公开(公告)号：TWI292441B

公开(公告)日：2008-01-11

申请号：TW091136459

申请日：2002-12-17

申请人： 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 菅原 卓也 SUGAWARA, TAKUYA ,  松山 征嗣 MATSUYAMA, SEIJI ,  佐佐木 勝 SASAKI, MASARU

IPC分类号： C23C ,  H01L

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L29/518

摘要： 本發明之基板處理方法，係具有利用對矽基板表面實施氧化處理來形成氧化膜之步驟、以及利用對前述氧化膜實施氮化處理來形成氮氧化膜之步驟，且前述氧化處理步驟後、前述氮化處理步驟前，具有會對實施前述氮化處理之環境實施排除氧之步驟。

简体摘要： 本发明之基板处理方法，系具有利用对硅基板表面实施氧化处理来形成氧化膜之步骤、以及利用对前述氧化膜实施氮化处理来形成氮氧化膜之步骤，且前述氧化处理步骤后、前述氮化处理步骤前，具有会对实施前述氮化处理之环境实施排除氧之步骤。

公开(公告)号：TWI291218B

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：TW095108075

申请日：2006-03-10

申请人： 茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 吳孝哲 WU, HSIAO CHE

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L29/456 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66666

摘要： 本發明提出一種垂直式環繞閘極結構之半導體元件，此半導體元件包括：柱狀基底、領氧化層、金屬層、汲極區、接地線、源極區、位元線、字元線、閘極以及閘介電層。其中，接地線係配置於柱狀基底之一開口中，並覆蓋領氧化層與金屬層，且電性連接於柱狀基底。汲極區係配置於柱狀基底頂部及開口上部中。閘極係配置於字元線、位元線與柱狀基底之間。閘介電層係配置於閘極、源極區、汲極區、位元線與柱狀基底之間。

简体摘要： 本发明提出一种垂直式环绕闸极结构之半导体组件，此半导体组件包括：柱状基底、领氧化层、金属层、汲极区、接地线、源极区、比特线、字符线、闸极以及闸介电层。其中，接地线系配置于柱状基底之一开口中，并覆盖领氧化层与金属层，且电性连接于柱状基底。汲极区系配置于柱状基底顶部及开口上部中。闸极系配置于字符线、比特线与柱状基底之间。闸介电层系配置于闸极、源极区、汲极区、比特线与柱状基底之间。

公开(公告)号：TWI290744B

公开(公告)日：2007-12-01

申请号：TW092104310

申请日：2003-02-27

申请人： 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 佐佐木 勝 SASAKI, MASARU ,  菅原卓也 SUGAWARA, TAKUYA ,  松山 征嗣 MATSUYAMA, SEIJI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： 本發明之基板處理方法包含供給氮基於矽基板上之氧化膜表面使其氮化形成氧氮化膜之步驟及前述形成氧氮化膜之步驟後供給氧基於前述氧氮化膜表面之步驟。

简体摘要： 本发明之基板处理方法包含供给氮基于硅基板上之氧化膜表面使其氮化形成氧氮化膜之步骤及前述形成氧氮化膜之步骤后供给氧基于前述氧氮化膜表面之步骤。

公开(公告)号：TW200733234A

公开(公告)日：2007-09-01

申请号：TW095146370

申请日：2006-12-12

申请人： 住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.

发明人： 增田健良 MASUDA, TAKEYOSHI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3147 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068

摘要： 本發明提供一種在閘極絕緣膜(20)與碳化矽層(11)之界面區域的界面態密度小之碳化矽半導體裝置之製造方法。使磊晶成長層(11)於4H-SiC基板(10)上成長後,進行離子植入,形成作為離子植入層之p井區域(12)、源極區域(13)、p^+接觸區域(15)。其後,藉由熱氧化或CVD而於p井區域(12)、源極區域(13)、p^+接觸區域(15)上形成由氧化矽膜構成之閘極絕緣膜(20)。繼而,使用作為含有氧及氮之至少任一方之氣體的含有N2O之氣體產生電漿,使閘極絕緣膜(20)暴露於電漿中。

