公开(公告)号：TW200520031A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：TW093126527

申请日：2004-09-02

Applicant: 歐提比集團有限公司 OTB GROUP BV

Inventor： 保羅 林德勞夫 LINDELAUF, PAUL AUGUST MARIE ,  馬里納 艾維斯 EVERS, MARINUS FRANCISCUS JOHANUS

IPC: H01L

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/568

Abstract: 一種處理基材的系統，設有至少一處理室(1)，用以藉由一真空步驟來處理至少一基材(5)，其中該處理室(1)設有一基材出入口(13)，可藉由一閉合本體(15)進行關閉，其中該系統設有一運送裝置(8)，係至少配置用以移動該閉合本體(15)，其中該運送裝置(8)係配置用以運送一遮罩(4)，用以在該真空步驟期間至少在處理室(1)外側的一位置與處理室(1)內側的一位置之間，至少局部覆蓋該基材(5)。其優點在於至少該基材固持器(2)設有定位機構(50)，用以使基材固持器(2)與遮罩(4)彼此之間產生相對定位。本發明進一步提供此系統的使用。

Abstract in simplified Chinese: 一种处理基材的系统，设有至少一处理室(1)，用以借由一真空步骤来处理至少一基材(5)，其中该处理室(1)设有一基材出入口(13)，可借由一闭合本体(15)进行关闭，其中该系统设有一运送设备(8)，系至少配置用以移动该闭合本体(15)，其中该运送设备(8)系配置用以运送一遮罩(4)，用以在该真空步骤期间至少在处理室(1)外侧的一位置与处理室(1)内侧的一位置之间，至少局部覆盖该基材(5)。其优点在于至少该基材固持器(2)设有定位机构(50)，用以使基材固持器(2)与遮罩(4)彼此之间产生相对定位。本发明进一步提供此系统的使用。

公开(公告)号：TW200517515A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：TW093125785

申请日：2004-08-27

Applicant: 安內華股份有限公司 ANELVA CORPORATION

Inventor： 石原雅仁 ISHIHARA, MASAHITO

IPC: C23C

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C14/564

Abstract: 本申請案揭露一種薄膜沈積裝置，包含一真空室及一隔板將該真空室的內部分成二個區域。一基材能夠通過一設在該隔板上的內孔。該內孔會被一閥所封閉。一薄膜會被沈積在第一區域中的基材上。該基材被沈積之前會在第二區域中被一加熱器所加熱。該基材在加熱時會被一固持件呈點接觸來撐持。當加熱時一加壓氣體會被注入第二區域中，而將壓力升高至一黏流範圍。一泵抽管線會在所有操作時間內將第一區域抽空成真空壓力。當該閥開啟時，該泵抽管線亦會從第二區域中抽空注入的加壓氣體，而使該第二區域呈真空壓力。

Abstract in simplified Chinese: 本申请案揭露一种薄膜沉积设备，包含一真空室及一隔板将该真空室的内部分成二个区域。一基材能够通过一设在该隔板上的内孔。该内孔会被一阀所封闭。一薄膜会被沉积在第一区域中的基材上。该基材被沉积之前会在第二区域中被一加热器所加热。该基材在加热时会被一固持件呈点接触来撑持。当加热时一加压气体会被注入第二区域中，而将压力升高至一黏流范围。一泵抽管线会在所有操作时间内将第一区域抽空成真空压力。当该阀打开时，该泵抽管线亦会从第二区域中抽空注入的加压气体，而使该第二区域呈真空压力。

公开(公告)号：TW200510565A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：TW093115057

申请日：2004-05-27

Applicant: 新柯隆股份有限公司 SHINCRON CO., LTD.

Inventor： 宋亦周 SONG, YIZHOU ,  櫻井武 SAKURAI, TAKESHI ,  村田尊則 MURATA, TAKANORI

IPC: C23C

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/352 ,  C23C14/358 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5853 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

Abstract: 本發明之薄膜形成裝置(1)係具備：內部維持真空之真空容器(11)、將反應性氣體導入該真空容器(11)內之氣體導入機構(76)、以及在真空容器(11)內產生反應性氣體的電漿之電漿產生機構(61)，且在該真空容器(11)內之壁而被覆熱解氮化硼(P)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之薄膜形成设备(1)系具备：内部维持真空之真空容器(11)、将反应性气体导入该真空容器(11)内之气体导入机构(76)、以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子之等离子产生机构(61)，且在该真空容器(11)内之壁而被覆热解氮化硼(P)。

公开(公告)号：TW200502415A

公开(公告)日：2005-01-16

申请号：TW093117384

申请日：2004-06-16

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 田淳一郎 SAKATA, JUNICHIRO

IPC: C23C ,  H05B

CPC classification number: H01L21/6715 ,  C23C14/243 ,  C23C14/50 ,  C23C14/564 ,  C23C14/568

