公开(公告)号：TW201809702A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106127955

申请日：2017-08-17

申请人： 美商安托梅拉公司 ,  ATOMERA INCORPORATED

发明人： 羅伊 理查史提芬 ,  ROY, RICHARD STEPHEN

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/30 ,  H01L21/8239

CPC分类号： G01R31/2831 ,  G01R31/2644 ,  G01R31/2648 ,  G01R31/275 ,  G01R31/2894 ,  G01R31/31924 ,  G01R31/31932 ,  G11C11/4078 ,  G11C11/4087 ,  G11C29/50004 ,  H01L22/34 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10897 ,  H01L29/105 ,  H01L29/152 ,  H01L29/16 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7849 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/453 ,  H03F2203/45361 ,  H03F2203/45368

摘要： 一半導體元件可包含一底材，設置在該底材上且包含差分電晶體對之主動電路，以及設置在該底材上之臨界電壓測試電路。該臨界電壓測試電路可包含一對差分測試電晶體，該對差分測試電晶體複製了所述主動電路內該些差分電晶體對，每一差分測試電晶體具有各自的輸入及輸出，以及至少一增益級電路被組構成放大該些差分測試電晶體之輸出間的差值以測量其臨界電壓。該些差分電晶體對及該對差分測試電晶體可分別包含隔開之源極區及汲極區、在源極區及汲極區間延伸之一通道區，以及覆蓋通道區之一閘極。每一通道區可包含一超晶格。

简体摘要： 一半导体组件可包含一底材，设置在该底材上且包含差分晶体管对之主动电路，以及设置在该底材上之临界电压测试电路。该临界电压测试电路可包含一对差分测试晶体管，该对差分测试晶体管复制了所述主动电路内该些差分晶体管对，每一差分测试晶体管具有各自的输入及输出，以及至少一增益级电路被组构成放大该些差分测试晶体管之输出间的差值以测量其临界电压。该些差分晶体管对及该对差分测试晶体管可分别包含隔开之源极区及汲极区、在源极区及汲极区间延伸之一信道区，以及覆盖信道区之一闸极。每一信道区可包含一超晶格。

公开(公告)号：TWI613713B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW104139589

申请日：2015-11-27

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 吳政達 ,  WU, CHENG TA ,  王廷君 ,  WANG, TING CHUN ,  游偉明 ,  YOU, WEI MING ,  吳佳紋 ,  WU, JIA WUN

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI590447B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW103135468

申请日：2014-10-14

申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

发明人： 費拉候史奇 史帝芬 ,  FLACHOWSKY, STEFAN ,  候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN ,  理查 瑞夫 ,  RICHTER, RALF ,  傑瓦卡 彼特 ,  JAVORKA, PETER

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201642324A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104116614

申请日：2015-05-25

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 江懷慈 ,  CHIANG, HUAI-TZU ,  林勝豪 ,  LIN, SHENG-HAO ,  陳信宇 ,  CHEN, HSIN-YU ,  李皞明 ,  LEE, HAO-MING

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7845 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843

摘要： 本發明揭露一種製作半導體元件的方法。首先提供一基底，然後形成一閘極結構於基底上，形成一層間介電層並環繞閘極結構，去除閘極結構以形成一凹槽，形成一包含金屬之應力層於凹槽內，最後形成一功函數金屬層於應力層上。

简体摘要： 本发明揭露一种制作半导体组件的方法。首先提供一基底，然后形成一闸极结构于基底上，形成一层间介电层并环绕闸极结构，去除闸极结构以形成一凹槽，形成一包含金属之应力层于凹槽内，最后形成一功函数金属层于应力层上。

公开(公告)号：TWI555126B

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：TW103146199

申请日：2014-12-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  王俊傑 ,  WANG, CHUN CHIEH ,  張世杰 ,  CHANG, SHIH CHIEH ,  周櫻旻 ,  CHOU, YING MIN

