公开(公告)号：TWI669761B

公开(公告)日：2019-08-21

申请号：TW104115118

申请日：2015-05-12

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L21/44 ,  H01L27/12

公开(公告)号：TW201724194A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105125831

申请日：2016-08-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  島行德 ,  SHIMA, YUKINORI ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/66969

Abstract: 包括第一製程至第六製程的半導體裝置的製造方法，第一製程包括形成氧化物半導體膜的製程，第二製程包括在氧化物半導體膜上形成閘極絕緣膜的製程以及在閘極絕緣膜上形成閘極電極的製程，第三製程包括在氧化物半導體膜及閘極電極上形成氮化物絕緣膜的製程，第四製程包括在氮化物絕緣膜上形成氧化物絕緣膜的製程，第五製程包括在氮化物絕緣膜及氧化物絕緣膜中形成開口部的製程，第六製程包括在氧化物絕緣膜上形成源極電極及汲極電極以覆蓋開口部的製程，在第三製程中，氮化物絕緣膜至少經過電漿處理和沉積處理的兩個步驟形成，該兩個步驟都在150℃以上且低於300℃的溫度下進行。

Abstract in simplified Chinese: 包括第一制程至第六制程的半导体设备的制造方法，第一制程包括形成氧化物半导体膜的制程，第二制程包括在氧化物半导体膜上形成闸极绝缘膜的制程以及在闸极绝缘膜上形成闸极电极的制程，第三制程包括在氧化物半导体膜及闸极电极上形成氮化物绝缘膜的制程，第四制程包括在氮化物绝缘膜上形成氧化物绝缘膜的制程，第五制程包括在氮化物绝缘膜及氧化物绝缘膜中形成开口部的制程，第六制程包括在氧化物绝缘膜上形成源极电极及汲极电极以覆盖开口部的制程，在第三制程中，氮化物绝缘膜至少经过等离子处理和沉积处理的两个步骤形成，该两个步骤都在150℃以上且低于300℃的温度下进行。

公开(公告)号：TW201608644A

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW104115118

申请日：2015-05-12

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

IPC: H01L21/44 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 在使用包含氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中可以抑制電特性的變動且提高可靠性。本發明的一個方式是一種包括電晶體的半導體裝置，其中，電晶體在通道區域中包括氧化物半導體膜，並且，在電晶體的汲極電流-閘極電壓特性中，在以對數表示的汲極電流的最大傾斜度的切線與1×10-12A的軸的交點上的閘極電壓為漂移值的情況下，在對氧化物半導體膜照射具有氧化物半導體膜的能帶間隙以上的能量的光時，光照射時的漂移值與光照射之前的漂移值的差異為-1V以上且0.5V以下。

Abstract in simplified Chinese: 在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体设备中可以抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体设备，其中，晶体管在信道区域中包括氧化物半导体膜，并且，在晶体管的汲极电流-闸极电压特性中，在以对数表示的汲极电流的最大倾斜度的切线与1×10-12A的轴的交点上的闸极电压为漂移值的情况下，在对氧化物半导体膜照射具有氧化物半导体膜的能带间隙以上的能量的光时，光照射时的漂移值与光照射之前的漂移值的差异为-1V以上且0.5V以下。

公开(公告)号：TW201528385A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103140843

申请日：2014-11-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典隆 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  中島基 ,  NAKASHIMA, MOTOKI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明提供一種用以製造包括具導電性之氧化物半導體薄膜之半導體裝置的方法，或一種用以製造包括具發光性質及導電性之氧化物半導體薄膜之半導體裝置的方法。用以製造半導體裝置之方法包括以下步驟：在第一絕緣薄膜上形成氧化物半導體薄膜；在氣氛中進行第一熱處理，其中氧化物半導體薄膜中所含有之氧釋放到該氣氛進行；以及在含氫氣氛中進行第二熱處理，以使得形成具導電性之氧化物半導體薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用以制造包括具导电性之氧化物半导体薄膜之半导体设备的方法，或一种用以制造包括具发光性质及导电性之氧化物半导体薄膜之半导体设备的方法。用以制造半导体设备之方法包括以下步骤：在第一绝缘薄膜上形成氧化物半导体薄膜；在气氛中进行第一热处理，其中氧化物半导体薄膜中所含有之氧释放到该气氛进行；以及在含氢气氛中进行第二热处理，以使得形成具导电性之氧化物半导体薄膜。