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    半導體檢測中之多模式缺陷分類
    4.
    发明专利
    半導體檢測中之多模式缺陷分類 审中-公开
    半导体检测中之多模式缺陷分类

    公开(公告)号：TW202018281A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW108124201

    申请日：2019-07-10

    申请人： 美商克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

    发明人： 陳 葛瑞斯 H ,  CHEN, GRACE H. ,  柏德 埃姆利 ,  POUDEL, AMRIT ,  捷安得 佛艾哈福 ,  GAIND, VAIBHAV ,  王 馬克 S ,  WANG, MARK S.

    IPC分类号： G01N21/88 ,  G06F17/50

    摘要： 本發明揭示一種半導體檢測工具，其使用複數個光學模式掃描一半導體晶粒。基於該掃描之結果識別該半導體晶粒上之複數個缺陷。該複數個缺陷之各自缺陷對應於該半導體檢測工具之各自像素組。該掃描無法解析該等各自缺陷。該等結果包含基於該等各自像素組之像素強度之多維資料，其中該多維資料之各維度對應於該複數個光學模式之一相異模式。應用一判別函數至該等結果以將該等各自像素組之該多維資料變換為各自分數。至少部分基於該等各自分數，將該等各自缺陷劃分至相異類別中。

    简体摘要： 本发明揭示一种半导体检测工具，其使用复数个光学模式扫描一半导体晶粒。基于该扫描之结果识别该半导体晶粒上之复数个缺陷。该复数个缺陷之各自缺陷对应于该半导体检测工具之各自像素组。该扫描无法解析该等各自缺陷。该等结果包含基于该等各自像素组之像素强度之多维数据，其中该多维数据之各维度对应于该复数个光学模式之一相异模式。应用一判别函数至该等结果以将该等各自像素组之该多维数据变换为各自分数。至少部分基于该等各自分数，将该等各自缺陷划分至相异类别中。

    雙干涉測量取樣測厚儀
    7.
    发明专利
    雙干涉測量取樣測厚儀 审中-公开
    双干涉测量采样测厚仪

    公开(公告)号：TW202014669A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW108123356

    申请日：2019-07-03

    申请人： 美商克萊譚克公司 ,  KLA-TENCOR CORPORATION

    发明人： 莎弗蘭妮 阿布納 ,  SAFRANI, AVNER

    IPC分类号： G01B11/06 ,  G01B9/02

    摘要： 本發明提供一種厚度量測系統，其可包括：一照明源；一光束分光器，其將來自該照明源之照明分裂為兩個光束；一平移台，其經組態以沿著一量測方向平移一參考取樣；一第一干涉儀，其在一測試取樣之一第一表面與該參考取樣之一第一表面之間產生一第一干涉圖；及一第二干涉儀，其在該測試取樣之一第二表面與該參考取樣之一第二表面之間產生一第二干涉圖。一厚度量測系統可進一步包括在該平移台掃描該參考取樣時自該第一干涉儀及該第二干涉儀接收干涉信號的一控制器，且基於該參考取樣之厚度及該平移台在該等干涉信號之包絡線之峰值之間行進的一距離來判定該測試取樣之厚度。

    简体摘要： 本发明提供一种厚度量测系统，其可包括：一照明源；一光束分光器，其将来自该照明源之照明分裂为两个光束；一平移台，其经组态以沿着一量测方向平移一参考采样；一第一干涉仪，其在一测试采样之一第一表面与该参考采样之一第一表面之间产生一第一干涉图；及一第二干涉仪，其在该测试采样之一第二表面与该参考采样之一第二表面之间产生一第二干涉图。一厚度量测系统可进一步包括在该平移台扫描该参考采样时自该第一干涉仪及该第二干涉仪接收干涉信号的一控制器，且基于该参考采样之厚度及该平移台在该等干涉信号之包络线之峰值之间行进的一距离来判定该测试采样之厚度。