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公开(公告)号：TWI588941B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105104134
申请日：2011-08-02
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: H01L21/82 , G06F17/50 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H03K3/012 , G11C5/147 , G11C8/04 , H01L21/823412 , H01L21/8258 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H03K3/0372 , H03K3/0375 , H03K19/0008
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公开(公告)号：TW201719612A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105138878
申请日：2010-09-15
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 梅崎敦司 , UMEZAKI, ATSUSHI
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2310/0251 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2330/021 , G11C19/00 , H01L27/0207 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K17/687 , H03K19/0013 , H03K19/018557 , H03K19/018571
Abstract: 可以使被輸入到位準偏移的信號的振幅電壓增大並由位準偏移電路輸出。明確而言，可以使被輸入到位準偏移的信號的振幅電壓升高並輸出。由此，可以使電路(移位暫存器電路、解碼器電路等)的振幅電壓減小，該電路輸出被輸入到位準偏移的信號。由此，可以使該電路的功耗減小。或者，可以使對構成該電路的電晶體施加的電壓減小。由此，可以抑制該電晶體的劣化或損壞。
Abstract in simplified Chinese: 可以使被输入到位准偏移的信号的振幅电压增大并由位准偏移电路输出。明确而言，可以使被输入到位准偏移的信号的振幅电压升高并输出。由此，可以使电路(移位寄存器电路、译码器电路等)的振幅电压减小，该电路输出被输入到位准偏移的信号。由此，可以使该电路的功耗减小。或者，可以使对构成该电路的晶体管施加的电压减小。由此，可以抑制该晶体管的劣化或损坏。
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公开(公告)号：TWI572964B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104132543
申请日：2010-12-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 平形吉晴 , HIRAKATA, YOSHIHARU
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1335 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/13624 , G09G3/3406 , G09G3/3659 , G09G2300/0443 , G09G2300/0456 , G09G2310/0281 , G09G2310/061 , G09G2310/08 , G09G2320/103 , G09G2340/0435 , G09G2360/144
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公开(公告)号：TWI570701B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW105117621
申请日：2010-12-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3618 , G02F1/1345 , G06F3/0416 , G06F3/0421 , G06F3/044 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/04 , G09G2310/061 , G09G2310/08 , G09G2320/0209 , G09G2320/0219 , G09G2320/10 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2340/0435 , G09G2340/16 , G09G2354/00
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公开(公告)号：TW201704833A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105130622
申请日：2010-12-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 平形吉晴 , HIRAKATA, YOSHIHARU
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1335 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/13624 , G09G3/3406 , G09G3/3659 , G09G2300/0443 , G09G2300/0456 , G09G2310/0281 , G09G2310/061 , G09G2310/08 , G09G2320/103 , G09G2340/0435 , G09G2360/144
Abstract: 本發明之目的在於提供一種在液晶顯示裝置的周圍昏暗的環境下也可以良好地認識顯示影像的液晶顯示裝置。此外，本發明的另一目的在於提供一種可以利用將外部光用作照明光源的反射模式和使用背光的透射模式的兩個模式進行影像顯示的液晶顯示裝置。設置多個一對反射經過液晶層入射的光的像素和具有透光性的像素，來實現利用將外部光用作照明光源的反射模式和使用背光的透射模式的兩種模式進行影像顯示，即可。此外，將反射光的像素和具有透光性的像素分別連接到獨立的信號線驅動電路，即可。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种在液晶显示设备的周围昏暗的环境下也可以良好地认识显示影像的液晶显示设备。此外，本发明的另一目的在于提供一种可以利用将外部光用作照明光源的反射模式和使用背光的透射模式的两个模式进行影像显示的液晶显示设备。设置多个一对反射经过液晶层入射的光的像素和具有透光性的像素，来实现利用将外部光用作照明光源的反射模式和使用背光的透射模式的两种模式进行影像显示，即可。此外，将反射光的像素和具有透光性的像素分别连接到独立的信号线驱动电路，即可。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI566244B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW100126590
申请日：2011-07-27
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: G11C11/405
CPC classification number: H01L27/1207 , G11C11/401 , G11C11/405 , G11C16/02 , G11C29/50 , H01L27/108 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L28/91
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公开(公告)号：TWI562289B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101118193
申请日：2012-05-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H03K19/173 , G06F1/3243 , G06F3/0679 , H03K19/17772 , Y02D10/152
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公开(公告)号：TWI562115B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW105110303
申请日：2010-10-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 津吹將志 , TSUBUKU, MASASHI , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC: G09G3/20 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1255 , G09G3/20 , G09G3/2092 , G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G3/36 , G09G3/3648 , G09G2300/0439 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G09G2310/08 , G11C19/184 , G11C19/28 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K17/161 , H03K19/00315 , H03K19/096
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公开(公告)号：TW201640648A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105124149
申请日：2011-01-12
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: H01L27/04 , H03K17/687 , H03K17/082
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/78645 , H03K17/0822
Abstract: 半導體裝置包含：功率元件，當電壓並未被施加至閘極時，其係在導通狀態中；開關場效應電晶體，用以施加第一電壓至功率元件的閘極；及開關場效應電晶體，用以施加低於第一電壓之電壓至功率元件的閘極。開關場效應電晶體具有小的截止狀態電流。
Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包含：功率组件，当电压并未被施加至闸极时，其系在导通状态中；开关场效应晶体管，用以施加第一电压至功率组件的闸极；及开关场效应晶体管，用以施加低于第一电压之电压至功率组件的闸极。开关场效应晶体管具有小的截止状态电流。
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公开(公告)号：TWI556576B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW100101094
申请日：2011-01-12
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: H03K17/687 , H03K17/082 , H01L27/04
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/1033 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/78645 , H03K17/0822
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