公开(公告)号：TWI567876B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW103111280

申请日：2014-03-26

申请人： 力旺電子股份有限公司 ,  EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 吳孟益 ,  WU, MENG YI ,  黃志豪 ,  HUANG, CHIH HAO ,  溫岳嘉 ,  WEN, YUEH CHIA ,  陳沁儀 ,  CHEN, CHIN YI ,  陳稐寯 ,  CHEN, LUN CHUN ,  陳信銘 ,  CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201806122A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106104586

申请日：2017-02-13

申请人： 力旺電子股份有限公司 ,  EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 陳信銘 ,  CHEN, HSIN-MING ,  陳稐寯 ,  CHEN, LUN-CHUN ,  吳孟益 ,  WU, MENG-YI ,  黃志豪 ,  HUANG, CHIH-HAO ,  郭東政 ,  KUO, TUNG-CHENG

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： H01L23/573 ,  G06F7/588 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/14 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  G11C2216/10 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11558 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7841

摘要： 一種具有偽裝功能的半導體裝置，包括邏輯元件與至少一偽裝元件。所述邏輯元件是形成在基板上並可藉由一偏壓開啟。所述偽裝元件也是形成在基板上，但是偽裝元件無法以施加於所述邏輯元件的相同偏壓開啟。

简体摘要： 一种具有伪装功能的半导体设备，包括逻辑组件与至少一伪装组件。所述逻辑组件是形成在基板上并可借由一偏压打开。所述伪装组件也是形成在基板上，但是伪装组件无法以施加于所述逻辑组件的相同偏压打开。

公开(公告)号：TW201505152A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103106814

申请日：2014-02-27

申请人： 力旺電子股份有限公司 ,  EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 陳沁儀 ,  CHEN, CHIN YI ,  陳稐寯 ,  CHEN, LUN CHUN ,  溫岳嘉 ,  WEN, YUEH CHIA ,  吳孟益 ,  WU, MENG YI ,  陳信銘 ,  CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H01L23/62

摘要： 單次可程式唯讀記憶胞，包括：第一反熔絲單元及第二反熔絲單元、選擇電晶體以及井區。第一反熔絲單元與第二反熔絲單元分別包括依序設置於基底上的反熔絲層與反熔絲閘極。選擇電晶體，包括選擇閘極、閘極介電層、第一摻雜區與第二摻雜區。選擇閘極設置於基底上。閘極介電層設置於選擇閘極與基底之間。第一摻雜區與第二摻雜區，分別設置於選擇閘極兩側的基底中，其中第二摻雜區位在第一反熔絲單元及第二反熔絲單元周圍的基底中。井區設置於第一反熔絲單元及第二反熔絲單元下方的基底中，並連接第二摻雜區。

简体摘要： 单次可进程唯读记忆胞，包括：第一反熔丝单元及第二反熔丝单元、选择晶体管以及井区。第一反熔丝单元与第二反熔丝单元分别包括依序设置于基底上的反熔丝层与反熔丝闸极。选择晶体管，包括选择闸极、闸极介电层、第一掺杂区与第二掺杂区。选择闸极设置于基底上。闸极介电层设置于选择闸极与基底之间。第一掺杂区与第二掺杂区，分别设置于选择闸极两侧的基底中，其中第二掺杂区位在第一反熔丝单元及第二反熔丝单元周围的基底中。井区设置于第一反熔丝单元及第二反熔丝单元下方的基底中，并连接第二掺杂区。

公开(公告)号：TWI502722B

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103106814

申请日：2014-02-27

申请人： 力旺電子股份有限公司 ,  EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 陳沁儀 ,  CHEN, CHIN YI ,  陳稐寯 ,  CHEN, LUN CHUN ,  溫岳嘉 ,  WEN, YUEH CHIA ,  吳孟益 ,  WU, MENG YI ,  陳信銘 ,  CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H01L23/62

公开(公告)号：TW201438152A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW103111280

申请日：2014-03-26

申请人： 力旺電子股份有限公司 ,  EMEMORY TECHNOLOGY INC.

发明人： 吳孟益 ,  WU, MENG YI ,  黃志豪 ,  HUANG, CHIH HAO ,  溫岳嘉 ,  WEN, YUEH CHIA ,  陳沁儀 ,  CHEN, CHIN YI ,  陳稐寯 ,  CHEN, LUN CHUN ,  陳信銘 ,  CHEN, HSIN MING

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC分类号： G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/11206 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一種非揮發性記憶體晶胞結構，包含位於基材中之摻雜井、位於摻雜井上之反熔絲閘極、位於基材中之汲極、位於摻雜井上視情況需要之選擇閘極、與位於摻雜井中之淺溝渠隔離。

简体摘要： 一种非挥发性内存晶胞结构，包含位于基材中之掺杂井、位于掺杂井上之反熔丝闸极、位于基材中之汲极、位于掺杂井上视情况需要之选择闸极、与位于掺杂井中之浅沟渠隔离。