公开(公告)号：TWI341013B

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：TW096109330

申请日：2007-03-19

申请人： 國際整流器公司

发明人： 史坦汀 馬汀

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/492 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 一種功率半導體封裝體，其係包含：一有一電極的晶粒，該電極係電氣及機械式連接至導電夾體的腹板部。

简体摘要： 一种功率半导体封装体，其系包含：一有一电极的晶粒，该电极系电气及机械式连接至导电夹体的腹板部。

公开(公告)号：TWI335672B

公开(公告)日：2011-01-01

申请号：TW095130111

申请日：2006-08-16

申请人： 國際整流器公司

发明人： 馬霖 ,  艾馬利 亞當I. ,  托爾諾 羅素

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811

摘要： 一種功率半導體裝置其包括複數之閘極槽溝以及一周圍槽溝係與該等閘極槽溝相交。

简体摘要： 一种功率半导体设备其包括复数之闸极槽沟以及一周围槽沟系与该等闸极槽沟相交。

公开(公告)号：TWI325182B

公开(公告)日：2010-05-21

申请号：TW095125233

申请日：2006-07-11

申请人： 國際整流器公司

发明人： 亞馬里 亞當I

IPC分类号： H01L

摘要： 本發明係揭露一用以製造一功率半導體裝置之方法，其中在形成閘極溝道之前形成接觸溝道。 A method of fabricating a power semiconductor device in which contact trenches are formed prior to forming the gate trenches. 【創作特點】 發明概要
一習知插塞間隔件製程技術中，溝道係由一罩幕予以照相界定，但隨後仰賴一插塞間隔件的回蝕來形成接點。因此，一習知插塞間隔件製程技術對於插塞間隔件厚度的變異性很敏感且需要對於蝕刻製程技術之緊密控制。根據本發明，接觸溝道係在形成閘極溝道之前形成。結果，可消除相對於插塞間隔件之晶粒的蝕刻控制及厚度的“背端”處之變異性，其中可藉此增加晶胞密度。
根據本發明之一用以製造一功率半導體裝置之方法係包括在一傳導型的一半導體體部中形成複數個經分隔的接觸溝道，接觸溝道係延伸至半導體體部中的一第一深度，且各與一半導體台面相鄰，在半導體體部中形成另一傳導型的一基底區，基底區延伸至第一深度以下之一第二深度，以一填料材料來充填溝道以在各溝道中形成一填料體部，在各台面中形成閘極溝道，各閘極溝道延伸至第二深度以下之一深度，在各溝道中形成一閘極結構，各閘極結構包括閘極絕緣物及一閘極電極，及沉積電傳導材料以作為一功率電極來充填該等接觸溝道。
因此，根據本發明，接觸溝道係在閘極溝道形成之前形成。
一替代性實施例中，基底區可在接觸溝道被充填之後形成。
較佳實施例中，藉由移除各台面的一部分使各填料體部相對於半導體體部呈現突出、在各填料體部的側壁上形成間隔件以界定被移除的半導體體部區藉以形成閘極溝道、然後移除半導體材料以在其中界定閘極溝道，藉以形成閘極溝道。隨後可利用間隔件及填料作為一罩幕經由一斜角狀植入來植入源極植入物以形成源極區。或者，間隔件可完全或部分地移除以一習知方式形成源極區。
圖式簡單說明
第1至8圖顯示根據本發明之一用以製造一功率MOSFET之製程技術。
可參照圖式從本發明的下文描述得知本發明的其他特性及優點。

