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    半導體封裝及其製造方法
    1.
    发明专利
    半導體封裝及其製造方法 审中-公开
    半导体封装及其制造方法

    公开(公告)号：TW201947713A

    公开(公告)日：2019-12-16

    申请号：TW107130333

    申请日：2018-08-30

    申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

    发明人： 張簡上煜 ,  CHANG CHIEN, SHANG-YU ,  徐宏欣 ,  HSU, HUNG-HSIN ,  林南君 ,  LIN, NAN-CHUN

    IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

    摘要： 一種半導體封裝包括超薄重佈線路結構、半導體晶粒、第一絕緣密封體、半導體晶片堆疊體以及第二絕緣密封體。半導體晶粒配置於超薄重佈線路結構上，且與之電耦合。第一絕緣密封體配置於超薄重佈線路結構上，且密封半導體晶粒。半導體晶片堆疊體配置於第一絕緣密封體上，且電耦合至超薄重佈線路結構。第二絕緣密封體配置於超薄重佈線路結構上，且密封半導體晶片堆疊體與第一絕緣密封體。另提供一種半導體封裝的製造方法。

    简体摘要： 一种半导体封装包括超薄重布线路结构、半导体晶粒、第一绝缘密封体、半导体芯片堆栈体以及第二绝缘密封体。半导体晶粒配置于超薄重布线路结构上，且与之电耦合。第一绝缘密封体配置于超薄重布线路结构上，且密封半导体晶粒。半导体芯片堆栈体配置于第一绝缘密封体上，且电耦合至超薄重布线路结构。第二绝缘密封体配置于超薄重布线路结构上，且密封半导体芯片堆栈体与第一绝缘密封体。另提供一种半导体封装的制造方法。

    封裝結構及其製造方法
    3.
    发明专利
    封裝結構及其製造方法 审中-公开
    封装结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201903992A

    公开(公告)日：2019-01-16

    申请号：TW107109765

    申请日：2018-03-22

    申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

    发明人： 張簡上煜 ,  CHANG CHIEN, SHANG-YU ,  徐宏欣 ,  HSU, HUNG-HSIN ,  林南君 ,  LIN, NAN-CHUN

    IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683

    摘要： 一種封裝結構，包括第一重佈線結構、晶片、絕緣密封體以及保護層。第一重佈線結構具有第一表面以及相對於第一表面的第二表面。晶片配置於第一重佈線結構的第一表面上，且具有主動面以及相對於主動面的背面。絕緣密封體密封晶片以及第一重佈線結構的第一表面。保護層直接地配置於晶片的背面上。另提供一種封裝結構的製造方法。

    简体摘要： 一种封装结构，包括第一重布线结构、芯片、绝缘密封体以及保护层。第一重布线结构具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。芯片配置于第一重布线结构的第一表面上，且具有主动面以及相对于主动面的背面。绝缘密封体密封芯片以及第一重布线结构的第一表面。保护层直接地配置于芯片的背面上。另提供一种封装结构的制造方法。

    封裝結構的製造方法
    5.
    发明专利
    封裝結構的製造方法 审中-公开
    封装结构的制造方法

    公开(公告)号：TW201826476A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106117813

    申请日：2017-05-31

    申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

    发明人： 徐宏欣 ,  HSU, HUNG-HSIN ,  林南君 ,  LIN, NAN-CHUN

    IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/28

    摘要： 本發明提供一種封裝結構的製造方法。首先，提供載板。於載板上形成導電層。於導電層上形成導電邊框，導電邊框連接導電層。將晶片置於導電層上，導電邊框環繞晶片。形成絕緣封裝體以包覆晶片，絕緣封裝體露出晶片的主動表面。於晶片的主動表面上形成重新佈線層，重新佈線層從主動表面上往絕緣封裝體上延伸。

    简体摘要： 本发明提供一种封装结构的制造方法。首先，提供载板。于载板上形成导电层。于导电层上形成导电边框，导电边框连接导电层。将芯片置于导电层上，导电边框环绕芯片。形成绝缘封装体以包覆芯片，绝缘封装体露出芯片的主动表面。于芯片的主动表面上形成重新布线层，重新布线层从主动表面上往绝缘封装体上延伸。

    封裝結構及其製造方法
    6.
    发明专利
    封裝結構及其製造方法 审中-公开
    封装结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201826473A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106129895

    申请日：2017-09-01

    申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

    发明人： 徐宏欣 ,  HSU, HUNG-HSIN ,  林南君 ,  LIN, NAN-CHUN

    IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/28

    摘要： 一種封裝結構的製造方法。本方法至少包括以下步驟。在線路層上形成多個導電連接件。線路層包括中央區以及電性連接至中央區的外圍區。在線路層的中央區配置晶片。晶片包括主動面以及位於主動面上的感測區，主動面與線路層之間具有距離。在線路層上形成密封體，以密封晶片以及導電連接件。在密封體上形成重佈線路層，以電性連接晶片以及導電連接件。重佈線路層部分覆蓋晶片，且重佈線路層包括對應於晶片的感測區的窗口。一種封裝結構亦被提出。

    简体摘要： 一种封装结构的制造方法。本方法至少包括以下步骤。在线路层上形成多个导电连接件。线路层包括中央区以及电性连接至中央区的外围区。在线路层的中央区配置芯片。芯片包括主动面以及位于主动面上的传感区，主动面与线路层之间具有距离。在线路层上形成密封体，以密封芯片以及导电连接件。在密封体上形成重布线路层，以电性连接芯片以及导电连接件。重布线路层部分覆盖芯片，且重布线路层包括对应于芯片的传感区的窗口。一种封装结构亦被提出。