公开(公告)号：TWI664728B

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：TW103140067

申请日：2014-11-19

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI570810B

公开(公告)日：2017-02-11

申请号：TW101138437

申请日：2012-10-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201528506A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103141189

申请日：2014-11-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一種包括電晶體和含有Cu且用於佈線，信號線，或類似的金屬膜的新穎半導體裝置。該半導體裝置包括：第一佈線，第二佈線，第一電晶體和第二電晶體。第一佈線電連接到第一電晶體的源極或汲極，和第二佈線電連接到第二電晶體的閘極。第一佈線和第二佈線各包括一種Cu-X合金膜(X是Mn，Ni，Cr，Fe，Co，Mo，Ta，或Ti)。在第一佈線中的Cu-X合金膜被連接到第二佈線中的Cu-X合金膜。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种包括晶体管和含有Cu且用于布线，信号线，或类似的金属膜的新颖半导体设备。该半导体设备包括：第一布线，第二布线，第一晶体管和第二晶体管。第一布线电连接到第一晶体管的源极或汲极，和第二布线电连接到第二晶体管的闸极。第一布线和第二布线各包括一种Cu-X合金膜(X是Mn，Ni，Cr，Fe，Co，Mo，Ta，或Ti)。在第一布线中的Cu-X合金膜被连接到第二布线中的Cu-X合金膜。

公开(公告)号：TWI587406B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105134062

申请日：2012-10-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/22 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI567827B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW101138435

申请日：2012-10-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/22 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201717286A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW105139252

申请日：2012-10-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明提供一種可靠性高的半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法。本發明的目的之一是高良率地製造可靠性高的半導體裝置以實現高生產化。在具有依次層疊有閘極電極層、閘極絕緣膜、氧化物半導體膜並且設置有與氧化物半導體膜接觸的源極電極層及汲極電極層的電晶體的半導體裝置的製造中，藉由蝕刻製程在形成源極電極層及汲極電極層，然後進行去除存在於氧化物半導體膜表面及其附近的因蝕刻製程而產生的雜質的製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可靠性高的半导体设备以及该半导体设备的制造方法。本发明的目的之一是高良率地制造可靠性高的半导体设备以实现高生产化。在具有依次层叠有闸极电极层、闸极绝缘膜、氧化物半导体膜并且设置有与氧化物半导体膜接触的源极电极层及汲极电极层的晶体管的半导体设备的制造中，借由蚀刻制程在形成源极电极层及汲极电极层，然后进行去除存在于氧化物半导体膜表面及其附近的因蚀刻制程而产生的杂质的制程。

公开(公告)号：TW201324624A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101138437

申请日：2012-10-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明提供一種可靠性高的半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法。本發明的目的之一是高良率地製造可靠性高的半導體裝置以實現高生產化。在具有依次層疊有閘極電極層、閘極絕緣膜、氧化物半導體膜並且設置有與氧化物半導體膜接觸的源極電極層及汲極電極層的電晶體的半導體裝置的製造中，藉由蝕刻製程在形成源極電極層及汲極電極層，然後進行去除存在於氧化物半導體膜表面及其附近的因蝕刻製程而產生的雜質的製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可靠性高的半导体设备以及该半导体设备的制造方法。本发明的目的之一是高良率地制造可靠性高的半导体设备以实现高生产化。在具有依次层叠有闸极电极层、闸极绝缘膜、氧化物半导体膜并且设置有与氧化物半导体膜接触的源极电极层及汲极电极层的晶体管的半导体设备的制造中，借由蚀刻制程在形成源极电极层及汲极电极层，然后进行去除存在于氧化物半导体膜表面及其附近的因蚀刻制程而产生的杂质的制程。

公开(公告)号：TWI645566B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW103141189

申请日：2014-11-27

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/66

公开(公告)号：TW201705308A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105134062

申请日：2012-10-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 栃林克明 ,  TOCHIBAYASHI, KATSUAKI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/22 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明提供一種高可靠性的半導體裝置以及該半導體裝置的製造方法。在具有在氧化物半導體膜上設置有用作通道保護膜的絕緣層的底閘極結構的電晶體的半導體裝置中，藉由在形成以接觸於氧化物半導體膜的方式設置的絕緣層及/或源極電極層及汲極電極層之後，進行雜質去除處理，可以防止蝕刻氣體中的元素作為雜質殘留在氧化物半導體膜的表面。氧化物半導體膜表面中的雜質濃度為5×1018atoms/cm3以下，較佳為1×1018atoms/cm3以下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种高可靠性的半导体设备以及该半导体设备的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作信道保护膜的绝缘层的底闸极结构的晶体管的半导体设备中，借由在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源极电极层及汲极电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×1018atoms/cm3以下，较佳为1×1018atoms/cm3以下。

公开(公告)号：TW201528505A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103140067

申请日：2014-11-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  日向野聡 ,  HIGANO, SATOSHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生內俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明的一個方式提供一種新穎半導體裝置，其中在使用氧化物半導體膜的電晶體中將含銅(Cu)的金屬膜用於佈線或信號線等。該半導體裝置包括絕緣表面上的具有導電性的氧化物半導體膜以及接觸於具有導電性的氧化物半導體膜的導電膜，其中該導電膜包括Cu-X合金膜(X為Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体设备，其中在使用氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体设备包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜，其中该导电膜包括Cu-X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。