简体摘要： 本发明系揭露一用以制造一功率半导体设备之方法，其中在形成闸极沟道之前形成接触沟道。 A method of fabricating a power semiconductor device in which contact trenches are formed prior to forming the gate trenches. 【创作特点】 发明概要 一习知插塞间隔件制程技术中，沟道系由一罩幕予以照相界定，但随后仰赖一插塞间隔件的回蚀来形成接点。因此，一习知插塞间隔件制程技术对于插塞间隔件厚度的变异性很敏感且需要对于蚀刻制程技术之紧密控制。根据本发明，接触沟道系在形成闸极沟道之前形成。结果，可消除相对于插塞间隔件之晶粒的蚀刻控制及厚度的“背端”处之变异性，其中可借此增加晶胞密度。 根据本发明之一用以制造一功率半导体设备之方法系包括在一传导型的一半导体体部中形成复数个经分隔的接触沟道，接触沟道系延伸至半导体体部中的一第一深度，且各与一半导体台面相邻，在半导体体部中形成另一传导型的一基底区，基底区延伸至第一深度以下之一第二深度，以一填料材料来充填沟道以在各沟道中形成一填料体部，在各台面中形成闸极沟道，各闸极沟道延伸至第二深度以下之一深度，在各沟道中形成一闸极结构，各闸极结构包括闸极绝缘物及一闸极电极，及沉积电传导材料以作为一功率电极来充填该等接触沟道。 因此，根据本发明，接触沟道系在闸极沟道形成之前形成。 一替代性实施例中，基底区可在接触沟道被充填之后形成。 较佳实施例中，借由移除各台面的一部分使各填料体部相对于半导体体部呈现突出、在各填料体部的侧壁上形成间隔件以界定被移除的半导体体部区借以形成闸极沟道、然后移除半导体材料以在其中界定闸极沟道，借以形成闸极沟道。随后可利用间隔件及填料作为一罩幕经由一斜角状植入来植入源极植入物以形成源极区。或者，间隔件可完全或部分地移除以一习知方式形成源极区。 图式简单说明 第1至8图显示根据本发明之一用以制造一功率MOSFET之制程技术。 可参照图式从本发明的下文描述得知本发明的其他特性及优点。

公开(公告)号：TWI318558B

公开(公告)日：2009-12-11

申请号：TW095114291

申请日：2006-04-21

申请人： 國際整流器公司

发明人： 薩威里 安德烈N.

IPC分类号： H05K

CPC分类号： H05K1/0265 ,  H01L23/367 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0209 ,  H05K3/245 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/035 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/043 ,  H01L2924/00