IPC分类号： H01L21/8232

CPC分类号： H01L29/7847 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TWI552308B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW102128799

申请日：2013-08-12

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 多恩柏斯 嘉本 ,  DOORNBOS, GERBEN ,  凡 戴爾 馬克 ,  VAN DAL, MARK

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0207 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7843

公开(公告)号：TWI545731B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW101115584

申请日：2012-05-02

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 平野有一 ,  HIRANO, YUICHI

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/792

公开(公告)号：TW201622157A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW103142049

申请日：2014-12-03

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 沈文駿 ,  SHEN, WEN JIUN ,  劉家榮 ,  LIU, CHIA JONG ,  張仲甫 ,  CHANG, CHUNG FU ,  吳彥良 ,  WU, YEN LIANG ,  呂曼綾 ,  LU, MAN LING ,  陳意維 ,  CHEN, YI WEI ,  李鎮全 ,  LI, JHEN CYUAN

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7847

摘要： 本發明係提供一種半導體結構，包含一基底、一閘極結構、一源極/汲極區以及至少一差排。閘極結構設置在基底上。源極/汲極區設置在閘極結構兩側的基底中。差排設置在源極/汲極區中，且該差排相較於該源極/汲極的一中心軸呈非鏡向對稱。

简体摘要： 本发明系提供一种半导体结构，包含一基底、一闸极结构、一源极/汲极区以及至少一差排。闸极结构设置在基底上。源极/汲极区设置在闸极结构两侧的基底中。差排设置在源极/汲极区中，且该差排相较于该源极/汲极的一中心轴呈非镜向对称。

公开(公告)号：TW201532220A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103145276

申请日：2014-12-24

申请人： 佳能安內華股份有限公司 ,  CANON ANELVA CORPORATION

发明人： 赤坂洋 ,  AKASAKA, HIROSHI ,  池田真義 ,  IKEDA, MASAYOSHI ,  木村和弘 ,  KIMURA, KAZUHIRO ,  神谷保志 ,  KAMIYA, YASUSHI ,  豊里智彥 ,  TOYOSATO, TOMOHIKO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76865 ,  C23C14/046 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/5873 ,  C23C16/56 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7843

摘要： 本發明是以提供一種可一面使堆積膜殘存至構成通孔(Through Hole)或貫孔(Via Hole)等之凹部的底部、側壁部及上端部，且一面在凹部內充分地埋入材料之基板加工方法及半導體裝置的製造方法為目的。 本發明之一實施形態的基板加工方法係具有：第1照射工程，其係對形成於基板的凹部的開口部的堆積膜，由第1角度的方向來對基板面內方向照射粒子束，而除去堆積膜的厚度方向的一部分；及第2照射工程，其係於第1照射工程之後，由對於基板面內方向比第1角度更接近垂直的第2角度的方向來照射粒子束，而除去殘存的堆積膜的厚度方向的一部分。

简体摘要： 本发明是以提供一种可一面使堆积膜残存至构成通孔(Through Hole)或贯孔(Via Hole)等之凹部的底部、侧壁部及上端部，且一面在凹部内充分地埋入材料之基板加工方法及半导体设备的制造方法为目的。 本发明之一实施形态的基板加工方法系具有：第1照射工程，其系对形成于基板的凹部的开口部的堆积膜，由第1角度的方向来对基板面内方向照射粒子束，而除去堆积膜的厚度方向的一部分；及第2照射工程，其系于第1照射工程之后，由对于基板面内方向比第1角度更接近垂直的第2角度的方向来照射粒子束，而除去残存的堆积膜的厚度方向的一部分。

公开(公告)号：TWI485856B

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：TW096114200

申请日：2007-04-23

申请人： 高級微裝置公司 ,  ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

发明人： 韋 安迪 ,  WEI, ANDY ,  坎姆勒 索斯頓 ,  KAMMLER, THORSTEN ,  候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN ,  郝斯特門 馬弗雷 ,  HORSTMANN, MANFRED

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78612 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78684