公开(公告)号：TW201833989A

公开(公告)日：2018-09-16

申请号：TW106135676

申请日：2017-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林經祥 ,  LIN, CHIN HSIANG ,  黃泰鈞 ,  HUANG, TAI CHUN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 根據本發明一些實施例，提供一種半導體結構的製造方法。上述方法包含凹蝕閘極電極，其位於基底上的半導體鰭片上，使介電層的上表面形成第一凹陷。上述方法包含形成第一遮罩於凹蝕的閘極電極上的第一凹陷內。上述方法亦包含凹蝕第一導電接觸物，其位於半導體鰭片的源極/汲極區上，使介電層的上表面形成第二凹陷。上述方法更包含形成第二遮罩於凹蝕的第一導電接觸物上的第二凹陷內。

Abstract in simplified Chinese: 根据本发明一些实施例，提供一种半导体结构的制造方法。上述方法包含凹蚀闸极电极，其位于基底上的半导体鳍片上，使介电层的上表面形成第一凹陷。上述方法包含形成第一遮罩于凹蚀的闸极电极上的第一凹陷内。上述方法亦包含凹蚀第一导电接触物，其位于半导体鳍片的源极/汲极区上，使介电层的上表面形成第二凹陷。上述方法更包含形成第二遮罩于凹蚀的第一导电接触物上的第二凹陷内。

公开(公告)号：TWI605561B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW104139610

申请日：2015-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡政勳 ,  TSAI, CHENG HSIUNG ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283

公开(公告)号：TW201727860A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105141744

申请日：2016-12-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN

IPC: H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295

Abstract: 根據一些實施例，本發明提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括基底。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一導電結構。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一介電層。第一介電層具有暴露第一導電結構的第一開口。半導體裝置結構包括覆蓋第一開口的第一內壁之覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導電結構的第二開口。覆蓋層包括金屬氧化物。半導體裝置結構包括第二導電結構，其填入第一開口且被覆蓋層所圍繞。第二導電結構電性連接至第一導電結構。

Abstract in simplified Chinese: 根据一些实施例，本发明提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括基底。半导体设备结构包括位于基底上方之第一导电结构。半导体设备结构包括位于基底上方之第一介电层。第一介电层具有暴露第一导电结构的第一开口。半导体设备结构包括覆盖第一开口的第一内壁之覆盖层，且覆盖层具有暴露第一导电结构的第二开口。覆盖层包括金属氧化物。半导体设备结构包括第二导电结构，其填入第一开口且被覆盖层所围绕。第二导电结构电性连接至第一导电结构。

公开(公告)号：TWI561871B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW101122935

申请日：2012-06-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李宛諭 ,  LEE, WAN YU ,  曾俊豪 ,  TSENG, CHUN HAO ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

CPC classification number: G02B6/4214 ,  G02B6/4246 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02252 ,  H01L2924/00011

公开(公告)号：TWI553706B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW103144919

申请日：2014-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林伯俊 ,  LIN, BO JIUN ,  姚欣潔 ,  YAO, HSIN CHIEH ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66

CPC classification number: G03F9/7069 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/956 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2021/8825 ,  G01N2021/95676 ,  G01N2201/061 ,  G01N2201/06113 ,  G03F7/70633 ,  H01L21/027 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

公开(公告)号：TWI538128B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW103145046

申请日：2014-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡政勳 ,  TSAI, CHENGHSIUNG ,  包天一 ,  BAO, TIENI ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAICHING ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNGJU

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI538100B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW102148625

申请日：2013-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林伯俊 ,  LIN, BO JIUN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/7685 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201430396A

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：TW102114849

申请日：2013-04-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

Inventor： 曾俊豪 ,  TSENG, CHUN HAO ,  郭英顥 ,  KUO, YING HAO ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: G02B3/00

CPC classification number: B05D5/06 ,  G02B3/00 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/0043 ,  G02B6/136

Abstract: 本發明係提供一種光學元件結構及其製造方法，該光學元件製造方法包括，提供一基板，並於其上形成一突出物，以及藉由一沈積方法在該突出物及該基板上形成一覆蓋塗覆層，以形成一光學元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种光学组件结构及其制造方法，该光学组件制造方法包括，提供一基板，并于其上形成一突出物，以及借由一沉积方法在该突出物及该基板上形成一覆盖涂覆层，以形成一光学组件。

公开(公告)号：TW201419381A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102139908

申请日：2013-11-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張鈺聲 ,  CHANG, YU SHENG ,  蔡宗容 ,  TSAI, TSUNG JUNG ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337

