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    半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置或該顯示模組的電子裝置
    3.
    发明专利
    半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置或該顯示模組的電子裝置 审中-公开
    半导体设备、具有该半导体设备的显示设备、具有该显示设备的显示模块以及具有该半导体设备、该显示设备或该显示模块的电子设备

    公开(公告)号：TW201533913A

    公开(公告)日：2015-09-01

    申请号：TW104106352

    申请日：2015-02-26

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/26 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

    Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是在使用具有氧化物半導體的電晶體中抑制電特性的變動且提高可靠性。本發明的一個方式是一種具有電晶體的半導體裝置，該電晶體包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的第二絕緣膜；第二絕緣膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜電連接的源極電極；與氧化物半導體膜電連接的汲極電極；源極電極上的第三絕緣膜；汲極電極上的第四絕緣膜；以及氧化物半導體膜上的第五絕緣膜，第五絕緣膜包含氧，第三絕緣膜具有第一部分，第四絕緣膜具有第二部分，第五絕緣膜具有第三部分，利用熱脫附譜分析法測得的第一部分的氧分子的釋放量少於第三部分的氧分子的釋放量，且第二部分的氧分子 的釋放量少於第三部分的氧分子的釋放量。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是在使用具有氧化物半导体的晶体管中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种具有晶体管的半导体设备，该晶体管包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源极电极；与氧化物半导体膜电连接的汲极电极；源极电极上的第三绝缘膜；汲极电极上的第四绝缘膜；以及氧化物半导体膜上的第五绝缘膜，第五绝缘膜包含氧，第三绝缘膜具有第一部分，第四绝缘膜具有第二部分，第五绝缘膜具有第三部分，利用热脱附谱分析法测得的第一部分的氧分子的释放量少于第三部分的氧分子的释放量，且第二部分的氧分子 的释放量少于第三部分的氧分子的释放量。

    半導體裝置及具有其之顯示裝置
    6.
    发明专利
    半導體裝置及具有其之顯示裝置 审中-公开
    半导体设备及具有其之显示设备

    公开(公告)号：TW201545359A

    公开(公告)日：2015-12-01

    申请号：TW104112074

    申请日：2015-04-15

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41

    CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648

    Abstract: 本發明的一個方式的目的之一是在使用包含氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中抑制電特性的變動且提高可靠性。本發明的一個方式是一種包括電晶體的半導體裝置，該電晶體包括：閘極電極；閘極電極上的第一絕緣膜；第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；與氧化物半導體膜電連接的源極電極；以及與氧化物半導體膜電連接的汲極電極，在電晶體上設置有第二絕緣膜，在第二絕緣膜上設置有保護膜，第二絕緣膜包含氧，且保護膜包含與氧化物半導體膜相同的金屬元素中的至少一個。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体设备中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体设备，该晶体管包括：闸极电极；闸极电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源极电极；以及与氧化物半导体膜电连接的汲极电极，在晶体管上设置有第二绝缘膜，在第二绝缘膜上设置有保护膜，第二绝缘膜包含氧，且保护膜包含与氧化物半导体膜相同的金属元素中的至少一个。

    半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置
    9.
    发明专利
    半導體裝置、包括該半導體裝置的顯示裝置 审中-公开
    半导体设备、包括该半导体设备的显示设备

    公开(公告)号：TW201608644A

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：TW104115118

    申请日：2015-05-12

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  生内俊光 ,  OBONAI, TOSHIMITSU

    IPC: H01L21/44 ,  H01L27/12

    CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

    Abstract: 在使用包含氧化物半導體的電晶體的半導體裝置中可以抑制電特性的變動且提高可靠性。本發明的一個方式是一種包括電晶體的半導體裝置，其中，電晶體在通道區域中包括氧化物半導體膜，並且，在電晶體的汲極電流-閘極電壓特性中，在以對數表示的汲極電流的最大傾斜度的切線與1×10-12A的軸的交點上的閘極電壓為漂移值的情況下，在對氧化物半導體膜照射具有氧化物半導體膜的能帶間隙以上的能量的光時，光照射時的漂移值與光照射之前的漂移值的差異為-1V以上且0.5V以下。

    Abstract in simplified Chinese: 在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体设备中可以抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体设备，其中，晶体管在信道区域中包括氧化物半导体膜，并且，在晶体管的汲极电流-闸极电压特性中，在以对数表示的汲极电流的最大倾斜度的切线与1×10-12A的轴的交点上的闸极电压为漂移值的情况下，在对氧化物半导体膜照射具有氧化物半导体膜的能带间隙以上的能量的光时，光照射时的漂移值与光照射之前的漂移值的差异为-1V以上且0.5V以下。

    半導體裝置
    10.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201531764A

    公开(公告)日：2015-08-16

    申请号：TW104104115

    申请日：2015-02-06

    Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    Inventor： 肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  島行徳 ,  SHIMA, YUKINORI ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  中田昌孝 ,  NAKADA, MASATAKA ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

    IPC: G02F1/01 ,  G02F1/015 ,  G02F1/025

    CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    Abstract: 提供一種使用氧化物半導體的通態電流大的半導體裝置。本發明的一個方式是一種包括設置在驅動電路部的第一電晶體和設置在像素部的第二電晶體的半導體裝置，其中第一電晶體的結構不同於第二電晶體。第一電晶體和第二電晶體具有頂閘極結構，在氧化物半導體膜中的與閘極電極不重疊的區域中包含雜質元素。氧化物半導體膜中的包含雜質元素的區域具有低電阻區域的功能。氧化物半導體膜中的包含雜質元素的區域與包含氫的膜接觸。另外，也可以包括在包含氫的膜的開口部中與包含雜質元素的區域接觸且具有源極電極以及汲極電極的功能的導電膜。注意，設置在驅動電路部的第一電晶體包括隔著氧化物半導體膜重疊的兩個閘極電極。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种使用氧化物半导体的通态电流大的半导体设备。本发明的一个方式是一种包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管的半导体设备，其中第一晶体管的结构不同于第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管具有顶闸极结构，在氧化物半导体膜中的与闸极电极不重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源极电极以及汲极电极的功能的导电膜。注意，设置在驱动电路部的第一晶体管包括隔着氧化物半导体膜重叠的两个闸极电极。

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