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    製造工件的方法、植入工件的方法以及離子植入器 METHOD TO MANUFACTURE WORKPIECE, METHOD TO IMPLANT WORKPIECE, AND ION IMPLANTER
    61.
    发明专利
    製造工件的方法、植入工件的方法以及離子植入器 METHOD TO MANUFACTURE WORKPIECE, METHOD TO IMPLANT WORKPIECE, AND ION IMPLANTER 审中-公开
    制造工件的方法、植入工件的方法以及离子植入器 METHOD TO MANUFACTURE WORKPIECE, METHOD TO IMPLANT WORKPIECE, AND ION IMPLANTER

    公开(公告)号：TW201246302A

    公开(公告)日：2012-11-16

    申请号：TW101102896

    申请日：2012-01-30

    申请人： 瓦里安半導體設備公司

    发明人： 利茲 賈斯汀M

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/042 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/266 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

    摘要： 引導第一物種穿過具有第一孔徑的第一罩幕與具有第二孔徑的第二罩幕。第一孔徑與第二孔徑可為不同形狀或有不同間隔。第一物種可經圖案化植入，以界定由植入區所包圍的非植入區。這些植入區為穿過前述第一孔徑與前述第二孔徑而植入的前述第一離子物種之總合。因此，由植入區域所包圍之非植入區域是使用第一罩幕與第二罩幕來形成。第一物種也可沉積於工件之上或蝕刻工件。

    简体摘要： 引导第一物种穿过具有第一孔径的第一罩幕与具有第二孔径的第二罩幕。第一孔径与第二孔径可为不同形状或有不同间隔。第一物种可经图案化植入，以界定由植入区所包围的非植入区。这些植入区为穿过前述第一孔径与前述第二孔径而植入的前述第一离子物种之总合。因此，由植入区域所包围之非植入区域是使用第一罩幕与第二罩幕来形成。第一物种也可沉积于工件之上或蚀刻工件。

    使用Ｌ形間隔部之非對稱場效電晶體的製造和結構 FABRICATION AND STRUCTURE OF ASYMMETRIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS USING L-SHAPED SPACERS
    63.
    发明专利
    使用Ｌ形間隔部之非對稱場效電晶體的製造和結構 FABRICATION AND STRUCTURE OF ASYMMETRIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS USING L-SHAPED SPACERS 审中-公开
    使用Ｌ形间隔部之非对称场效应管的制造和结构 FABRICATION AND STRUCTURE OF ASYMMETRIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS USING L-SHAPED SPACERS

    公开(公告)号：TW201104760A

    公开(公告)日：2011-02-01

    申请号：TW099108622

    申请日：2010-03-24

    申请人： 國家半導體公司

    发明人： 帕克 D 寇尼 ,  艾雀爾 唐諾M ,  巴爾 山蒂普R ,  布魯西亞 康史坦丁 ,  法蘭奇 威廉D ,  強生 彼得B ,  楊正君

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

    摘要： 本發明提供一種非對稱場效電晶體(102)的製造，其必須在一半導體主體之主體材料的一通道區帶部分(284)上方定義一閘極電極(302)且藉由一閘極介電層(300)與該通道區帶部分垂直隔開。半導體摻雜物會使用該閘極電極作為摻雜物阻隔擋板被引入該主體材料中，用以定義一較重度摻雜的袋部(290)。一間隔部(304T)會被設置在該閘極電極中。該間隔部包含(i)位於該閘極電極中的一介電部分，(ii)位於該半導體主體中的一介電部分，及(iii)一填充部分(SC)，其大部分會佔據該等另外兩個間隔部部分之間的空間。半導體摻雜物會使用該閘極電極與該間隔部作為摻雜物阻隔擋板而被引入該半導體主體中，用以定義一對主要源極/汲極部(280M與282M)。該填充間隔部部分會被移除，以便將該間隔部轉換成一L形狀(304)。一對電氣接點(310與312)會被形成，用以分別連接至該等主要源極/汲極部。

