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公开(公告)号：TWI559497B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW101102258
申请日：2012-01-19
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 戶松浩之 , TOMATSU, HIROYUKI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L21/84 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1222 , H01L27/1251
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公开(公告)号：TWI490981B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW098134617
申请日：2009-10-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 田所麻美 , TADOKORO, ASAMI , 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , G06K19/07
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L21/8222
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公开(公告)号：TWI536502B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101115996
申请日：2012-05-04
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI
IPC: H01L21/8244 , H01L27/11
CPC classification number: G11C16/0433 , G11C11/403
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公开(公告)号：TWI522791B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101116524
申请日：2012-05-09
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI , 王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO
CPC classification number: G06F12/08 , G06F1/3275 , G11C11/005 , G11C11/404 , H01L27/10873 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , Y02D10/14
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公开(公告)号：TW201324335A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101117373
申请日：2012-05-16
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO
CPC classification number: H03K19/17728 , H03K19/1737 , H03K19/17772 , H03K19/17776
Abstract: 一目標在於提出一種半導體裝置，其甚至在停止供應電源電壓之後，可維持邏輯電路單元之間的連接關係或邏輯電路單元之各者的電路組態。另一目標在於提出一種半導體裝置，在其中可高速改變邏輯電路單元之間的連接關係或邏輯電路單元之各者的電路組態。在可重組態電路中，氧化物半導體係用於一儲存在電路組態上之資料、連接關係或之類的半導體元件。具體來說，氧化物半導體係用於半導體元件的一通道形成區。
Abstract in simplified Chinese: 一目标在于提出一种半导体设备，其甚至在停止供应电源电压之后，可维持逻辑电路单元之间的连接关系或逻辑电路单元之各者的电路组态。另一目标在于提出一种半导体设备，在其中可高速改变逻辑电路单元之间的连接关系或逻辑电路单元之各者的电路组态。在可重组态电路中，氧化物半导体系用于一存储在电路组态上之数据、连接关系或之类的半导体组件。具体来说，氧化物半导体系用于半导体组件的一信道形成区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202030599A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109102742
申请日：2012-05-16
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI , 塩野入豊 , SHIONOIRI, YUTAKA , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO
Abstract: 一目標在於提出一種半導體裝置，其甚至在停止供應電源電壓之後，可維持邏輯電路單元之間的連接關係或邏輯電路單元之各者的電路組態。另一目標在於提出一種半導體裝置，在其中可高速改變邏輯電路單元之間的連接關係或邏輯電路單元之各者的電路組態。在可重組態電路中，氧化物半導體係用於一儲存在電路組態上之資料、連接關係或之類的半導體元件。具體來說，氧化物半導體係用於半導體元件的一通道形成區。
Abstract in simplified Chinese: 一目标在于提出一种半导体设备，其甚至在停止供应电源电压之后，可维持逻辑电路单元之间的连接关系或逻辑电路单元之各者的电路组态。另一目标在于提出一种半导体设备，在其中可高速改变逻辑电路单元之间的连接关系或逻辑电路单元之各者的电路组态。在可重组态电路中，氧化物半导体系用于一存储在电路组态上之数据、连接关系或之类的半导体组件。具体来说，氧化物半导体系用于半导体组件的一信道形成区。
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公开(公告)号：TW201818382A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105137947
申请日：2016-11-18
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI
Abstract: 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的電路、功耗低的電路、能夠縮小面積的電路或通用性高的電路。驅動電路具有向多個像素群供應影像信號的功能並被多個像素群共用。此外，向生成影像信號的線供應電力，並停止向不生成影像信號的線供應電力。因此，即使在驅動電路被多個像素群共用的情況下也可以停止向在生成影像信號時不使用的電路供應電力，由此可以同時實現驅動電路的面積的縮小和功耗的減少。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的电路、功耗低的电路、能够缩小面积的电路或通用性高的电路。驱动电路具有向多个像素群供应影像信号的功能并被多个像素群共享。此外，向生成影像信号的线供应电力，并停止向不生成影像信号的线供应电力。因此，即使在驱动电路被多个像素群共享的情况下也可以停止向在生成影像信号时不使用的电路供应电力，由此可以同时实现驱动电路的面积的缩小和功耗的减少。
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公开(公告)号：TWI537818B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101117379
申请日：2012-05-16
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI , 前橋幸男 , MAEHASHI, YUKIO
IPC: G06F7/44
CPC classification number: H03K3/356156 , H03K21/023 , H03K23/44 , H03K23/52
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公开(公告)号：TWI534823B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101104061
申请日：2012-02-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI
IPC: G11C5/10
CPC classification number: G11C11/40 , G11C5/005 , G11C5/06 , G11C7/00 , G11C7/20 , G11C11/34 , G11C14/00 , G11C14/0009 , G11C14/0054 , H01L29/7869 , H01L29/788 , H01L29/792
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公开(公告)号：TW201308521A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101115996
申请日：2012-05-04
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 藤田雅史 , FUJITA, MASASHI
IPC: H01L21/8244 , H01L27/11
CPC classification number: G11C16/0433 , G11C11/403
Abstract: 提出一種具有新穎結構的非揮發性記憶體電路。包括一第一記憶體電路、一第二記憶體電路、一第一開關、一第二開關、及一相位反向器電路。第一記憶體電路包括一使用一氧化物半導體膜形成的第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、及一電容器。使用氧化物半導體膜形成的第一電晶體及電容器係用來形成非揮發性記憶體電路。連到記憶體電路及在記憶體電路中使用之電晶體的電源供應線及信號線之數量的減少使非揮發性記憶體電路的電路規模能縮小。
Abstract in simplified Chinese: 提出一种具有新颖结构的非挥发性内存电路。包括一第一内存电路、一第二内存电路、一第一开关、一第二开关、及一相位反向器电路。第一内存电路包括一使用一氧化物半导体膜形成的第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、及一电容器。使用氧化物半导体膜形成的第一晶体管及电容器系用来形成非挥发性内存电路。连到内存电路及在内存电路中使用之晶体管的电源供应线及信号线之数量的减少使非挥发性内存电路的电路规模能缩小。
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