公开(公告)号：TW201812927A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106128534

申请日：2017-08-23

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 沙布藍尼 安納薩K ,  SUBRAMANI, ANANTHA K. ,  古柏羅吉 帕布朗 ,  GOPALRAJA, PRABURAM ,  龔 則敬 ,  GUNG, TZA-JING ,  波奈康提 哈利K ,  PONNEKANTI, HARI K. ,  克勞司 菲利浦亞倫 ,  KRAUS, PHILIP ALLAN

IPC分类号： H01L21/34 ,  C23C14/56 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C28/02 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3488 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855

摘要： 於此所描述實施例一般相關於處理腔室中的金屬氧化物沉積。更特定地，於此所揭露實施例相關於組合的化學氣相沉積及物理氣相沉積腔室。使用單一氧化物金屬沉積腔室，能夠執行CVD及PVD兩者以有利地減低均勻半導體處理之成本。此外，單一氧化物金屬沉積系統減低沉積半導體基板所必要之時間，且減低處理半導體基板所需要之足跡。在一個實施例中，處理腔室包含設置於腔室主體中的氣體分配平板、設置於腔室主體中的一個或更多個金屬靶及設置於氣體分配平板及一個或更多個靶下方的基板支撐件。

简体摘要： 于此所描述实施例一般相关于处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，于此所揭露实施例相关于组合的化学气相沉积及物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够运行CVD及PVD两者以有利地减低均匀半导体处理之成本。此外，单一氧化物金属沉积系统减低沉积半导体基板所必要之时间，且减低处理半导体基板所需要之足迹。在一个实施例中，处理腔室包含设置于腔室主体中的气体分配平板、设置于腔室主体中的一个或更多个金属靶及设置于气体分配平板及一个或更多个靶下方的基板支撑件。

公开(公告)号：TW201812834A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106121182

申请日：2017-06-26

申请人： 美商蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 史密斯 大衛 查爾斯 ,  SMITH, DAVID CHARLES ,  威茲 理查 ,  WISE, RICHARD ,  馬侯羅瓦拉 阿爾潘 ,  MAHOROWALA, ARPAN ,  凡 克林帕 派崔克 A ,  VAN CLEEMPUT, PATRICK A. ,  凡 史貴凡迪 巴頓 J ,  VAN SCHRAVENDIJK, BART J.

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/0332 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069

摘要： 薄的錫氧化物膜係在半導體元件製造中用作間隔件。在一實施方式中，薄的錫氧化物膜係保形地沉積至一半導體基板之上，該半導體基板具有第一材料（例如矽氧化物或矽氮化物）之曝露層及包含第二材料（例如矽或碳）的複數突出特徵部。舉例而言，10-100 nm厚的錫氧化物層可使用原子層沉積加以沉積。接著，錫氧化物膜係自水平表面加以移除而沒有自突出特徵部的側壁完全移除。接著，突出特徵部的材料係被蝕刻掉，在基板上留下錫氧化物間隔件。此係接著蝕刻第一材料之未受保護的部分而沒有移除間隔件。接著，底層係加以蝕刻，及間隔件係加以移除。含錫顆粒可藉由被轉變成揮發性的錫氫化物而自處理腔室加以移除。

简体摘要： 薄的锡氧化物膜系在半导体组件制造中用作间隔件。在一实施方式中，薄的锡氧化物膜系保形地沉积至一半导体基板之上，该半导体基板具有第一材料（例如硅氧化物或硅氮化物）之曝露层及包含第二材料（例如硅或碳）的复数突出特征部。举例而言，10-100 nm厚的锡氧化物层可使用原子层沉积加以沉积。接着，锡氧化物膜系自水平表面加以移除而没有自突出特征部的侧壁完全移除。接着，突出特征部的材料系被蚀刻掉，在基板上留下锡氧化物间隔件。此系接着蚀刻第一材料之未受保护的部分而没有移除间隔件。接着，底层系加以蚀刻，及间隔件系加以移除。含锡颗粒可借由被转变成挥发性的锡氢化物而自处理腔室加以移除。

公开(公告)号：TW201806081A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106115573

申请日：2017-05-11

申请人： ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

发明人： 李忠滿 ,  LEE, CHOONG MAN ,  劉龍珉 ,  YOO, YONG MIN ,  金永宰 ,  KIM, YOUNG JAE ,  千承珠 ,  CHUN, SEUNG JU ,  金仙子 ,  KIM, SUN JA

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

摘要： 一種半導體製造方法，包含：沉積低介電常數介電層、在所述低介電常數介電層中形成溝槽、在所述溝槽中形成障壁層、在所述障壁層上填充金屬、使所述金屬平坦化和在經平坦化的所述金屬上形成罩蓋層，其中所述罩蓋層包含至少兩個層。

简体摘要： 一种半导体制造方法，包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成障壁层、在所述障壁层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。

公开(公告)号：TWI614261B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW103121781

申请日：2014-06-24

申请人： 慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  史賓西 丹尼爾 P ,  SPENCE, DANIEL P.