    简体摘要： 本发明提供一种非对称场效应管(102)的制造，其必须在一半导体主体之主体材料的一信道区带部分(284)上方定义一闸极电极(302)且借由一闸极介电层(300)与该信道区带部分垂直隔开。半导体掺杂物会使用该闸极电极作为掺杂物阻隔挡板被引入该主体材料中，用以定义一较重度掺杂的袋部(290)。一间隔部(304T)会被设置在该闸极电极中。该间隔部包含(i)位于该闸极电极中的一介电部分，(ii)位于该半导体主体中的一介电部分，及(iii)一填充部分(SC)，其大部分会占据该等另外两个间隔部部分之间的空间。半导体掺杂物会使用该闸极电极与该间隔部作为掺杂物阻隔挡板而被引入该半导体主体中，用以定义一对主要源极/汲极部(280M与282M)。该填充间隔部部分会被移除，以便将该间隔部转换成一L形状(304)。一对电气接点(310与312)会被形成，用以分别连接至该等主要源极/汲极部。

    在應變薄膜上植入有冷及／或分子碳之昇起式源極／汲極的形成方法 FORMATION OF RAISED SOURCE/DRAIN ON A STRAINED THIN FILM IMPLANTED WITH COLD AND/OR MOLECULAR CARBON
    64.
    发明专利
    在應變薄膜上植入有冷及／或分子碳之昇起式源極／汲極的形成方法 FORMATION OF RAISED SOURCE/DRAIN ON A STRAINED THIN FILM IMPLANTED WITH COLD AND/OR MOLECULAR CARBON 审中-公开
    在应变薄膜上植入有冷及／或分子碳之升起式源极／汲极的形成方法 FORMATION OF RAISED SOURCE/DRAIN ON A STRAINED THIN FILM IMPLANTED WITH COLD AND/OR MOLECULAR CARBON

    公开(公告)号：TW201044469A

    公开(公告)日：2010-12-16

    申请号：TW099113696

    申请日：2010-04-29

    申请人： 瓦里安半導體設備公司

    发明人： 漢特曼 克里斯多夫R ,  梅納德 海倫L ,  瑞曼帕 迪帕克

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/7848

    摘要： 揭露一種用於增强半導體結構之通道區中之張應力的方法。所述方法包含執行一或多個冷碳或分子碳離子植入步驟,以在所述半導體結構內植入碳離子,從而在通道區之任一側形成應力層。接著在所述應變層上方形成昇起式源極/汲極區,且使用隨後的離子植入步驟來摻雜所述昇起式源極/汲極區。毫秒退火步驟激活應變層及昇起式源極/汲極區。應變層增强半導體結構之通道區內的載流子遷移率,同時所述昇起式源極/汲極區使所述應變層中因隨後摻雜劑離子在所述昇起式源極/汲極區中之植入而導致的應變減至最小。

    简体摘要： 揭露一种用于增强半导体结构之信道区中之张应力的方法。所述方法包含运行一或多个冷碳或分子碳离子植入步骤,以在所述半导体结构内植入碳离子,从而在信道区之任一侧形成应力层。接着在所述应变层上方形成升起式源极/汲极区,且使用随后的离子植入步骤来掺杂所述升起式源极/汲极区。毫秒退火步骤激活应变层及升起式源极/汲极区。应变层增强半导体结构之信道区内的载流子迁移率,同时所述升起式源极/汲极区使所述应变层中因随后掺杂剂离子在所述升起式源极/汲极区中之植入而导致的应变减至最小。

    分子離子之離子植入技術 TECHNIQUES FOR ION IMPLANTATION OF MOLECULAR IONS
    65.
    发明专利
    分子離子之離子植入技術 TECHNIQUES FOR ION IMPLANTATION OF MOLECULAR IONS 审中-公开
    分子离子之离子植入技术 TECHNIQUES FOR ION IMPLANTATION OF MOLECULAR IONS

    公开(公告)号：TW201025405A

    公开(公告)日：2010-07-01

    申请号：TW098133990

    申请日：2009-10-07

    申请人： 瓦里安半導體設備公司

    发明人： 漢特曼 克里斯多夫R ,  羅蘭德 克里斯多福A

    IPC分类号： H01J ,  H01L

    CPC分类号： C23C14/48 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

    摘要： 揭露分子離子之離子植入技術。在一特定實施例中,此離子植入技術可實現為一種離子植入裝置,其包括離子植入機,用來在預定的溫度下將分子離子植入到目標材料中,以加强此目標材料的應力與非晶化至少其中之一,其中分子離子是在離子源內原位產生的。

