片電阻值，第二厚度及第二雜質濃度； 一半導體系統形成於所述之第一窗口層及所述之第二窗口層之間； 其中所述之第二窗口層和所述之半導體系統為不同的半導體材料；所述之第二片電阻值低於所述之第一片電阻值。
简体摘要： 一光电半导体组件，包括：一基板；一第一窗口层形成于所述之基板，具有第一片电阻值，第一厚度及第一杂质浓度；一第二窗口层，具有第二片电阻值，第二厚度及第二杂质浓度； 一半导体系统形成于所述之第一窗口层及所述之第二窗口层之间； 其中所述之第二窗口层和所述之半导体系统为不同的半导体材料；所述之第二片电阻值低于所述之第一片电阻值。
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公开(公告)号：TWI609505B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW106106031
申请日：2011-02-01
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 吳俊毅 , WU,CHUN-YI
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公开(公告)号：TWI580068B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104136135
申请日：2011-02-01
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 吳俊毅 , WU,CHUN-YI
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公开(公告)号：TWI578567B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105102279
申请日：2011-08-04
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 陳世益 , CHEN,SHIH-I , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH , 巫漢敏 , WU,HAN-MIN , 許晏銘 , HSU,YE-MING , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 陳昭興 , CHEN,CHAO-HSING , 姚久琳 , YAO,CHIU-LIN , 劉欣茂 , LIU,HSIN-MAO , 鍾健凱 , CHUNG,CHIEN-KAI
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/08 , H01L33/10 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/483 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201642328A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105124181
申请日：2013-07-29
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 呂志強 , LU,CHIH-CHIANG , 林俊宇 , LIN,CHUN-YU , 陳怡名 , CHEN,YI-MING , 林敬倍 , LIN,CHING-PEI , 簡崇訓 , CHIEN,CHUNG-HSUN , 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 顧浩民 , KU,HAO-MIN , 謝明勳 , HSIEH,MIN-HSUN , 徐子傑 , HSU,TZU-CHIEH
IPC分类号： H01L21/30
摘要： 一半導體裝置，包含一基板具有一第一表面； 一半導體元件位於該第一表面上；以及一黏結結構位於該第一表面與該半導體元件之間，與該半導體元件以及該基板直接接觸；其中，該黏結結構包含一黏結層以及一犧牲層，該黏結層與該犧牲層的材質相異。
简体摘要： 一半导体设备，包含一基板具有一第一表面； 一半导体组件位于该第一表面上；以及一黏结结构位于该第一表面与该半导体组件之间，与该半导体组件以及该基板直接接触；其中，该黏结结构包含一黏结层以及一牺牲层，该黏结层与该牺牲层的材质相异。
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公开(公告)号：TWI539622B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW100131891
申请日：2011-09-02
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 鍾健凱 , CHUNG, CHIEN KAI , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 姚久琳 , YAO, CHIU LIN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI536604B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101130205
申请日：2012-08-20
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 李榮仁 , LEE, RONG REN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 李世昌 , LEE, SHIH CHANG , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林宣樂 , LIN, SHIUAN LEH
IPC分类号： H01L33/04
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公开(公告)号：TWI535070B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101150407
申请日：2012-12-26
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 陳世益 , CHEN, SHIH I , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 陳威佑 , CHEN, WEI YO , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 韓政男 , HAN, CHENG NAN , 王盷揚 , WANG, TIEN YANG , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 陳宗熙 , CHEN, ZONG XI , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 彭鈺仁 , PENG, YU REN
CPC分类号： H01L33/502 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI532161B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103125629
申请日：2011-09-13
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 沈建賦 , SHEN, CHIEN FU , 陳昭興 , CHEN, CHAO HSING , 柯淙凱 , KO, TSUN KAI , 洪詳竣 , HON, SCHANG JING , 許生杰 , HSU, SHENG JIE , 郭得山 , KUO, DE SHAN , 王心盈 , WANG, HSIN YING , 姚久琳 , YAO, CHIU LIN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 鍾健凱 , CHUN, CHIEN KAI
IPC分类号： H01L27/15 , H01L25/075
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201611323A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104142599
申请日：2013-07-05
申请人： 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人： 黃建富 , HUANG,CHIEN-FU , 詹燿寧 , CHAN,YAO-NING , 徐子傑 , HSU,TZU CHIEH , 陳怡名 , CHEN,YI MING , 邱新智 , CHIU,HSIN-CHIH , 呂志強 , LU,CHIH-CHIANG , 許嘉良 , HSU,CHIA-LIANG , 張峻賢 , CHANG,CHUN-HSIEN
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 一種發光元件之製造方法，包括：提供一第一基板及複數個半導體疊層塊於該第一基板上，其中該第一基板上更包括一分隔道分隔兩相鄰之半導體疊層塊且該分隔道具有一寬度小於10μm；實行一第一分離步驟，包括：提供一第二基板，包括一第一電極；實行一第一接合步驟，包括對位接合該複數之半導體疊層塊中之一第一半導體疊層塊與該第二基板，以使該第一半導體疊層塊與該第一電極對位連接並形成電性連接；以及分離該第一半導體疊層塊與該第一基板，且該第一基板存留有該複數之半導體疊層塊中之一第二半導體疊層塊。
简体摘要： 一种发光组件之制造方法，包括：提供一第一基板及复数个半导体叠层块于该第一基板上，其中该第一基板上更包括一分隔道分隔两相邻之半导体叠层块且该分隔道具有一宽度小于10μm；实行一第一分离步骤，包括：提供一第二基板，包括一第一电极；实行一第一接合步骤，包括对位接合该复数之半导体叠层块中之一第一半导体叠层块与该第二基板，以使该第一半导体叠层块与该第一电极对位连接并形成电性连接；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该复数之半导体叠层块中之一第二半导体叠层块。
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