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    可撓性電路板、包括該可撓性電路板之晶片封裝及包括該晶片封裝之電子裝置
    1.
    发明专利
    可撓性電路板、包括該可撓性電路板之晶片封裝及包括該晶片封裝之電子裝置 审中-公开
    可挠性电路板、包括该可挠性电路板之芯片封装及包括该芯片封装之电子设备

    公开(公告)号：TW202023333A

    公开(公告)日：2020-06-16

    申请号：TW108132602

    申请日：2019-09-10

    申请人： 韓商LG伊諾特股份有限公司 ,  LG INNOTEK CO., LTD.

    发明人： 李甸眞 ,  LEE, SEUNG JIN ,  尹亨珪 ,  YOON, HYUNG KYU ,  鄭惠營 ,  JUNG, HYE YEONG

    IPC分类号： H05K3/36 ,  H05K3/32 ,  H01L21/60

    摘要： 根據一實施例，一種可撓性電路板包括：一第一基板；一第二基板，其安置於該第一基板上且包括一開口；一第一導電圖案部分，其安置於該第一基板之一底表面上；一第二導電圖案部分，其安置於該第二基板之一頂表面上；一第三導電圖案部分，其安置在該第一基板與該第二基板之間；以及一上部保護層，其部分地安置於該第二導電圖案部分上且包括一第一開放區，其中該第三導電圖案部分包括：一第一內部引線圖案部分，其安置於該第二基板之該開口中；以及一第一延伸圖案部分，其連接至該第一內部引線圖案部分，該第二導電圖案部分包括：一第二內部引線圖案部分，其安置於該上部保護層之該第一開放區中；以及一第二延伸圖案部分，其連接至該第二內部引線圖案部分，且第一內部引線圖案部分之一數目大於第二內部引線圖案部分之一數目。

    简体摘要： 根据一实施例，一种可挠性电路板包括：一第一基板；一第二基板，其安置于该第一基板上且包括一开口；一第一导电图案部分，其安置于该第一基板之一底表面上；一第二导电图案部分，其安置于该第二基板之一顶表面上；一第三导电图案部分，其安置在该第一基板与该第二基板之间；以及一上部保护层，其部分地安置于该第二导电图案部分上且包括一第一开放区，其中该第三导电图案部分包括：一第一内部引线图案部分，其安置于该第二基板之该开口中；以及一第一延伸图案部分，其连接至该第一内部引线图案部分，该第二导电图案部分包括：一第二内部引线图案部分，其安置于该上部保护层之该第一开放区中；以及一第二延伸图案部分，其连接至该第二内部引线图案部分，且第一内部引线图案部分之一数目大于第二内部引线图案部分之一数目。

    光路徑控制構件及顯示裝置
    2.
    发明专利
    光路徑控制構件及顯示裝置 审中-公开
    光路径控制构件及显示设备

    公开(公告)号：TW202011371A

    公开(公告)日：2020-03-16

    申请号：TW108131343

    申请日：2019-08-30

    申请人： 韓商LG伊諾特股份有限公司 ,  LG INNOTEK CO., LTD.

    发明人： 金鉉埈 ,  KIM, HYUN JOON ,  辛俊植 ,  SHIN, JUN SIK

    IPC分类号： G09G3/30 ,  G09G5/04 ,  G02F1/133

    摘要： 依據一實施例之一種光路徑控制構件包括：一下部基板；一下部電極，安置於該下部基板上；一上部基板，安置於該下部基板上；一上部電極，安置該上部基板之一下方部處；及一圖案部，安置於該下部電極與該上部電極間，其中該圖案部包括彼此交替設置之一第一圖案部與一第二圖案部，該第一圖案部具有隨施加之一電壓而改變的一光透率，該第二圖案部發送光，且當該第一圖案部從一發光部延伸到一透光部時，其寬度改變。

    简体摘要： 依据一实施例之一种光路径控制构件包括：一下部基板；一下部电极，安置于该下部基板上；一上部基板，安置于该下部基板上；一上部电极，安置该上部基板之一下方部处；及一图案部，安置于该下部电极与该上部电极间，其中该图案部包括彼此交替设置之一第一图案部与一第二图案部，该第一图案部具有随施加之一电压而改变的一光透率，该第二图案部发送光，且当该第一图案部从一发光部延伸到一透光部时，其宽度改变。

    半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201921742A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW107129801

    申请日：2018-08-27

    申请人： 韓商LG伊諾特股份有限公司 ,  LG INNOTEK CO., LTD.

    发明人： 成演準 ,  SUNG, YOUN JOON ,  崔洛俊 ,  CHOI, RAK JUN

    IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/38

    摘要： 本文中揭示一種半導體裝置，其包括：一半導體結構，該半導體結構包括一第一導電半導體層、一第二導電半導體層，及插入於該第一導電半導體層與該第二導電半導體層之間的一作用層；一第一絕緣層，其安置於該半導體結構上；一第一電極，其經由該第一絕緣層之一第一孔安置於該第一導電半導體層上；一第二電極，其經由該第一絕緣層之一第二孔安置於該第二導電半導體層上；一第一覆蓋電極，其安置於該第一電極上；及一第二覆蓋電極，其安置於該第二電極上，其中該第二覆蓋電極包括複數個襯墊及經組態以連接該複數個襯墊的一連接部分，該連接部分之一寬度在鄰接襯墊之間的一中心位置處最小，且該第二覆蓋電極與該第一覆蓋電極之間的一面積比率係在1：1.1至1：1.5的範圍內。

    简体摘要： 本文中揭示一种半导体设备，其包括：一半导体结构，该半导体结构包括一第一导电半导体层、一第二导电半导体层，及插入于该第一导电半导体层与该第二导电半导体层之间的一作用层；一第一绝缘层，其安置于该半导体结构上；一第一电极，其经由该第一绝缘层之一第一孔安置于该第一导电半导体层上；一第二电极，其经由该第一绝缘层之一第二孔安置于该第二导电半导体层上；一第一覆盖电极，其安置于该第一电极上；及一第二覆盖电极，其安置于该第二电极上，其中该第二覆盖电极包括复数个衬垫及经组态以连接该复数个衬垫的一连接部分，该连接部分之一宽度在邻接衬垫之间的一中心位置处最小，且该第二覆盖电极与该第一覆盖电极之间的一面积比率系在1：1.1至1：1.5的范围内。