公开(公告)号：TWI650834B

公开(公告)日：2019-02-11

申请号：TW104106498

申请日：2015-03-02

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI

IPC: H01L21/822 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TW201528385A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103140843

申请日：2014-11-25

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  石原典隆 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  中島基 ,  NAKASHIMA, MOTOKI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本發明提供一種用以製造包括具導電性之氧化物半導體薄膜之半導體裝置的方法，或一種用以製造包括具發光性質及導電性之氧化物半導體薄膜之半導體裝置的方法。用以製造半導體裝置之方法包括以下步驟：在第一絕緣薄膜上形成氧化物半導體薄膜；在氣氛中進行第一熱處理，其中氧化物半導體薄膜中所含有之氧釋放到該氣氛進行；以及在含氫氣氛中進行第二熱處理，以使得形成具導電性之氧化物半導體薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用以制造包括具导电性之氧化物半导体薄膜之半导体设备的方法，或一种用以制造包括具发光性质及导电性之氧化物半导体薄膜之半导体设备的方法。用以制造半导体设备之方法包括以下步骤：在第一绝缘薄膜上形成氧化物半导体薄膜；在气氛中进行第一热处理，其中氧化物半导体薄膜中所含有之氧释放到该气氛进行；以及在含氢气氛中进行第二热处理，以使得形成具导电性之氧化物半导体薄膜。

公开(公告)号：TW201537682A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW104106498

申请日：2015-03-02

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  山田良則 ,  YAMADA, YOSHINORI ,  野中裕介 ,  NONAKA, YUSUKE ,  太田将志 ,  OOTA, MASASHI ,  黒澤陽一 ,  KUROSAWA, YOICHI ,  石原典 ,  ISHIHARA, NORITAKA ,  浜田崇 ,  HAMADA, TAKASHI ,  一條充弘 ,  ICHIJO, MITSUHIRO ,  恵木勇司 ,  EGI, YUJI

IPC: H01L21/822 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一種可用於電晶體的半導體等的氧化物的製造方法。尤其是，提供一種晶界等缺陷少的氧化物的製造方法。本發明的一個方式是一種半導體裝置，包括：氧化物半導體；絕緣體；以及導電體，其中，氧化物半導體包括氧化物半導體與導電體隔著絕緣體彼此重疊的區域，並且，氧化物半導體包含等效圓直徑為1nm以上的晶粒和等效圓直徑小於1nm的晶粒。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种可用于晶体管的半导体等的氧化物的制造方法。尤其是，提供一种晶界等缺陷少的氧化物的制造方法。本发明的一个方式是一种半导体设备，包括：氧化物半导体；绝缘体；以及导电体，其中，氧化物半导体包括氧化物半导体与导电体隔着绝缘体彼此重叠的区域，并且，氧化物半导体包含等效圆直径为1nm以上的晶粒和等效圆直径小于1nm的晶粒。