    简体摘要： 揭露分子离子之离子植入技术。在一特定实施例中,此离子植入技术可实现为一种离子植入设备,其包括离子植入机,用来在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中,以加强此目标材料的应力与非晶化至少其中之一,其中分子离子是在离子源内原位产生的。

    植入製程的熱模組 THERMAL MODULATION OF IMPLANT PROCESS
    66.
    发明专利
    植入製程的熱模組 THERMAL MODULATION OF IMPLANT PROCESS 审中-公开
    植入制程的热模块 THERMAL MODULATION OF IMPLANT PROCESS

    公开(公告)号：TW201019378A

    公开(公告)日：2010-05-16

    申请号：TW098133394

    申请日：2009-10-01

    申请人： 瓦里安半導體設備公司

    发明人： 瑞曼帕 迪帕克

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/324

    摘要： 一種離子植入的方法，其包括在植入製程期間調整基底的溫度。此調整影響基底的特性，且可以用來將範圍末端缺陷最小化；選擇性地分離和擴散出次摻質；將非結晶區域最大化或最小化；以及改變其他半導體參數。在一特定的實施例中，使用調整溫度的離子植入的組合。在高溫下的離子植入與一般的基本處理連續使用，以及與在低溫下的離子植入連續使用。溫度調整可以在製程的開始或末端，以減輕有害的次摻質影響。

    简体摘要： 一种离子植入的方法，其包括在植入制程期间调整基底的温度。此调整影响基底的特性，且可以用来将范围末端缺陷最小化；选择性地分离和扩散出次掺质；将非结晶区域最大化或最小化；以及改变其他半导体参数。在一特定的实施例中，使用调整温度的离子植入的组合。在高温下的离子植入与一般的基本处理连续使用，以及与在低温下的离子植入连续使用。温度调整可以在制程的开始或末端，以减轻有害的次掺质影响。

    用於缺陷工程的聚集離子植入 CLUSTER ION IMPLANTATION FOR DEFECT ENGINEERING
    67.
    发明专利
    用於缺陷工程的聚集離子植入 CLUSTER ION IMPLANTATION FOR DEFECT ENGINEERING 审中-公开
    用于缺陷工程的聚集离子植入 CLUSTER ION IMPLANTATION FOR DEFECT ENGINEERING

    公开(公告)号：TW200849346A

    公开(公告)日：2008-12-16

    申请号：TW097113371

    申请日：2008-04-11

    申请人： 山米奎普公司 SEMEQUIP, INC.

    发明人： 湯馬士N 賀斯基 HORSKY, THOMAS N. ,  達爾C 傑寇森 JACOBSON, DALE C. ,  華德A 克魯 KRULL, WADE A. ,  卡魯潘安 塞卡 SEKAR, KARUPPANAN

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658

    摘要： 本發明揭示一種半導體製造方法,其中藉由由離子化分子形成之離子束的植入完成摻雜,更特定言之,揭示一種採用及不採用非摻雜物簇離子(例如一碳簇離子)之一共同植入將分子及簇摻雜物離子植入於一基板中的方法,其中將該摻雜物離子植入於藉由該共同植入建立之非晶系層,以便減少結晶結構內之缺陷,從而減小洩漏電流並改善半導體接面之效能。使用AnHx^+及AnRzHx^+形式之摻雜物離子化合物,以便最小化因離子植入造成之晶體缺陷。該等化合物包括碳簇與單體或簇摻雜物之植入的共同植入,或者僅包括植入簇摻雜物。特定言之,本文所述的本發明由植入半導體晶圓之一方法組成,其採用碳簇植入半導體晶圓,其後接著硼、磷、或砷之植入,或者接著硼、磷、或砷之摻雜物簇的植入。該等分子簇離子具有化學式AnHx^+或AnRzHx^+,其中A指定摻雜物或碳原子,n及x係整數且n大於或等於4,以及x大於或等於0,R係一分子,其包含植入時對該植入程序無
    害的原子(例如Si、Ge、F、H或C)。該等離子係從AbLzHm形式之化學化合物產生,其中該化學式Lz包含R,b可係不同於n之一整數,m可係不同於x之一整數,z係大於或等於零之一整數。