IPC分类号： C07F7/10 ,  C07F7/21 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31

CPC分类号： C07F7/21 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：TWI613315B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106105634

申请日：2017-02-20

申请人： 精微超科技公司 ,  ULTRATECH, INC.

发明人： 舒華 馬克 ,  SOWA, MARK J. ,  柏拓契 亞當 ,  BERTUCH, ADAM ,  芭提亞 瑞維克 ,  BHATIA, RITWIK

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TWI612562B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW105103767

申请日：2016-02-04

申请人： 日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 大橋直史 ,  OHASHI, NAOFUMI ,  中山雅則 ,  NAKAYAMA, MASANORI ,  須田敦彦 ,  SUDA, ATSUHIKO ,  豊田一行 ,  TOYODA, KAZUYUKI ,  松井俊 ,  MATSUI, SHUN

IPC分类号： H01L21/205 ,  G06F7/02

CPC分类号： H01L22/20 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/12

公开(公告)号：TW201802282A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106113042

申请日：2017-04-19

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 鈴木洋一 ,  SUZUKI, YOICHI ,  蔣 文揚 ,  TSIANG, MICHAEL WENYOUNG ,  李 光德道格拉斯 ,  LEE, KWANGDUK DOUGLAS ,  盛井貴司 ,  MORII, TAKASHI ,  後藤裕太 ,  GOTO, YUTA

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L22/20 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67742 ,  H01L22/12

摘要： 本揭示案大致關於用於執行半導體設備製造的方法，且更具體而言是關於平版印刷疊置技術上的改良。用於改良疊置的方法包括以下步驟：在一基板上沉積一材料；使用熱能在一腔室中加熱一基板；量測各基板的一局部應力圖樣，其中量測該局部應力圖樣的步驟量測該基板上之該經沉積材料之一深度上的一改變量；在一k圖上繪製複數個點以決定該基板的一局部應力圖樣；調整施用於該k圖上之該等點的該熱能；針對該k圖上之該等點中的各者決定一敏感度值；及將一校正因數施用於該經施用的熱能，以調整該局部應力圖樣。

简体摘要： 本揭示案大致关于用于运行半导体设备制造的方法，且更具体而言是关于平版印刷叠置技术上的改良。用于改良叠置的方法包括以下步骤：在一基板上沉积一材料；使用热能在一腔室中加热一基板；量测各基板的一局部应力图样，其中量测该局部应力图样的步骤量测该基板上之该经沉积材料之一深度上的一改变量；在一k图上绘制复数个点以决定该基板的一局部应力图样；调整施用于该k图上之该等点的该热能；针对该k图上之该等点中的各者决定一敏感度值；及将一校正因子施用于该经施用的热能，以调整该局部应力图样。

公开(公告)号：TWI610338B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW104119579

申请日：2015-06-17

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 陳豪 ,  CHEN, HAO ,  殷正操 ,  YING, CHENTSAU ,  奈馬尼史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  葉怡利 ,  YIEH, ELLIE Y.

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3086 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67742

公开(公告)号：TWI609488B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW105127919

申请日：2010-08-24

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 儲榮明 ,  CHU, RONGMING ,  可菲羅柏特 ,  COFFIE, ROBERT

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW201740539A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106114905

申请日：2017-05-05

申请人： ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

发明人： 鈴木 俊哉 ,  SUZUKI, TOSHIYA ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J.

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

摘要： 本發明提供用於在反應空間中在基板上沈積碳氧化矽（SiOC）薄膜的方法。所述方法可包括至少一個電漿增強型原子層沈積（PEALD）循環，所述電漿增強型原子層沈積（PEALD）循環包括使基板與不包含氮的矽前驅物及不包含氧的第二反應物交替地及依序地接觸。在某些實施例中，所述方法使得能夠沈積具有改善的耐酸系濕式蝕刻性的SiOC膜。

简体摘要： 本发明提供用于在反应空间中在基板上沉积碳氧化硅（SiOC）薄膜的方法。所述方法可包括至少一个等离子增强型原子层沉积（PEALD）循环，所述等离子增强型原子层沉积（PEALD）循环包括使基板与不包含氮的硅前驱物及不包含氧的第二反应物交替地及依序地接触。在某些实施例中，所述方法使得能够沉积具有改善的耐酸系湿式蚀刻性的SiOC膜。