公开(公告)号：TW201544458A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104105678

申请日：2015-02-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  川鍋 千穂 ,  KAWANABE, CHIHO ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典隆 ,  ISHIHARA, NORITAKA

IPC: C01G15/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置。本發明提供一種氧化物半導體膜，使用束徑的半寬度為1nm的電子線在使氧化物半導體膜的位置與電子線的位置相對地移動時對氧化物半導體膜的被形成面進行照射，由此觀察到氧化物半導體膜具有的多個電子繞射圖案，多個電子繞射圖案具有在彼此不同的觀察地點觀察的50個以上的電子繞射圖案，第一電子繞射圖案與第二電子繞射圖案所占的比率之和為100%，第一電子繞射圖案所占的比率為90%以上，第一電子繞射圖案包括表示c軸朝向大致垂直於氧化物半導體膜的被形成面的方向的觀察點，第二電子繞射圖案包括不具有對稱性的觀察點或配置為如圓圈那樣的觀察區域。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体设备、显示设备以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子绕射图案，多个电子绕射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子绕射图案，第一电子绕射图案与第二电子绕射图案所占的比率之和为100%，第一电子绕射图案所占的比率为90%以上，第一电子绕射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子绕射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：TWI675004B

公开(公告)日：2019-10-21

申请号：TW104105678

申请日：2015-02-17

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 下村明久 ,  SHIMOMURA, AKIHISA ,  山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  佐藤裕平 ,  SATO, YUHEI ,  石山貴久 ,  ISHIYAMA, TAKAHISA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  川鍋 千穂 ,  KAWANABE, CHIHO ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典隆 ,  ISHIHARA, NORITAKA

IPC: C01G15/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24

公开(公告)号：TW201528385A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103140843

申请日：2014-11-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典隆 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  中島基 ,  NAKASHIMA, MOTOKI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明提供一種用以製造包括具導電性之氧化物半導體薄膜之半導體裝置的方法，或一種用以製造包括具發光性質及導電性之氧化物半導體薄膜之半導體裝置的方法。用以製造半導體裝置之方法包括以下步驟：在第一絕緣薄膜上形成氧化物半導體薄膜；在氣氛中進行第一熱處理，其中氧化物半導體薄膜中所含有之氧釋放到該氣氛進行；以及在含氫氣氛中進行第二熱處理，以使得形成具導電性之氧化物半導體薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用以制造包括具导电性之氧化物半导体薄膜之半导体设备的方法，或一种用以制造包括具发光性质及导电性之氧化物半导体薄膜之半导体设备的方法。用以制造半导体设备之方法包括以下步骤：在第一绝缘薄膜上形成氧化物半导体薄膜；在气氛中进行第一热处理，其中氧化物半导体薄膜中所含有之氧释放到该气氛进行；以及在含氢气氛中进行第二热处理，以使得形成具导电性之氧化物半导体薄膜。