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公开(公告)号：TW201812418A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106145546
申请日：2013-07-17
发明人： 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/32 , H01L21/77
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/1337 , G02F1/13454 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1248
摘要： 本發明的顯示裝置包括：形成有與像素區域的外側相鄰並包括將信號供應到包括在像素區域的各像素中的第一電晶體的至少一個第二電晶體的驅動電路區域的第一基板；與第一基板相對的第二基板；以及被夾持在第一基板與第二基板之間的液晶層，其中還包括：第一電晶體及第二電晶體上的使用無機絕緣材料而形成的第一層間絕緣膜；第一層間絕緣膜上的使用有機絕緣材料而形成的第二層間絕緣膜；以及第二層間絕緣膜上的使用無機絕緣材料而形成的第三層間絕緣膜，並且第三層間絕緣膜設置在該像素區域中的一部分並具有比驅動電路區域更內側的端部。
简体摘要： 本发明的显示设备包括：形成有与像素区域的外侧相邻并包括将信号供应到包括在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一基板；与第一基板相对的第二基板；以及被夹持在第一基板与第二基板之间的液晶层，其中还包括：第一晶体管及第二晶体管上的使用无机绝缘材料而形成的第一层间绝缘膜；第一层间绝缘膜上的使用有机绝缘材料而形成的第二层间绝缘膜；以及第二层间绝缘膜上的使用无机绝缘材料而形成的第三层间绝缘膜，并且第三层间绝缘膜设置在该像素区域中的一部分并具有比驱动电路区域更内侧的端部。
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公开(公告)号：TWI688102B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW103134270
申请日：2014-10-01
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 生內俊光 , OBONAI, TOSHIMITSU , 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 早川昌彦 , HAYAKAWA, MASAHIKO , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI , 平石鈴之介 , HIRAISHI, SUZUNOSUKE
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/324
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公开(公告)号：TWI686870B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105105903
申请日：2016-02-26
发明人： 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 井口貴弘 , IGUCHI, TAKAHIRO , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
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公开(公告)号：TWI666497B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW102125561
申请日：2013-07-17
发明人： 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/32 , H01L21/77
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公开(公告)号：TWI679480B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106145546
申请日：2013-07-17
发明人： 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/32 , H01L21/77
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公开(公告)号：TWI696265B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW105110928
申请日：2016-04-07
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 後藤尚人 , GOTO, NAOTO , 井口貴弘 , IGUCHI, TAKAHIRO , 黒崎大輔 , KUROSAKI, DAISUKE , 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI
IPC分类号： H01L27/105 , G02F1/1368 , G06F3/044
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公开(公告)号：TWI682550B
公开(公告)日：2020-01-11
申请号：TW104122965
申请日：2015-07-15
发明人： 肥塚純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 黒崎大輔 , KUROSAKI, DAISUKE , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/43
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公开(公告)号：TWI664728B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW103140067
申请日：2014-11-19
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 島行徳 , SHIMA, YUKINORI , 神長正美 , JINTYOU, MASAMI , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI , 日向野聡 , HIGANO, SATOSHI , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 生內俊光 , OBONAI, TOSHIMITSU
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/417 , H01L29/786
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公开(公告)号：TW201812419A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106123078
申请日：2017-07-10
发明人： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 羽持貴士 , HAMOCHI, TAKASHI , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU , 生內俊光 , OBONAI, TOSHIMITSU
IPC分类号： G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/46 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： H01L21/32137 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/18 , H01L21/28035 , H01L21/2807 , H01L21/28079 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/812
摘要： 本發明的一個實施方式的目的之一是提供生產率高的電晶體及其製造方法。在作為形成通道的半導體層使用金屬氧化物層的底閘極結構的電晶體中，在形成包含氮化矽的閘極絕緣層之後，在同一處理室內在包含氧的氛圍下連續地進行電漿處理。然後，形成金屬氧化物層。
简体摘要： 本发明的一个实施方式的目的之一是提供生产率高的晶体管及其制造方法。在作为形成信道的半导体层使用金属氧化物层的底闸极结构的晶体管中，在形成包含氮化硅的闸极绝缘层之后，在同一处理室内在包含氧的氛围下连续地进行等离子处理。然后，形成金属氧化物层。
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公开(公告)号：TWI450387B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW096135534
申请日：2007-09-21
发明人： 江口晉吾 , EGUCHI, SHINGO , 門馬洋平 , MONMA, YOHEI , 谷敦弘 , TANI, ATSUHIRO , 廣末美佐子 , HIROSUE, MISAKO , 橋本健一 , HASHIMOTO, KENICHI , 保坂泰靖 , HOSAKA, YASUHARU
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/13 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/67092 , H01L21/707 , H01L27/1266
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