    简体摘要： 本发明揭示一种半导体制造方法,其中借由由离子化分子形成之离子束的植入完成掺杂,更特定言之,揭示一种采用及不采用非掺杂物簇离子(例如一碳簇离子)之一共同植入将分子及簇掺杂物离子植入于一基板中的方法,其中将该掺杂物离子植入于借由该共同植入创建之非晶系层,以便减少结晶结构内之缺陷,从而减小泄漏电流并改善半导体接面之性能。使用AnHx^+及AnRzHx^+形式之掺杂物离子化合物,以便最小化因离子植入造成之晶体缺陷。该等化合物包括碳簇与单体或簇掺杂物之植入的共同植入,或者仅包括植入簇掺杂物。特定言之,本文所述的本发明由植入半导体晶圆之一方法组成,其采用碳簇植入半导体晶圆,其后接着硼、磷、或砷之植入,或者接着硼、磷、或砷之掺杂物簇的植入。该等分子簇离子具有化学式AnHx^+或AnRzHx^+,其中A指定掺杂物或碳原子,n及x系整数且n大于或等于4,以及x大于或等于0,R系一分子,其包含植入时对该植入进程无 害的原子(例如Si、Ge、F、H或C)。该等离子系从AbLzHm形式之化学化合物产生,其中该化学式Lz包含R,b可系不同于n之一整数,m可系不同于x之一整数,z系大于或等于零之一整数。

    使用F2植入之窄寬PMOS中負偏壓溫度不安定性之降低 REDUCTION OF NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY IN NARROW WIDTH PMOS USING F2 IMPLANTATION
    69.
    发明专利
    使用F2植入之窄寬PMOS中負偏壓溫度不安定性之降低 REDUCTION OF NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY IN NARROW WIDTH PMOS USING F2 IMPLANTATION 有权
    使用F2植入之窄宽PMOS中负偏压温度不安定性之降低 REDUCTION OF NEGATIVE BIAS TEMPERATURE INSTABILITY IN NARROW WIDTH PMOS USING F2 IMPLANTATION

    公开(公告)号：TWI279000B

    公开(公告)日：2007-04-11

    申请号：TW092100820

    申请日：2003-01-15

    申请人： 英飛凌科技股份有限公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG

    发明人： 林權 CHUAN LIN

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/1033

    摘要： 一種用於製造窄通道寬度PMOSFET元件之方法，降低負偏壓溫度不安定性之改善，係藉由使用F2側壁植入，該方法包含： a)形成一淺溝渠隔離(STI)區於一基質中；b)形成一閘極於該基質中之一閘極氧化物上；C)形成一襯墊層於該淺溝渠隔離區中，且將該襯墊層氧化，以形成一STI襯墊氧化物層；d)以一大傾斜角度植入足量的F2於該STI襯墊氧化層之側壁中，在該STIF2植入之襯墊氧化層之一高密度電漿填充後，降低負偏壓溫度不安定性；以及f)自步驟C)以一高密度電漿(HDP)填充，填充該STIF2植入之結構，以降低負偏壓溫度不安定性。

    简体摘要： 一种用于制造窄信道宽度PMOSFET组件之方法，降低负偏压温度不安定性之改善，系借由使用F2侧壁植入，该方法包含： a)形成一浅沟渠隔离(STI)区于一基质中；b)形成一闸极于该基质中之一闸极氧化物上；C)形成一衬垫层于该浅沟渠隔离区中，且将该衬垫层氧化，以形成一STI衬垫氧化物层；d)以一大倾斜角度植入足量的F2于该STI衬垫氧化层之侧壁中，在该STIF2植入之衬垫氧化层之一高密度等离子填充后，降低负偏压温度不安定性；以及f)自步骤C)以一高密度等离子(HDP)填充，填充该STIF2植入之结构，以降低负偏压温度不安定性。