Abstract: 本發明的目的是提供一種蒸氣沉積裝置，該裝置藉由提高EL材料的利用效率而減少製造成本，並在形成EL層的產量或均勻性上是優越的。本發明並且提供一種蒸氣沉積方法。本發明的特徵是在蒸氣沉積室內，使安裝了儲藏蒸發材料的容器的蒸發源托架104a、105a相對於基底101，只向一個方向(例如Z軸方向)以一定速度移動(或來回移動)，而且，在和蒸發源托架的移動方向直交的方向(例如X軸方向)上以一定間隔搬運基底。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的是提供一种蒸气沉积设备，该设备借由提高EL材料的利用效率而减少制造成本，并在形成EL层的产量或均匀性上是优越的。本发明并且提供一种蒸气沉积方法。本发明的特征是在蒸气沉积室内，使安装了储藏蒸发材料的容器的蒸发源托架104a、105a相对于基底101，只向一个方向(例如Z轴方向)以一定速度移动(或来回移动)，而且，在和蒸发源托架的移动方向直交的方向(例如X轴方向)上以一定间隔搬运基底。

公开(公告)号：TW593729B

公开(公告)日：2004-06-21

申请号：TW091102773

申请日：2002-02-19

Applicant: 新明和工業股份有限公司 SHINMAYWA INDUSTRIES, LTD.

Inventor： 渡部 尚 ,  近藤 隆彥 ,  山川 健司

IPC: C23C

CPC classification number: C23C14/568 ,  C23C14/30

Abstract: 本發明之課題在於，在形成多層膜之薄膜之時，能以比較短之時間來完成全部之層體之成膜。
在解決手段方面，係透過朝向配置在真空室內之基板而蒸發膜原料之主加熱製程 R2、R4以及對於膜原料進行預備加熱之預備加熱製程R1、R3，進行使用電子槍來加熱膜原料之二層以上之多層膜之成膜。
再者，在藉由複數座之電子槍之其中一者實行用以形成某一膜之主加熱製程R2之間，藉由其他之電子槍，而實行用以形成其他膜之預備加熱製程R3。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于，在形成多层膜之薄膜之时，能以比较短之时间来完成全部之层体之成膜。 在解决手段方面，系透过朝向配置在真空室内之基板而蒸发膜原料之主加热制程 R2、R4以及对于膜原料进行预备加热之预备加热制程R1、R3，进行使用电子枪来加热膜原料之二层以上之多层膜之成膜。 再者，在借由复数座之电子枪之其中一者实行用以形成某一膜之主加热制程R2之间，借由其他之电子枪，而实行用以形成其他膜之预备加热制程R3。

公开(公告)号：TW200402768A

公开(公告)日：2004-02-16

申请号：TW092119575

申请日：2003-07-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 YAMAZAKI, SHUNPEI ,  村上雅一 MURAKAMI, MASAKAZU

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C14/042 ,  C23C14/243 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67745 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 本發明提供一種蒸發設備和蒸發方法，該蒸發設備是一種膜形成裝置，並提供EL層膜厚的優異均勻性、優異生產率和EL材料的提高的利用效率。本發明的特徵在於在蒸發期間其中設置封閉蒸發材料的容器的蒸發源固定器可以一定間距相對於基底移動。此外，膜厚監視器與用於移動之蒸發源固定器結合在一起。此外，藉由根據由膜厚監視器檢測的值調整蒸發源固定器的移動速度，可以使膜厚均勻。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种蒸发设备和蒸发方法，该蒸发设备是一种膜形成设备，并提供EL层膜厚的优异均匀性、优异生产率和EL材料的提高的利用效率。本发明的特征在于在蒸发期间其中设置封闭蒸发材料的容器的蒸发源固定器可以一定间距相对于基底移动。此外，膜厚监视器与用于移动之蒸发源固定器结合在一起。此外，借由根据由膜厚监视器检测的值调整蒸发源固定器的移动速度，可以使膜厚均匀。

公开(公告)号：TW550653B

公开(公告)日：2003-09-01

申请号：TW091121938

申请日：2000-12-12

Applicant: 應用材料股份有限公司

Inventor： 栗田伸一 ,  溫德T 白隆尼根 ,  保阪明弘

IPC: B65G ,  C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/68742 ,  B65G49/068 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  C23C14/566 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748

Abstract: 一種實施例關係於一負載室，該負載室具有第一支撐結構於其中，以支撐一未處理基材及一第二支撐結構於其中，以支撐一已處理基材。該第一支撐結構係定位於第二支撐結構上。該負載室包含一電梯，以控制諸支撐結構之垂直位置。該負載室同時包含第一孔徑，以允許一未處理基材插入該負載室及由該負載室移開已處理基材，及一第二孔徑，以允許未處理基材由負載室移開及已處理基材插入負載室中。一冷卻板同時包含於該負載室內。冷卻板包含一表面，其係適用以支撐一已處理基材於其上。一加熱裝置可以位於負載室中於第一支撐結構上。

Abstract in simplified Chinese: 一种实施例关系于一负载室，该负载室具有第一支撑结构于其中，以支撑一未处理基材及一第二支撑结构于其中，以支撑一已处理基材。该第一支撑结构系定位于第二支撑结构上。该负载室包含一电梯，以控制诸支撑结构之垂直位置。该负载室同时包含第一孔径，以允许一未处理基材插入该负载室及由该负载室移开已处理基材，及一第二孔径，以允许未处理基材由负载室移开及已处理基材插入负载室中。一冷却板同时包含于该负载室内。冷却板包含一表面，其系适用以支撑一已处理基材于其上。一加热设备可以位于负载室中于第一支撑结构上。

