公开(公告)号：TWI682446B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW107133798

申请日：2018-09-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 高琬貽 ,  KAO, WAN YI ,  廖書翎 ,  LIAO, SHU LING ,  林翔偉 ,  LIN, HSIANG WEI ,  程德恩 ,  CHENG, TE EN ,  涂官瑤 ,  TU, GUAN YAO ,  林瑋耿 ,  LIN, WEI KEN ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG CHI ,  李俊德 ,  LI, CHUN TE

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/76

公开(公告)号：TWI625802B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW105140660

申请日：2016-12-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周家政 ,  CHOU, CHIA CHENG ,  紀志堅 ,  CHI, CHIH CHIEN ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG CHI ,  張耀仁 ,  CHANG, YAO JEN ,  高承遠 ,  KAO, CHEN YUAN ,  郭凱翔 ,  KUO, KAI SHIANG ,  施伯錚 ,  SHIH, PO CHENG ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG ,  阮俊億 ,  RUAN, JUN YI

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/532

公开(公告)号：TW201816845A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106110275

申请日：2017-03-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳濬凱 ,  CHEN, CHUN KAI ,  許仲豪 ,  SHIU, JUNG HAU ,  周家政 ,  CHOU, CHIA CHENG ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG CHI ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG ,  陳志壕 ,  CHEN, CHIH HAO ,  潘興強 ,  PAN, SHING CHYANG

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

Abstract: 一種積體電路結構之製造方法包括：形成具有碳原子百分比大於25%的含碳層於一第一硬式罩幕層上方；形成一蓋層於含碳層上方；形成一第一光阻於蓋層上方；以及利用第一光阻作為一第一蝕刻罩幕來蝕刻蓋層及含碳層。接著去除第一光阻，於蓋層上方形成一第二光阻。利用第二光阻作為一第二蝕刻罩幕來蝕刻蓋層及含碳層，接著去除第二光阻。利用含碳層作為一蝕刻罩幕來蝕刻含碳層下方的一第三光阻，利用第三光阻作為一蝕刻罩幕來蝕刻第三光阻下方的一介電層，以形成介層開口。於介層開口內填入一導電材料。

Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路结构之制造方法包括：形成具有碳原子百分比大于25%的含碳层于一第一硬式罩幕层上方；形成一盖层于含碳层上方；形成一第一光阻于盖层上方；以及利用第一光阻作为一第一蚀刻罩幕来蚀刻盖层及含碳层。接着去除第一光阻，于盖层上方形成一第二光阻。利用第二光阻作为一第二蚀刻罩幕来蚀刻盖层及含碳层，接着去除第二光阻。利用含碳层作为一蚀刻罩幕来蚀刻含碳层下方的一第三光阻，利用第三光阻作为一蚀刻罩幕来蚀刻第三光阻下方的一介电层，以形成介层开口。于介层开口内填入一导电材料。

公开(公告)号：TWI694524B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW107142232

申请日：2018-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖書翎 ,  LIAO, SHU LING ,  高琬貽 ,  KAO, WAN YI ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG CHI

IPC: H01L21/324

公开(公告)号：TWI666768B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW107121124

申请日：2018-06-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 高琬貽 ,  KAO, WAN YI ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG CHI

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TW201737312A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW105125068

申请日：2016-08-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 許仲豪 ,  SHIU, JUNG HAU ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG CHI ,  李資良 ,  LEE, TZE LIANG ,  謝文國 ,  HSIEH, WEN KUO ,  彭羽筠 ,  PENG, YU YUN

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: 一種形成導孔的方法，包含形成一介電層、形成一光阻於介電層上方、形成一第一遮罩層於光阻上方、以及形成一第二遮罩層於第一遮罩層上方。實施一第一微影第一蝕刻以形成一第一導孔圖案於第二遮罩層中，其中第一微影第一蝕刻停止於第一遮罩層的上表面。實施一第二微影第二蝕刻以形成一第二導孔圖案於第二遮罩層中，其中第二微影第二蝕刻停止於第一遮罩層的上表面。利用第二遮罩層作為一蝕刻遮罩以蝕刻第一遮罩層。蝕刻光阻以及介電層以同時將第一導孔圖案及第二導孔圖案轉移至介電層中。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成导孔的方法，包含形成一介电层、形成一光阻于介电层上方、形成一第一遮罩层于光阻上方、以及形成一第二遮罩层于第一遮罩层上方。实施一第一微影第一蚀刻以形成一第一导孔图案于第二遮罩层中，其中第一微影第一蚀刻停止于第一遮罩层的上表面。实施一第二微影第二蚀刻以形成一第二导孔图案于第二遮罩层中，其中第二微影第二蚀刻停止于第一遮罩层的上表面。利用第二遮罩层作为一蚀刻遮罩以蚀刻第一遮罩层。蚀刻光阻以及介电层以同时将第一导孔图案及第二导孔图案转移至介电层中。

公开(公告)号：TWI567895B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW103144594

申请日：2014-12-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 郭涵馨 ,  KUO, HANHSIN ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNGCHI ,  楊能傑 ,  YANG, NENGJYE ,  黃富明 ,  HUANG, FUMING ,  蔡及銘 ,  TSAI, CHIMING ,  陳亮光 ,  CHEN, LIANGGUANG

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW559990B

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW091120863

申请日：2002-09-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  呂新賢 ,  黎麗萍 ,  柯忠祁 ,  宋金穎 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 一種低介電常數材料之保護層的形成方法，包括下列步驟：沈積一低介電常數材料於一半導體基底上而形成一介電層；以及施行一電漿處理程序，以形成一保護層，其中上述電漿處理程序可以碳氫氣體或是碳氫氣體與氫氣之混合氣體之電漿處理，或是上述處理後再加上一氫氣之電漿處理。

Abstract in simplified Chinese: 一种低介电常数材料之保护层的形成方法，包括下列步骤：沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层；以及施行一等离子处理进程，以形成一保护层，其中上述等离子处理进程可以碳氢气体或是碳氢气体与氢气之混合气体之等离子处理，或是上述处理后再加上一氢气之等离子处理。

公开(公告)号：TWI697944B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW107141670

申请日：2018-11-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 高琬貽 ,  KAO, WAN YI ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG CHI

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/18

公开(公告)号：TW202015106A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：TW108121894

申请日：2019-06-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 高琬貽 ,  KAO, WAN-YI ,  柯忠祁 ,  KO, CHUNG-CHI

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一種形成半導體裝置的方法，包含形成閒置閘極堆疊於晶圓的半導體區域之上，以及使用原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD）於閒置閘極堆疊的側壁上沉積閘極間隔物層。沉積閘極間隔物層包括執行原子層沉積（ALD）循環，以形成介電原子層。原子層沉積（ALD）循環包括引入矽烷化的甲基到晶圓上，清除矽烷化的甲基，引入氨到晶圓上，以及清除氨。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体设备的方法，包含形成闲置闸极堆栈于晶圆的半导体区域之上，以及使用原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）于闲置闸极堆栈的侧壁上沉积闸极间隔物层。沉积闸极间隔物层包括运行原子层沉积（ALD）循环，以形成介电原子层。原子层沉积（ALD）循环包括引入硅烷化的甲基到晶圆上，清除硅烷化的甲基，引入氨到晶圆上，以及清除氨。