简体摘要： 本发明提供一种在闸极绝缘膜(20)与碳化硅层(11)之界面区域的界面态密度小之碳化硅半导体设备之制造方法。使磊晶成长层(11)于4H-SiC基板(10)上成长后,进行离子植入,形成作为离子植入层之p井区域(12)、源极区域(13)、p^+接触区域(15)。其后,借由热氧化或CVD而于p井区域(12)、源极区域(13)、p^+接触区域(15)上形成由氧化硅膜构成之闸极绝缘膜(20)。继而,使用作为含有氧及氮之至少任一方之气体的含有N2O之气体产生等离子,使闸极绝缘膜(20)暴露于等离子中。

公开(公告)号：TWI284940B

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：TW091135507

申请日：2002-12-06

申请人： 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 井下田真信 IGETA, MASANOBU ,  青山真太郎 AOYAMA, SHINTARO ,  神力博 SHINRIKI, HIROSHI ,  高橋毅 TAKAHASHI, TSUYOSHI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 一種絕緣膜的氮化方法，包含：藉由高頻電漿形成氮自由基的製程，以及將該氮自由基供應至含氧絕緣膜表面而氮化該絕緣膜表面的製程。

简体摘要： 一种绝缘膜的氮化方法，包含：借由高频等离子形成氮自由基的制程，以及将该氮自由基供应至含氧绝缘膜表面而氮化该绝缘膜表面的制程。

公开(公告)号：TW200715556A

公开(公告)日：2007-04-16

申请号：TW095133780

申请日：2006-09-13

申请人： 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 歐魯邦米O 艾迪杜杜 ADETUTU, OLUBUNMI O. ,  羅天英 LUO, TIEN YING ,  那拉亞南C 朗尼 RAMANI, NARAYANAN C.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

摘要： 本發明係關於電子裝置(10)之電晶體結構,其可包含一閘極介電層(22)及一閘電極(82)。該閘電極(82)可在該閘極介電層(22)與該閘電極之剩餘部分(42、62、72)之間具有一表面部分(32)。該表面部分(32)可經形成以使得該閘電極之另一部分(42)主要設定成品電晶體結構(82)中之有效功函數。

简体摘要： 本发明系关于电子设备(10)之晶体管结构,其可包含一闸极介电层(22)及一闸电极(82)。该闸电极(82)可在该闸极介电层(22)与该闸电极之剩余部分(42、62、72)之间具有一表面部分(32)。该表面部分(32)可经形成以使得该闸电极之另一部分(42)主要设置成品晶体管结构(82)中之有效功函数。

公开(公告)号：TWI278060B

公开(公告)日：2007-04-01

申请号：TW094145288

申请日：2005-12-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 王志豪 WANG, CHIH HAO ,  王大維 WANG, TA WEI ,  陳尚志 CHEN, SHANG CHIH ,  蔡慶威 TSAI, CHING WEI

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： 本發明提供一種具有一氮化的閘極介電層的MOSFET與其製造方法。該製造方法包括提供一基板，並沉積一具有非高介電常數的介電材料於該基板上。該具有非高介電常數的介電材料包括兩層。該介電材料的第一層鄰近該基板，主要為不含氮的。該介電材料的第二層約含有1015 atoms/cm3到1022 atoms/cm3的氮。該MOSFET更包括一具有高介電常數的介電材料，形成於該具有非高介電常數的介電材料之上。該具有高介電常數的介電材料包括 HfSiON、ZrSiON或氮化的Al2O3。在本發明的實施例中更揭露了核心區與周邊區的不對稱製造技術。

简体摘要： 本发明提供一种具有一氮化的闸极介电层的MOSFET与其制造方法。该制造方法包括提供一基板，并沉积一具有非高介电常数的介电材料于该基板上。该具有非高介电常数的介电材料包括两层。该介电材料的第一层邻近该基板，主要为不含氮的。该介电材料的第二层约含有1015 atoms/cm3到1022 atoms/cm3的氮。该MOSFET更包括一具有高介电常数的介电材料，形成于该具有非高介电常数的介电材料之上。该具有高介电常数的介电材料包括 HfSiON、ZrSiON或氮化的Al2O3。在本发明的实施例中更揭露了内核区与周边区的不对称制造技术。