摘要： 一電路板係包括至少一線跡，線跡上配置有至少一熱分散器，熱分散器係由一經固體化膏所形成，諸如一包括結合劑粒子及填料粒子的一混合物之膏，或一錫膏。一範例中，熱分散器可構形為增加線跡的一部分之一橫剖面積，藉以改良沿著線跡的該部分之熱流。或者，熱分散器可構形為增加線跡的表面積，藉以增加自電路板之散熱。另一範例中，熱分散器可配置於線跡及一半導體裝置之間且藉以作為一用於該裝置之排熱器。 A circuit board includes at least one trace having at least one heat spreader disposed thereon, the heater spreader being formed of a solidified paste, such as a paste that includes a mixture of binder particles and filler particles, or a solder paste. As an example, the heater spreader may be configured to increase a cross－sectional area of a portion of the trace, thereby improving heat flow along that portion of the trace. Alternatively, the heater spreader may be configured to increase the surface area of the trace, thereby increasing heat dissipation from the circuit board. As another example, the heat spreader may be disposed between the trace and a semiconductor device and thereby function as a heat sink for the device. 【創作特點】 發明概要
根據本發明的一實施例，一電路板係包括形成於其一表面上之一或多個線跡並且包括安裝至電路板且與線跡呈熱性接觸之一或多個半導體裝置。電路板亦包括直接形成於一或多個線跡的頂表面上之一或多個熱分散器。根據本發明的一實施例，熱分散器可以一局部化及選擇性方式形成於沿著其中可能形成有熱區的線跡之部分/區域中。譬如，熱分散器可在對於半導體裝置呈側向位移/相鄰之區域中沿著線跡形成。根據本發明的一實施例，熱分散器係補充了在其中形成有熱分散器的部分/區域中構成線跡之高熱傳導材料的數量，藉以增加可供熱量傳導取用之材料量。利用此方式，本發明的熱分散器係輔助線跡將熱量分散離開其中可形成有熱區之區域，藉以改良散熱。根據本發明的一實施例，熱分散器亦可被定型/圖案化以引導/誘發特定方向中的熱流，諸如遠離熱區及朝向電路板的較冷區域。
根據本發明的一實施例，熱分散器可自一施加至線跡表面且被加熱/迴流之膏所形成，藉以導致構成熱分散器之經固體化的結構。根據本發明的一較佳實施例，該膏係包括結合劑粒子及經散佈填料粒子的一混合物，其中結合劑粒子較佳具有比填料粒子更低的一融化溫度。此外，結合劑粒子對於填料粒子的比例較佳係使得結合劑粒子融化時，並無足夠液相流動但具有足夠的液相來熔合/膠合填料粒子，故得以形成與經沉積膏具有大致相同形狀之經固體化的結構。結果，此形式的一膏係得以形成所需要形狀與尺寸之經局部化熱分散器，而其可能相對較高且可具有相對較扁平的頂及側表面。
根據本發明的另一實施例，如上述，用以形成熱分散器之膏係可為屬於此技藝已知任意類型之一不包括填料粒子的錫膏。一範例中，錫膏可為用以將裝置黏著至線跡之“板附接錫膏”。
根據本發明的另一實施例，一電路板係包括形成於其一表面上之一或多個線跡且進一步包括形成於線跡頂上之一或多個熱分散器。根據本發明的此實施例，類似於上述，形成於一給定線跡頂上之一或多個熱分散器係補充了構成線跡之高熱傳導材料的數量。然而，根據本發明的此實施例，形成於一給定線跡上之一或多個熱分散器此時係配置且構形為增大線跡的整體表面積，藉以增加電路板的整體表面積且藉以使電路板得以將比原本所可能者更多之熱量消散至周遭區域。類似於上文，熱分散器可自一經固體化膏形成，包含一包括結合劑及填料粒子的一混合物之膏或在此技藝中已知不含填料粒子之任何錫膏，諸如板附接錫膏。
根據本發明的另一實施例，熱分散器可構形為不但增加一電路板的整體表面積，亦可構形且配置為對準於空氣流，諸如強制式空氣冷卻，以進一步改良板的冷卻。
根據本發明的另一實施例，一電路板係包括一線跡、一配置於線跡上之熱分散器、及一配置於熱分散器頂上之半導體裝置。此處，熱分散器係作為一供裝置用以將熱量抽離裝置之微排熱器，且亦作為一用以降低在裝置周圍形成一熱區之熱分散器。根據本發明的一實施例，熱分散器可如上述自一經固體化膏形成。尤其，譬如，本發明的本實施例之一熱分散器係可以一選擇性及局部化方式形成在用於可能產生顯著熱量的裝置之一電路板頂上。
圖式簡單說明
第1A圖顯示根據本發明的一實施例之一電路板的俯視圖，其包括複數個熱分散器，熱分散器係構形為可改良沿著電路板之熱流；第1B圖顯示根據本發明的一實施例沿著第1A圖的線1觀看之一熱分散器的側視立體圖；第2A圖顯示根據本發明另一實施例之一包括複數個熱分散器之電路板的一部分之側視立體圖，熱分散器構形為可改良來自電路板之散熱；第2B圖顯示根據本發明另一實施例之一包括複數個熱分散器之電路板的一部分之側視立體圖，熱分散器構形為可改良來自電路板之散熱且對準於一方向性空氣流；第3圖顯示根據本發明另一實施例配置於一熱分散器及電路板的頂上之一半導體裝置的一部分之側視圖。