公开(公告)号：TW518640B

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：TW089126505

申请日：2000-12-12

Applicant: 應用材料股份有限公司

Inventor： 栗田伸一 ,  溫德T 白隆尼根 ,  保阪明弘

IPC: B65G ,  C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/68742 ,  B65G49/068 ,  B65G2249/02 ,  B65G2249/04 ,  C23C14/566 ,  C23C14/568 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748

Abstract: 一種實施例關係於一負載室，該負載室具有一第一支撐結構於其中以支撐一未處理基材，及一第二支撐結構於其中以支撐一已處理基材。該第一支撐結構係定位於第二支撐結構上。該負載室包含一電梯，以控制諸支撐結構之垂直位置。該負載室同時包含第一孔徑，以允許一未處理基材插入該負載室及由該負載室移開已處理基材，及一第二孔徑，以允許未處理基材由負載室移開及已處理基材插入負載室中。一冷卻板同時包含於該負載室內。冷卻板包含一表面，其係適用以支撐一已處理基材於其上。一加熱裝置可以位於負載室中於第一支撐結構上。

Abstract in simplified Chinese: 一种实施例关系于一负载室，该负载室具有一第一支撑结构于其中以支撑一未处理基材，及一第二支撑结构于其中以支撑一已处理基材。该第一支撑结构系定位于第二支撑结构上。该负载室包含一电梯，以控制诸支撑结构之垂直位置。该负载室同时包含第一孔径，以允许一未处理基材插入该负载室及由该负载室移开已处理基材，及一第二孔径，以允许未处理基材由负载室移开及已处理基材插入负载室中。一冷却板同时包含于该负载室内。冷却板包含一表面，其系适用以支撑一已处理基材于其上。一加热设备可以位于负载室中于第一支撑结构上。

公开(公告)号：TW498387B

公开(公告)日：2002-08-11

申请号：TW088113131

申请日：1999-08-23

Applicant: 藍伯德系統股份有限公司

Inventor： 曼佛瑞德舒馬契爾 ,  安德瑞斯梭爾 ,  卡特加葛魯恩曼

IPC: H01J

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/568

Abstract: 一種裝置藉由陰極濺鍍而塗佈板形基片(26)其具有一個接一個的多個製程室(1)。其朝上經由一具有一洞口(4)之天花板(3)而被限制。
在此洞(4)中，其向上由一陰極配置(6)所覆蓋裝設一支架(10)。
此製程室(1)的光圈(17,27,28,29)與冷凍劑管線(16)是設置於支架(10)之上，其在製程室(1)內突出，可向上朝外由洞口(4)取出。此支架本身是在天花板(3)之洞口(4)之內部支撐。
陰極配置(6)的蓋子(5)突出的支架之側，並可直接支撐於天花板(3)而密封。
第5圖

Abstract in simplified Chinese: 一种设备借由阴极溅镀而涂布板形基片(26)其具有一个接一个的多个制程室(1)。其朝上经由一具有一洞口(4)之天花板(3)而被限制。 在此洞(4)中，其向上由一阴极配置(6)所覆盖装设一支架(10)。 此制程室(1)的光圈(17,27,28,29)与冷冻剂管线(16)是设置于支架(10)之上，其在制程室(1)内突出，可向上朝外由洞口(4)取出。此支架本身是在天花板(3)之洞口(4)之内部支撑。 阴极配置(6)的盖子(5)突出的支架之侧，并可直接支撑于天花板(3)而密封。 第5图

公开(公告)号：TW469490B

公开(公告)日：2001-12-21

申请号：TW089122934

申请日：2000-10-31

Applicant: 應用材料股份有限公司

Inventor： 艾菲 坦曼

IPC: B65G ,  C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/67161 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/6776

Abstract: 本發明大致提供一用以處理基材之系統，具有一載台主要安置於至少一處理室及至少一梭台，用以傳送基材於處理室及真空隔絕室間。多數處理室，真空隔絕室，及其他室可以結合在一起，以創造一連串之模組化室，基材可以經由這些模組化室加以處理。較佳地，載台係只曝露於處理環境中，即載台並未往返入非處理室中。因此，於基材之連續依序處理時，載台之熱循環也被降低。載台沿著一軌跡可逆地移動於處理室內。由隔間分離之多處理區域允許多數處理機制發生於相同處理室內。

Abstract in simplified Chinese: 本发明大致提供一用以处理基材之系统，具有一载台主要安置于至少一处理室及至少一梭台，用以发送基材于处理室及真空隔绝室间。多数处理室，真空隔绝室，及其他室可以结合在一起，以创造一连串之模块化室，基材可以经由这些模块化室加以处理。较佳地，载台系只曝露于处理环境中，即载台并未往返入非处理室中。因此，于基材之连续依序处理时，载台之热循环也被降低。载台沿着一轨迹可逆地移动于处理室内。由隔间分离之多处理区域允许多数处理机制发生于相同处理室内。