公开(公告)号：TW200713455A

公开(公告)日：2007-04-01

申请号：TW095134488

申请日：2006-09-18

申请人： 應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 薩庫瑞希爾 THAKUR, RANDHIR ,  史平特麥可 SPLINTER, MICHAEL

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78654

摘要： 一種方法與設備,用以沉積一平坦含矽層,沉積一氧化物層,圖案化該氧化物層以暴露出該氧化物層剩餘部份上方的含矽層區域,選擇性沉積一含矽及鍺的層在該含矽層之該區域上,之後蝕刻該氧化物層的剩餘區域。此外,本發明也提供一種方法與設備,用以在一SOI基板上形成一氧化物箱形區域(an oxide box),沉積一平坦的含矽層其包含沉積一鍺層,沉積一矽鍺層,及沉積一矽層,沉積一氧化物層,在將該平坦含矽層施以過蝕刻以暴露出剩餘氧化物層區域中的平坦含矽層區域的同時將該氧化物層加以圖案化,在該平坦含矽層區域中沉積一含矽及鍺的層,之後蝕刻剩餘的氧化物層區域。

简体摘要： 一种方法与设备,用以沉积一平坦含硅层,沉积一氧化物层,图案化该氧化物层以暴露出该氧化物层剩余部份上方的含硅层区域,选择性沉积一含硅及锗的层在该含硅层之该区域上,之后蚀刻该氧化物层的剩余区域。此外,本发明也提供一种方法与设备,用以在一SOI基板上形成一氧化物箱形区域(an oxide box),沉积一平坦的含硅层其包含沉积一锗层,沉积一硅锗层,及沉积一硅层,沉积一氧化物层,在将该平坦含硅层施以过蚀刻以暴露出剩余氧化物层区域中的平坦含硅层区域的同时将该氧化物层加以图案化,在该平坦含硅层区域中沉积一含硅及锗的层,之后蚀刻剩余的氧化物层区域。

公开(公告)号：TWI271782B

公开(公告)日：2007-01-21

申请号：TW094128636

申请日：2005-08-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 劉繼文 LIU, CHI WEN ,  江國慶 CHIANG, KUO CHING ,  曾鴻輝 TSENG, HORNG HUEI ,  朱文定 CHU, WEN TING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： 一種半導體元件，係包含在一基板中形成一源極與一汲極。在基板上之源極與汲極之間形成一穿隧式介電質。一浮動閘極位於該穿隧式介電質上，且此浮動閘極的能隙係低於矽的能隙。

简体摘要： 一种半导体组件，系包含在一基板中形成一源极与一汲极。在基板上之源极与汲极之间形成一穿隧式介电质。一浮动闸极位于该穿隧式介电质上，且此浮动闸极的能隙系低于硅的能隙。

公开(公告)号：TW200703459A

公开(公告)日：2007-01-16

申请号：TW095108669

申请日：2006-03-15

申请人： 飛思卡爾半導體公司 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.

发明人： 辛H 曾 TSENG, HSING H. ,  歐魯邦米O 艾迪杜杜 ADETUTU, OLUBUNMI O. ,  大衛C 吉爾墨 GILMER, DAVID C.

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

摘要： 一金屬氧化物(8)係形成於一已先沉積於一基板(12)上之高品質氧化物(16)上。一退火驅使一反應以形成一隨後用作一閘極堆疊一部分之金屬氮氧化矽層(22)。該新穎的整合技術讓若干裝置之擴充性得以提升,以及洩漏電流得以改善。

简体摘要： 一金属氧化物(8)系形成于一已先沉积于一基板(12)上之高品质氧化物(16)上。一退火驱使一反应以形成一随后用作一闸极堆栈一部分之金属氮氧化硅层(22)。该新颖的集成技术让若干设备之扩充性得以提升,以及泄漏电流得以改善。