简体摘要： 一电路板系包括至少一线迹，线迹上配置有至少一热分散器，热分散器系由一经固体化膏所形成，诸如一包括结合剂粒子及填料粒子的一混合物之膏，或一锡膏。一范例中，热分散器可构形为增加线迹的一部分之一横剖面积，借以改良沿着线迹的该部分之热流。或者，热分散器可构形为增加线迹的表面积，借以增加自电路板之散热。另一范例中，热分散器可配置于线迹及一半导体设备之间且借以作为一用于该设备之排热器。 A circuit board includes at least one trace having at least one heat spreader disposed thereon, the heater spreader being formed of a solidified paste, such as a paste that includes a mixture of binder particles and filler particles, or a solder paste. As an example, the heater spreader may be configured to increase a cross－sectional area of a portion of the trace, thereby improving heat flow along that portion of the trace. Alternatively, the heater spreader may be configured to increase the surface area of the trace, thereby increasing heat dissipation from the circuit board. As another example, the heat spreader may be disposed between the trace and a semiconductor device and thereby function as a heat sink for the device. 【创作特点】 发明概要 根据本发明的一实施例，一电路板系包括形成於其一表面上之一或多个线迹并且包括安装至电路板且与线迹呈热性接触之一或多个半导体设备。电路板亦包括直接形成于一或多个线迹的顶表面上之一或多个热分散器。根据本发明的一实施例，热分散器可以一局部化及选择性方式形成于沿着其中可能形成有热区的线迹之部分/区域中。譬如，热分散器可在对于半导体设备呈侧向位移/相邻之区域中沿着线迹形成。根据本发明的一实施例，热分散器系补充了在其中形成有热分散器的部分/区域中构成线迹之高热传导材料的数量，借以增加可供热量传导取用之材料量。利用此方式，本发明的热分散器系辅助线迹将热量分散离开其中可形成有热区之区域，借以改良散热。根据本发明的一实施例，热分散器亦可被定型/图案化以引导/诱发特定方向中的热流，诸如远离热区及朝向电路板的较冷区域。 根据本发明的一实施例，热分散器可自一施加至线迹表面且被加热/回流之膏所形成，借以导致构成热分散器之经固体化的结构。根据本发明的一较佳实施例，该膏系包括结合剂粒子及经散布填料粒子的一混合物，其中结合剂粒子较佳具有比填料粒子更低的一融化温度。此外，结合剂粒子对于填料粒子的比例较佳系使得结合剂粒子融化时，并无足够液相流动但具有足够的液相来熔合/胶合填料粒子，故得以形成与经沉积膏具有大致相同形状之经固体化的结构。结果，此形式的一膏系得以形成所需要形状与尺寸之经局部化热分散器，而其可能相对较高且可具有相对较扁平的顶及侧表面。 根据本发明的另一实施例，如上述，用以形成热分散器之膏系可为属于此技艺已知任意类型之一不包括填料粒子的锡膏。一范例中，锡膏可为用以将设备黏着至线迹之“板附接锡膏”。 根据本发明的另一实施例，一电路板系包括形成於其一表面上之一或多个线迹且进一步包括形成于线迹顶上之一或多个热分散器。根据本发明的此实施例，类似于上述，形成于一给定线迹顶上之一或多个热分散器系补充了构成线迹之高热传导材料的数量。然而，根据本发明的此实施例，形成于一给定线迹上之一或多个热分散器此时系配置且构形为增大线迹的整体表面积，借以增加电路板的整体表面积且借以使电路板得以将比原本所可能者更多之热量消散至周遭区域。类似于上文，热分散器可自一经固体化膏形成，包含一包括结合剂及填料粒子的一混合物之膏或在此技艺中已知不含填料粒子之任何锡膏，诸如板附接锡膏。 根据本发明的另一实施例，热分散器可构形为不但增加一电路板的整体表面积，亦可构形且配置为对准于空气流，诸如强制式空气冷却，以进一步改良板的冷却。 根据本发明的另一实施例，一电路板系包括一线迹、一配置于线迹上之热分散器、及一配置于热分散器顶上之半导体设备。此处，热分散器系作为一供设备用以将热量抽离设备之微排热器，且亦作为一用以降低在设备周围形成一热区之热分散器。根据本发明的一实施例，热分散器可如上述自一经固体化膏形成。尤其，譬如，本发明的本实施例之一热分散器系可以一选择性及局部化方式形成在用于可能产生显着热量的设备之一电路板顶上。 图式简单说明 第1A图显示根据本发明的一实施例之一电路板的俯视图，其包括复数个热分散器，热分散器系构形为可改良沿着电路板之热流；第1B图显示根据本发明的一实施例沿着第1A图的线1观看之一热分散器的侧视三維图；第2A图显示根据本发明另一实施例之一包括复数个热分散器之电路板的一部分之侧视三維图，热分散器构形为可改良来自电路板之散热；第2B图显示根据本发明另一实施例之一包括复数个热分散器之电路板的一部分之侧视三維图，热分散器构形为可改良来自电路板之散热且对准于一方向性空气流；第3图显示根据本发明另一实施例配置于一热分散器及电路板的顶上之一半导体设备的一部分之侧视图。

公开(公告)号：TWI310125B

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：TW094127542

申请日：2005-08-12

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 薩達諾 馬可 SOLDANO, MARCO

IPC分类号： G05F

CPC分类号： H02M3/1588 ,  H01L27/0251 ,  Y02B70/1466 ,  Y10S323/908

摘要： 一種升壓轉換器,其中習知升壓二極體係藉一雙向常動半導體開關置換。該電路可實作為該雙向開關係藉連結一低電壓蕭特基(Schottky)二極體介於一第一閘極-源極端子對間來自驅。湧入電流保護功能可如下提供,利用一第二閘極-源極端子對,響應於預定過負載電流情況,來將該開關開或關而與該自驅操作無關而提供湧入電流保護功能。該湧入電流保護功能係經由使用一第二蕭特基二極體連結於該第二閘極端子與源極端子間,以及一RC電路連接該第二閘極端子至該轉換器功率輸出電晶體之迴送軌,有一外部控制開關連接至RC電路來根據負載電流控制偏壓而實作。