Abstract: 本發明提供一種定向自組裝微影製程，包括：形成一圖案化硬罩幕層，其具有一溝槽形成於前述圖案化罩幕層中；施敷一塊狀共聚物塗層(bulk co-polymer coating)至前述溝槽中，其中前述塊狀共聚物塗層包括聚苯乙烯(PS)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；執行一退火於前述塊狀共聚物塗層上以形成複數個聚苯乙烯條塊(strip)以及複數個聚甲基丙烯酸甲酯條塊；以及選擇性蝕刻去前述複數個聚甲基丙烯酸甲酯條塊並留下前述複數個聚苯乙烯條塊。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种定向自组装微影制程，包括：形成一图案化硬罩幕层，其具有一沟槽形成于前述图案化罩幕层中；施敷一块状共聚物涂层(bulk co-polymer coating)至前述沟槽中，其中前述块状共聚物涂层包括聚苯乙烯(PS)以及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；运行一退火于前述块状共聚物涂层上以形成复数个聚苯乙烯条块(strip)以及复数个聚甲基丙烯酸甲酯条块；以及选择性蚀刻去前述复数个聚甲基丙烯酸甲酯条块并留下前述复数个聚苯乙烯条块。

公开(公告)号：TWI324805B

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：TW096100901

申请日：2007-01-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳奕伊 ,  包天一 ,  鄭雙銘 ,  余振華

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本發明提供一種低介電常數介電層的形成方法，包括：形成一材料層於一基底上，材料層包括一生孔劑散佈於一未固化的基材中；以具有一第一波長之放射線照射材料層使未固化的基材內形成細孔；以及以一具有第二波長之放射線照射材料層。 A method of manufacturing a semiconductor device having a low－k dielectric layer is provided. An embodiment comprises forming a dielectric layer on a substrate, wherein the layer comprises a pore generating material dispersed in an uncured matrix. A second step comprises forming pores in the uncured matrix by irradiating the layer with radiation having a first wavelength. After pore forming, a third step comprises cross－linking the dielectric by irradiating it at a second wavelength, the second being less than the first. In an embodiment, the irradiating wavelengths comprise ultra－violet radiation. Embodiments may further include repairing processing damage wherein the damage includes dangling bonds or silanol formation. The repairing includes annealing in a carbon－containing ambient such as C2 H4, C3 H6, or hexamethyldisilazane (HMDS). 【創作特點】 有鑑於此，本發明提供一種低介電常數介電層的形成方法，包括：形成一材料層於一基底上，材料層包括一生孔劑散佈於一未固化的基材中；以具有一第一波長之放射線照射材料層使未固化的基材內形成細孔；以及以一具有第二波長之放射線照射材料層。
本發明另提供一種修補含碳之低介電常數介電層之損害的方法，包括：形成一材料於一基底，其中材料層包括一生孔劑散佈於一基材材料中；以具有一第一波長之放射線照射材料層使基材材料內形成細孔；以具有一第二波長之放射線照射材料層，其中該第二波長小於第一波長；以及於一含碳的環境中對材料實施退火。
本發明更提供一種於低介電常數介電層中形成鑲嵌內連線的方法，包括：形成一低介電常數介電層，其中該低介電常數介電層包括一生孔劑；製作一鑲嵌內連線結構於低介電常數介電層中；在鑲嵌內連線結構形成後，以具有一第一波長之紫外光照射低介電常數介電層並形成複數個細孔於其中；在該些細孔形成後，以具有一第二波長之紫外光照射低介電常數介電層並使其發生交聯反應，其中第二波長小於該第一波長。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种低介电常数介电层的形成方法，包括：形成一材料层于一基底上，材料层包括一生孔剂散布于一未固化的基材中；以具有一第一波长之放射线照射材料层使未固化的基材内形成细孔；以及以一具有第二波长之放射线照射材料层。 A method of manufacturing a semiconductor device having a low－k dielectric layer is provided. An embodiment comprises forming a dielectric layer on a substrate, wherein the layer comprises a pore generating material dispersed in an uncured matrix. A second step comprises forming pores in the uncured matrix by irradiating the layer with radiation having a first wavelength. After pore forming, a third step comprises cross－linking the dielectric by irradiating it at a second wavelength, the second being less than the first. In an embodiment, the irradiating wavelengths comprise ultra－violet radiation. Embodiments may further include repairing processing damage wherein the damage includes dangling bonds or silanol formation. The repairing includes annealing in a carbon－containing ambient such as C2 H4, C3 H6, or hexamethyldisilazane (HMDS). 【创作特点】 有鉴于此，本发明提供一种低介电常数介电层的形成方法，包括：形成一材料层于一基底上，材料层包括一生孔剂散布于一未固化的基材中；以具有一第一波长之放射线照射材料层使未固化的基材内形成细孔；以及以一具有第二波长之放射线照射材料层。 本发明另提供一种修补含碳之低介电常数介电层之损害的方法，包括：形成一材料于一基底，其中材料层包括一生孔剂散布于一基材材料中；以具有一第一波长之放射线照射材料层使基材材料内形成细孔；以具有一第二波长之放射线照射材料层，其中该第二波长小于第一波长；以及于一含碳的环境中对材料实施退火。 本发明更提供一种于低介电常数介电层中形成镶嵌内连接的方法，包括：形成一低介电常数介电层，其中该低介电常数介电层包括一生孔剂；制作一镶嵌内连接结构于低介电常数介电层中；在镶嵌内连接结构形成后，以具有一第一波长之紫外光照射低介电常数介电层并形成复数个细孔于其中；在该些细孔形成后，以具有一第二波长之紫外光照射低介电常数介电层并使其发生交联反应，其中第二波长小于该第一波长。