公开(公告)号：TWI567868B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW102116018

申请日：2013-05-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴志明 ,  LAI, CHIH MING ,  黃文俊 ,  HUANG, WEN CHUN ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN ,  陳筆聰 ,  CHEN, PI TSUNG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI318434B

公开(公告)日：2009-12-11

申请号：TW093132960

申请日：2004-10-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 吳振誠 ,  周子仁 ,  張文 ,  盧永誠 ,  章勳明 ,  梁孟松 ,  林耕竹 ,  陳筆聰

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有第一銅金屬層之半導體基底，之後，依序形成蝕刻終止層與介電層於第一銅金屬層與半導體基底上。第二銅金屬層穿過介電層與蝕刻終止層並與第一銅金屬層產生電性連接，其中蝕刻終止層之介電常數係小於3.5，介電層之介電常數係小於3.0。 A semiconductor substrate has a first copper layer, on which an etch stop layer and a dielectric layer are successively formed. A second copper layer penetrates the dielectric layer and the etch stop layer to electrically connect to the first metal layer. The etch stop layer has a dielectric constant smaller than 3.5, and the dielectric layer has a dielectric constant smaller than 3.0.

Abstract in simplified Chinese: 提供具有第一铜金属层之半导体基底，之后，依序形成蚀刻终止层与介电层于第一铜金属层与半导体基底上。第二铜金属层穿过介电层与蚀刻终止层并与第一铜金属层产生电性连接，其中蚀刻终止层之介电常数系小于3.5，介电层之介电常数系小于3.0。 A semiconductor substrate has a first copper layer, on which an etch stop layer and a dielectric layer are successively formed. A second copper layer penetrates the dielectric layer and the etch stop layer to electrically connect to the first metal layer. The etch stop layer has a dielectric constant smaller than 3.5, and the dielectric layer has a dielectric constant smaller than 3.0.

公开(公告)号：TW544779B

公开(公告)日：2003-08-01

申请号：TW091116652

申请日：2002-07-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 姚志翔 ,  李連忠 ,  章勳明 ,  陳筆聰

IPC: H01L

Abstract: 一種防止電弧放電(Arcing)之方法及機台。此方法係在微影(Photolithograph)步驟後利用不透光晶圓盒(Pod)儲放晶圓。因此，可防止在晶圓運送過程中，因可見光的照射而引發電弧放電。另外，此防止電弧放電之機台則係設置在微影設備中，可在微影步驟後，隨即臨場(In-situ)去除或中和曝光時所產生的負電荷，而避免電弧放電。

Abstract in simplified Chinese: 一种防止电弧放电(Arcing)之方法及机台。此方法系在微影(Photolithograph)步骤后利用不透光晶圆盒(Pod)储放晶圆。因此，可防止在晶圆运送过程中，因可见光的照射而引发电弧放电。另外，此防止电弧放电之机台则系设置在微影设备中，可在微影步骤后，随即临场(In-situ)去除或中和曝光时所产生的负电荷，而避免电弧放电。

公开(公告)号：TW201347091A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102116018

申请日：2013-05-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴志明 ,  LAI, CHIH MING ,  黃文俊 ,  HUANG, WEN CHUN ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN ,  陳筆聰 ,  CHEN, PI TSUNG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明一實施例提供一種半導體元件，包括：一第一導電元件；一第一導電通道，配置於第一導電元件上，並與第一導電元件電性連接；一第二導電通道，配置於第一導電通道上，並與第一導電通道電性連接，第二導電通道不同於第一導電通道；以及一第二導電元件，配置於第二導電通道上，並與第二導電通道電性連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种半导体组件，包括：一第一导电组件；一第一导电信道，配置于第一导电组件上，并与第一导电组件电性连接；一第二导电信道，配置于第一导电信道上，并与第一导电信道电性连接，第二导电信道不同于第一导电信道；以及一第二导电组件，配置于第二导电信道上，并与第二导电信道电性连接。

公开(公告)号：TWI318423B

公开(公告)日：2009-12-11

申请号：TW092119625

申请日：2003-07-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  陳筆聰 ,  陳盈和

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種增加介電層與基底間連接強度之結構及增加介電層與基底間連接強度的方法，方法首先提供一具有線路層區及空乏區之基底；於基底上形成具有第一開口及第二開口之至少一介電層，第一開口露出線路層區，且該第二開口穿入部分半導體基底；於介電層上形成一填滿第一開口及第二開口之金屬層；然後，於介電層、第一開口及第二開口之表面上順應性形成阻障層後，在第一開口及第二開口形成一金屬層以分別形成內連線接觸及金屬連接插塞。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种增加介电层与基底间连接强度之结构及增加介电层与基底间连接强度的方法，方法首先提供一具有线路层区及空乏区之基底；于基底上形成具有第一开口及第二开口之至少一介电层，第一开口露出线路层区，且该第二开口穿入部分半导体基底；于介电层上形成一填满第一开口及第二开口之金属层；然后，于介电层、第一开口及第二开口之表面上顺应性形成阻障层后，在第一开口及第二开口形成一金属层以分别形成内连接接触及金属连接插塞。

公开(公告)号：TW492147B

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：TW090121654

申请日：2001-08-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳筆聰 ,  李連忠 ,  章勳明 ,  古淑娥 ,  包天一 ,  黎麗萍

IPC: H01L

Abstract: 一種形成黏性強化層於銅層與蝕刻停止層間的方法，其至少包含下列步驟：形成一黏性強化層於一銅層之上，其中此銅層位於一半導體基底上，而此黏性強化層之形成方法包含以氮氣、氧氣、氮氣與烷基矽烷之混合氣體、或烷基矽烷為反應氣體，利用電漿增強式化學汽相沈積法沉積而得；形成一蝕刻停止層於此黏性強化層之上。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法，其至少包含下列步骤：形成一黏性强化层于一铜层之上，其中此铜层位于一半导体基底上，而此黏性强化层之形成方法包含以氮气、氧气、氮气与烷基硅烷之混合气体、或烷基硅烷为反应气体，利用等离子增强式化学汽相沉积法沉积而得；形成一蚀刻停止层于此黏性强化层之上。