公开(公告)号：TW492147B

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：TW090121654

申请日：2001-08-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳筆聰 ,  李連忠 ,  章勳明 ,  古淑娥 ,  包天一 ,  黎麗萍

IPC: H01L

Abstract: 一種形成黏性強化層於銅層與蝕刻停止層間的方法，其至少包含下列步驟：形成一黏性強化層於一銅層之上，其中此銅層位於一半導體基底上，而此黏性強化層之形成方法包含以氮氣、氧氣、氮氣與烷基矽烷之混合氣體、或烷基矽烷為反應氣體，利用電漿增強式化學汽相沈積法沉積而得；形成一蝕刻停止層於此黏性強化層之上。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法，其至少包含下列步骤：形成一黏性强化层于一铜层之上，其中此铜层位于一半导体基底上，而此黏性强化层之形成方法包含以氮气、氧气、氮气与烷基硅烷之混合气体、或烷基硅烷为反应气体，利用等离子增强式化学汽相沉积法沉积而得；形成一蚀刻停止层于此黏性强化层之上。