公开(公告)号：TW201806165A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106117881

申请日：2017-05-31

申请人： 創世舫電子有限公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 米喜拉 鄔梅西 ,  MISHRA, UMESH ,  萊爾 拉克許K ,  LAL, RAKESH K. ,  古普塔 基泰克 ,  GUPTA, GEETAK ,  紐菲爾德 卡爾喬瑟夫 ,  NEUFELD, CARL JOSEPH ,  羅狄絲 大衛 ,  RHODES, DAVID

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/872 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/0688 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

摘要： III-N裝置包括：III-N層結構，III-N層結構包括III-N通道層、III-N通道層上的III-N阻隔層、及III-N阻隔層上的漸變III-N層，漸變III-N層具有與III-N阻隔層相鄰的第一側以及與第一側相反的第二側；第一功率電極與第二功率電極；以及第一與第二功率電極之間的閘極，閘極係在III-N層結構上。將漸變III-N層的組成物漸變，而使得與第一側相鄰的漸變III-N層的帶隙大於與第二側相鄰的漸變III-N層的帶隙。漸變III-N層的區域係（i）在閘極與第二功率電極之間，以及（ii）與第一功率電極電連接，並與第二功率電極電隔離。

简体摘要： III-N设备包括：III-N层结构，III-N层结构包括III-N信道层、III-N信道层上的III-N阻隔层、及III-N阻隔层上的渐变III-N层，渐变III-N层具有与III-N阻隔层相邻的第一侧以及与第一侧相反的第二侧；第一功率电极与第二功率电极；以及第一与第二功率电极之间的闸极，闸极系在III-N层结构上。将渐变III-N层的组成物渐变，而使得与第一侧相邻的渐变III-N层的带隙大于与第二侧相邻的渐变III-N层的带隙。渐变III-N层的区域系（i）在闸极与第二功率电极之间，以及（ii）与第一功率电极电连接，并与第二功率电极电隔离。