公开(公告)号：TW201517272A

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW103125966

申请日：2014-07-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  陳建穎 ,  CHEN, CHANG YIN ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886

Abstract: 一種半導體元件，其包括基底。半導體元件還包括位於基底上之第一鰭結構及第二鰭結構。半導體元件更包括分別橫越於第一鰭結構及第二鰭結構上之第一閘極電極及第二閘極電極。此外，半導體元件包括介於第一鰭結構與第一閘極電極之間，且介於第二鰭結構與第二閘極電極之間的閘極介電層。再者，半導體元件包括位於基底上之虛置閘極電極。虛置閘極電極位於第一閘極電極與第二閘極電極之間，且虛置閘極電極之較高部分寬於虛置閘極電極之較低部分。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件，其包括基底。半导体组件还包括位于基底上之第一鳍结构及第二鳍结构。半导体组件更包括分别横越于第一鳍结构及第二鳍结构上之第一闸极电极及第二闸极电极。此外，半导体组件包括介于第一鳍结构与第一闸极电极之间，且介于第二鳍结构与第二闸极电极之间的闸极介电层。再者，半导体组件包括位于基底上之虚置闸极电极。虚置闸极电极位于第一闸极电极与第二闸极电极之间，且虚置闸极电极之较高部分宽于虚置闸极电极之较低部分。

公开(公告)号：TWI697996B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW107140214

申请日：2018-11-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L23/535

公开(公告)号：TWI695509B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW105143461

申请日：2016-12-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI685900B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW107115929

申请日：2018-05-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/41

公开(公告)号：TWI682442B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW106125717

申请日：2017-07-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  巫柏奇 ,  WU, PO CHI ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI651849B

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：TW106126066

申请日：2017-08-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI648773B

公开(公告)日：2019-01-21

申请号：TW106114255

申请日：2017-04-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201826336A

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：TW106122201

申请日：2017-07-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 半導體裝置的製造方法包含在半導體區上形成虛設閘極堆疊，在與虛設閘極堆疊之水平同高處形成介電層，移除虛設閘極堆疊以在介電層中形成開口，填充金屬層延伸至開口中，以及回蝕刻金屬層，使得金屬層之剩餘部分的邊緣低於介電層之頂面。在開口中填入導電材料，並且導電材料在金屬層上方，金屬層與導電材料結合形成取代閘極，在取代閘極之相對兩側形成源極區與汲極區。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的制造方法包含在半导体区上形成虚设闸极堆栈，在与虚设闸极堆栈之水平同高处形成介电层，移除虚设闸极堆栈以在介电层中形成开口，填充金属层延伸至开口中，以及回蚀刻金属层，使得金属层之剩余部分的边缘低于介电层之顶面。在开口中填入导电材料，并且导电材料在金属层上方，金属层与导电材料结合形成取代闸极，在取代闸极之相对两侧形成源极区与汲极区。

公开(公告)号：TWI626692B

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：TW105123751

申请日：2016-07-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/3215 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

公开(公告)号：TWI625827B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW105139538

申请日：2016-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  巫柏奇 ,  WU, PO CHI ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66