光電半導體裝置
    8.
    发明专利
    光電半導體裝置 审中-公开
    光电半导体设备

    公开(公告)号:TW201351680A

    公开(公告)日:2013-12-16

    申请号:TW102122331

    申请日:2008-09-18

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 依據本發明一實施例之一種光電半導體裝置,包括一能量轉換系統,用以進行光能與電能間之轉換,此能量轉換系統具有一第一側;一接觸層,係形成於能量轉換系統之第一側,並包括一外邊界及至少一歐姆接觸區,其中歐姆接觸區與能量轉換系統間可形成歐姆接觸;及二或多個不連續區,係與接觸層相整合而形成至少一圖案於能量轉換系統之上。

    简体摘要: 依据本发明一实施例之一种光电半导体设备,包括一能量转换系统,用以进行光能与电能间之转换,此能量转换系统具有一第一侧;一接触层,系形成于能量转换系统之第一侧,并包括一外边界及至少一欧姆接触区,其中欧姆接触区与能量转换系统间可形成欧姆接触;及二或多个不连续区,系与接触层相集成而形成至少一图案于能量转换系统之上。