公开(公告)号：TW201727752A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW106108757

申请日：2010-08-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近0V，但不會視通道長度而定。

Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近0V，但不会视信道长度而定。

公开(公告)号：TWI559497B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW101102258

申请日：2012-01-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 藤田雅史 ,  FUJITA, MASASHI ,  鹽野入豐 ,  SHIONOIRI, YUTAKA ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  小林英智 ,  KOBAYASHI, HIDETOMO

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/84 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251

公开(公告)号：TWI587400B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW105110572

申请日：2010-08-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI548057B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW101113603

申请日：2012-04-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L27/0688

公开(公告)号：TW201628088A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW105110572

申请日：2010-08-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近OV，但不會視通道長度而定。

Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近OV，但不会视信道长度而定。

公开(公告)号：TW201543579A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：TW104125414

申请日：2010-08-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近OV，但不會視通道長度而定。

Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近OV，但不会视信道长度而定。

公开(公告)号：TW201834074A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW107118544

申请日：2010-08-31

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

Abstract: 發明之目的在於提供包含氧化物半導體膜之薄膜電晶體的結構之製造方法，其中，形成通道的臨界電壓為正的且儘可能接近0V。形成保護絕緣層以覆蓋包含藉由第一熱處理來予以脫水或脫氫的氧化物半導電層的薄膜電晶體，並且，以低於第一熱處理的溫度之溫度，執行溫度升上及下降重複多次的第二熱處理，因而可以製造包含氧化物半導電層的薄膜電晶體，其中，形成通道的臨界電壓是正的且儘可能接近0V，但不會視通道長度而定。

Abstract in simplified Chinese: 发明之目的在于提供包含氧化物半导体膜之薄膜晶体管的结构之制造方法，其中，形成信道的临界电压为正的且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包含借由第一热处理来予以脱水或脱氢的氧化物半导电层的薄膜晶体管，并且，以低于第一热处理的温度之温度，运行温度升上及下降重复多次的第二热处理，因而可以制造包含氧化物半导电层的薄膜晶体管，其中，形成信道的临界电压是正的且尽可能接近0V，但不会视信道长度而定。

公开(公告)号：TWI632613B

公开(公告)日：2018-08-11

申请号：TW106108757

申请日：2010-08-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TWI539534B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW104125414

申请日：2010-08-31

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 津吹將志 ,  TSUBUKU, MASASHI ,  吉富修平 ,  YOSHITOMI, SHUHEI ,  辻隆博 ,  TUJI, TAKAHIRO ,  細羽美雪 ,  HOSOBA, MIYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO ,  戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201308350A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101115826

申请日：2012-05-03

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 戶松浩之 ,  TOMATSU, HIROYUKI ,  小林英智 ,  KOBAYASHI, HIDETOMO ,  鹽野入豐 ,  SHIONOIRI, YUTAKA

IPC: G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C8/14 ,  G11C11/401

CPC classification number: H01L27/1156 ,  G11C7/02 ,  G11C11/4085 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094

Abstract: 本發明的課題是不增大字線的負載而降低產生在字線的雜波。本發明是一種半導體裝置，其中，至少包括一個切換元件的多個記憶元件配置為矩陣狀，所述記憶元件的每一個與字線和位元線分別電連接，所述字線與少數載子實際上不存在的電晶體的閘極(或者源極及汲極)連接，並且，藉由控制所述少數載子實際上不存在的電晶體的源極及汲極(或閘極)的電位而進行所述少數載子實際上不存在的電晶體的電容值的控制。所述少數載子實際上不存在的電晶體使用寬能隙半導體設置即可。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是不增大字线的负载而降低产生在字线的杂波。本发明是一种半导体设备，其中，至少包括一个切换组件的多个记忆组件配置为矩阵状，所述记忆组件的每一个与字线和比特线分别电连接，所述字线与少数载子实际上不存在的晶体管的闸极(或者源极及汲极)连接，并且，借由控制所述少数载子实际上不存在的晶体管的源极及汲极(或闸极)的电位而进行所述少数载子实际上不存在的晶体管的电容值的控制。所述少数载子实际上不存在的晶体管使用宽能隙半导体设置即可。