公开(公告)号：TWI356442B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：TW094120860

申请日：2005-06-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 柯忠祁 ,  張守一 ,  包天一 ,  章勳明

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/3122 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 一種低介電係數材質層的製造方法，適用於一之上。係將前驅物氣體導入一沉積製程反應室中以進介電係數材質的沉積。待低介電係數材質層完成沉後，保留至少一適當前驅物氣體之氣體源，以此前驅體所形成之電漿對低介電係數材質層進行後處理。

Abstract in simplified Chinese: 一种低介电系数材质层的制造方法，适用于一之上。系将前驱物气体导入一沉积制程反应室中以进介电系数材质的沉积。待低介电系数材质层完成沉后，保留至少一适当前驱物气体之气体源，以此前驱体所形成之等离子对低介电系数材质层进行后处理。