简体摘要： 一种升压转换器,其中习知升压二极管系藉一双向常动半导体开关置换。该电路可实作为该双向开关系藉链接一低电压萧特基(Schottky)二极管介于一第一闸极-源极端子对间来自驱。涌入电流保护功能可如下提供,利用一第二闸极-源极端子对,响应于预定过负载电流情况,来将该开关开或关而与该自驱操作无关而提供涌入电流保护功能。该涌入电流保护功能系经由使用一第二萧特基二极管链接于该第二闸极端子与源极端子间,以及一RC电路连接该第二闸极端子至该转换器功率输出晶体管之回送轨,有一外部控制开关连接至RC电路来根据负载电流控制偏压而实作。

公开(公告)号：TWI301012B

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：TW094128596

申请日：2005-08-22

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 亞馬德 傅賽爾 AHMAD, FAISAL

IPC分类号： H02M ,  G05F

CPC分类号： H02M1/08 ,  H03F3/217 ,  H03K17/063 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/6871 ,  H03K2217/0036

摘要： 一種電路和方法藉由最佳化閘極驅動電壓來減少在一直流對直流轉換器中的損耗。該電路和方法檢測輸出負載中的變化,尤其是輸出電流,以及因此調整閘極電壓;換句話說,就是提供可適性閘極驅動電壓。為回應輸出電流的減少,本發明減少閘極電壓以致減少在輸出級的半導體轉換裝置中的傳導和轉換損耗。

简体摘要： 一种电路和方法借由最优化闸极驱动电压来减少在一直流对直流转换器中的损耗。该电路和方法检测输出负载中的变化,尤其是输出电流,以及因此调整闸极电压;换句话说,就是提供可适性闸极驱动电压。为回应输出电流的减少,本发明减少闸极电压以致减少在输出级的半导体转换设备中的传导和转换损耗。

公开(公告)号：TWI300650B

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：TW093111414

申请日：2004-04-23

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 鄭曉章 CHENG, XIAO-CHANG ,  阿布多林 艾德加 ABDOULIN, EDGAR

IPC分类号： H03B ,  H02H

CPC分类号： H02M1/096 ,  H02M1/32 ,  H02M1/36 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

摘要： 本發明是有關一種用於電晶體之驅動電路,其提供軟性啓始特
性,其在啓始期間提供給電晶體脈衝之期間可以改變。此驅動器亦
提供過電流保護特性,用於當偵測到過電流情況時,將驅動器輸出
去能一段安全時間期間。此驅動電路包括振盪器,其產生鋸齒波形
與窄寬度脈衝序列,各用於決定:脈衝寬度與空載時間。此驅動電
路可以使用於半橋或全橋式驅動器。

简体摘要： 本发明是有关一种用于晶体管之驱动电路,其提供软性启始特 性,其在启始期间提供给晶体管脉冲之期间可以改变。此驱动器亦 提供过电流保护特性,用于当侦测到过电流情况时,将驱动器输出 去能一段安全时间期间。此驱动电路包括振荡器,其产生锯齿波形 与窄宽度脉冲串行,各用于决定:脉冲宽度与空载时间。此驱动电 路可以使用于半桥或全桥式驱动器。

公开(公告)号：TWI299568B

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW094129325

申请日：2005-08-26

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 吉德哈 大衛A. GIRDHAR, DEV ALOK ,  馬林 MA, LING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/861

摘要： 一功率半導體元件係包括形成於一半導體體部內之複數個溝渠,各溝渠包括形成於其中之一或多個電極。特定言之,根據本發明的實施例,一半導體元件的複數個溝渠係可包括一或多個閘極電極,可包括一或多個閘極電極或者一或多個源極電極,或者可包括形成於其中之閘極及源極電極兩者的一組合。溝渠及電極可具有半導體體部內之變動的深度。

