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1.发明专利記憶體元件以及記憶體元件存取之方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING MEMORY DEVICE 审中-公开内存组件以及内存组件存取之方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201232540A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100120311
申请日：2011-06-10
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: G11C
CPC classification number: G11C8/08 , G11C7/12 , G11C8/14 , G11C11/418 , G11C11/419
Abstract: 一種記憶體元件,包括:位元單元列,包括複數第一位元單元以及複數第二位元單元;第一字元線區段驅動器,電性連接至複數第一位元單元,以及第二字元線區段驅動器,電性連接複數至第二位元單元,第一字元線區段驅動器和第二字元線區段驅動器在一時間選擇性操作以致能複數第一位元單元和複數第二位元單元之一者,以排除未致能之複數第一位元單元和複數第二位元單元之另一者;共用感測放大器,用以接收在一既定時間由個別對應之字元線區段驅動器所致能之第一位元單元或第二位元單元之一者所輸出之信號。
Abstract in simplified Chinese: 一种内存组件,包括:比特单元列,包括复数第一比特单元以及复数第二比特单元;第一字符线区段驱动器,电性连接至复数第一比特单元,以及第二字符线区段驱动器,电性连接复数至第二比特单元,第一字符线区段驱动器和第二字符线区段驱动器在一时间选择性操作以致能复数第一比特单元和复数第二比特单元之一者,以排除未致能之复数第一比特单元和复数第二比特单元之另一者;共享传感放大器,用以接收在一既定时间由个别对应之字符线区段驱动器所致能之第一比特单元或第二比特单元之一者所输出之信号。
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公开(公告)号：TWI546819B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103135324
申请日：2014-10-13
Inventor： 余華鑫 , YU, HUA HSIN , 彭秀芬 , PENG, HSIU FEN , 謝豪泰 , SHIEH, HAU TAI
CPC classification number: G11C5/06 , G11C5/02 , G11C11/412 , G11C11/419
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公开(公告)号：TW201533747A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103135324
申请日：2014-10-13
Inventor： 余華鑫 , YU, HUA HSIN , 彭秀芬 , PENG, HSIU FEN , 謝豪泰 , SHIEH, HAU TAI
CPC classification number: G11C5/06 , G11C5/02 , G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 本揭露提供一電路，其包含在介於記憶裝置之第一記憶陣列及第二記憶陣列之間的條帶單元區裡的第一電晶體及第二電晶體。該第一電晶體包括連接於第一資料線之第一節點，及連接於第二資料線之第二節點。第一電晶體之第一節點及第二節點在電壓位準上係彼此互補。並且，第二電晶體包括連接於該第二資料線之第一節點，及連接於該第一資料線之第二節點。該第二電晶體之第一節點及第二節點在電壓位準上係彼此互補。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一电路，其包含在介于记忆设备之第一记忆数组及第二记忆数组之间的条带单元区里的第一晶体管及第二晶体管。该第一晶体管包括连接于第一数据线之第一节点，及连接于第二数据线之第二节点。第一晶体管之第一节点及第二节点在电压位准上系彼此互补。并且，第二晶体管包括连接于该第二数据线之第一节点，及连接于该第一数据线之第二节点。该第二晶体管之第一节点及第二节点在电压位准上系彼此互补。
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公开(公告)号：TWI476769B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW100120311
申请日：2011-06-10
Inventor： 鄭基廷 , CHENG, CHITING , 彭秀芬 , PENG, HSIU FEN , 郭明璋 , KUO, MING ZHANG , 鄒宗成 , CHOU, CHUNG CHENG
IPC: G11C11/419
CPC classification number: G11C8/08 , G11C7/12 , G11C8/14 , G11C11/418 , G11C11/419
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