简体摘要： 一功率半导体组件系包括形成于一半导体体部内之复数个沟渠,各沟渠包括形成于其中之一或多个电极。特定言之,根据本发明的实施例,一半导体组件的复数个沟渠系可包括一或多个闸极电极,可包括一或多个闸极电极或者一或多个源极电极,或者可包括形成于其中之闸极及源极电极两者的一组合。沟渠及电极可具有半导体体部内之变动的深度。

公开(公告)号：TW200832874A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096139487

申请日：2007-10-22

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 吳文凱 WU, WENKAI ,  史裘倫恩 喬治 SCHUELLEIN, GEORGE

IPC分类号： H02M

CPC分类号： H02M3/1584 ,  H02M1/084

摘要： 一種用於產生一個用於運作多相位變換器之相位之電晶體開關之PWM控制訊號的PWM調變器包括數個斜波產生器,每個斜波產生器接收一個對應於該多相位變換器之相位的專屬時鐘輸入訊號並且提供一個在該專屬時鐘訊號由該斜波產生器接收時起動的斜波訊號,該數個斜波產生器中之一者是專屬於提供該PWM控制訊號;數個比較器,每個比較器與一個對應的斜波產生器相關聯俾可在一個預先界定的不均等存在於該多相位變換器之返饋迴路的誤差放大器輸出與該相關聯之斜波產生器的輸出之間時終止該斜波訊號;數個電流產生器電路,每個電流產生器電路與一個對應的斜波產生器相關聯俾可供應電流到該等斜波產生器中之供應該PWM控制訊號的該一個斜波產生器來控制該專屬斜波產生器之斜波訊號的斜率,該專屬斜波產生器控制其之相關聯的比較器供應該PWM控制訊號;及數個用於控制該數個電流產生器電路之運作的電流產生器控制電路。

简体摘要： 一种用于产生一个用于运作多相位变换器之相位之晶体管开关之PWM控制信号的PWM调制器包括数个斜波产生器,每个斜波产生器接收一个对应于该多相位变换器之相位的专属时钟输入信号并且提供一个在该专属时钟信号由该斜波产生器接收时起动的斜波信号,该数个斜波产生器中之一者是专属于提供该PWM控制信号;数个比较器,每个比较器与一个对应的斜波产生器相关联俾可在一个预先界定的不均等存在于该多相位变换器之返馈回路的误差放大器输出与该相关联之斜波产生器的输出之间时终止该斜波信号;数个电流产生器电路,每个电流产生器电路与一个对应的斜波产生器相关联俾可供应电流到该等斜波产生器中之供应该PWM控制信号的该一个斜波产生器来控制该专属斜波产生器之斜波信号的斜率,该专属斜波产生器控制其之相关联的比较器供应该PWM控制信号;及数个用于控制该数个电流产生器电路之运作的电流产生器控制电路。

公开(公告)号：TW200822807A

公开(公告)日：2008-05-16

申请号：TW096126136

申请日：2007-07-18

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 葛林 彼得 GREEN, PETER

IPC分类号： H05B

CPC分类号： H05B41/2828

摘要： 一種依據本申請案之實施例用於驅動至少一氣體放電燈的安定器控制電路,包括高端驅動器、低端驅動器以及空檔時間控制電路,該高端驅動器可操作來提供高端驅動信號給該安定器控制電路控制的半橋接器之高端開關,其中該高端驅動信號為該高端開關指示一較佳的工作週期,該低端驅動器可操作來提供低端驅動信號給該半橋接器的低端開關,其中該低端驅動信號為該低端開關指示一較佳的工作週期,該空檔時間控制電路可操作來提供指示空檔時間的空檔時間信號,在該空檔期間該高端和低端開關不導通,其中該空檔時間根據外部空檔時間電阻器之値被設定。

简体摘要： 一种依据本申请案之实施例用于驱动至少一气体放电灯的安定器控制电路,包括高端驱动器、低端驱动器以及空档时间控制电路,该高端驱动器可操作来提供高端驱动信号给该安定器控制电路控制的半桥接器之高端开关,其中该高端驱动信号为该高端开关指示一较佳的工作周期,该低端驱动器可操作来提供低端驱动信号给该半桥接器的低端开关,其中该低端驱动信号为该低端开关指示一较佳的工作周期,该空档时间控制电路可操作来提供指示空档时间的空档时间信号,在该空档期间该高端和低端开关不导通,其中该空档时间根据外部空档时间电阻器之値被设置。