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    記憶體電路及在電阻式隨機存取記憶體上執行寫入操作的方法
    1.
    发明专利
    記憶體電路及在電阻式隨機存取記憶體上執行寫入操作的方法 审中-公开
    内存电路及在电阻式随机存取内存上运行写入操作的方法

    公开(公告)号：TW202004759A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108118509

    申请日：2019-05-29

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 鄒宗成 ,  CHOU, CHUNG-CHENG ,  陳旭順 ,  CHEN, HSU-SHUN ,  賴建安 ,  LAI, CHIEN-AN ,  曾珮玲 ,  TSENG, PEI-LING ,  林鉦峻 ,  LIN, ZHENG-JUN

    IPC: G11C11/4074 ,  G11C16/26

    Abstract: 本揭露提供一種記憶體電路，包含偏壓電壓產生器、驅動電路以及電阻式隨機存取記憶體（RRAM）裝置。偏壓電壓產生器包含第一電流路徑，第一電流路徑經組態以接收來自電流源的第一電流，且基於由第一電流在第一電流路徑中的傳導產生的電壓差而輸出偏壓電壓。驅動電路經組態以接收偏壓電壓且輸出具有基於偏壓電壓的電壓位準的驅動電壓，且RRAM裝置經組態以傳導響應於驅動電壓的第二電流。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种内存电路，包含偏压电压产生器、驱动电路以及电阻式随机存取内存（RRAM）设备。偏压电压产生器包含第一电流路径，第一电流路径经组态以接收来自电流源的第一电流，且基于由第一电流在第一电流路径中的传导产生的电压差而输出偏压电压。驱动电路经组态以接收偏压电压且输出具有基于偏压电压的电压位准的驱动电压，且RRAM设备经组态以传导响应于驱动电压的第二电流。

    包括阻變隨機存取記憶體式單調計數器的電路
    3.
    发明专利
    包括阻變隨機存取記憶體式單調計數器的電路 审中-公开
    包括阻变随机存取内存式单调计数器的电路

    公开(公告)号：TW201911305A

    公开(公告)日：2019-03-16

    申请号：TW107112111

    申请日：2018-04-09

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 呂士濂 ,  LU, SHIH-LIEN LINUS ,  翁烔城 ,  ONG, TONG-CHERN ,  鄒宗成 ,  CHOU, CHUNG-CHENG ,  池育德 ,  CHIH, YU-DER

    IPC: G11C8/04 ,  H03K23/58

    Abstract: 一種包括阻變隨機存取記憶體式單調計數器的電路包括：存儲陣列，具有多個存儲單元；控制邏輯電路，耦合到所述存儲陣列，且被配置成使用第一電壓信號使所述多個存儲單元中的第一存儲單元從第一電阻狀態轉變到第二電阻狀態，且使用第二電壓信號使所述第一存儲單元從所述第二電阻狀態轉變到第三電阻狀態；以及計數器電路，耦合到所述控制邏輯電路，且被配置成響應於所述第一存儲單元從所述第一電阻狀態轉變到所述第二電阻狀態來將計數增大一，且響應於所述第一存儲單元從所述第二電阻狀態轉變到所述第三電阻狀態來再次將所述計數增大一。

    Abstract in simplified Chinese: 一种包括阻变随机存取内存式单调计数器的电路包括：存储数组，具有多个存储单元；控制逻辑电路，耦合到所述存储数组，且被配置成使用第一电压信号使所述多个存储单元中的第一存储单元从第一电阻状态转变到第二电阻状态，且使用第二电压信号使所述第一存储单元从所述第二电阻状态转变到第三电阻状态；以及计数器电路，耦合到所述控制逻辑电路，且被配置成响应于所述第一存储单元从所述第一电阻状态转变到所述第二电阻状态来将计数增大一，且响应于所述第一存储单元从所述第二电阻状态转变到所述第三电阻状态来再次将所述计数增大一。

    記憶體元件以及記憶體元件存取之方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING MEMORY DEVICE
    7.
    发明专利
    記憶體元件以及記憶體元件存取之方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING MEMORY DEVICE 审中-公开
    内存组件以及内存组件存取之方法 MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING MEMORY DEVICE

    公开(公告)号：TW201232540A

    公开(公告)日：2012-08-01

    申请号：TW100120311

    申请日：2011-06-10

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

    Inventor： 鄭基廷 ,  彭秀芬 ,  郭明璋 ,  鄒宗成

    IPC: G11C

    CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C7/12 ,  G11C8/14 ,  G11C11/418 ,  G11C11/419

    Abstract: 一種記憶體元件,包括:位元單元列,包括複數第一位元單元以及複數第二位元單元;第一字元線區段驅動器,電性連接至複數第一位元單元,以及第二字元線區段驅動器,電性連接複數至第二位元單元,第一字元線區段驅動器和第二字元線區段驅動器在一時間選擇性操作以致能複數第一位元單元和複數第二位元單元之一者,以排除未致能之複數第一位元單元和複數第二位元單元之另一者;共用感測放大器,用以接收在一既定時間由個別對應之字元線區段驅動器所致能之第一位元單元或第二位元單元之一者所輸出之信號。

    Abstract in simplified Chinese: 一种内存组件,包括:比特单元列,包括复数第一比特单元以及复数第二比特单元;第一字符线区段驱动器,电性连接至复数第一比特单元,以及第二字符线区段驱动器,电性连接复数至第二比特单元,第一字符线区段驱动器和第二字符线区段驱动器在一时间选择性操作以致能复数第一比特单元和复数第二比特单元之一者,以排除未致能之复数第一比特单元和复数第二比特单元之另一者;共享传感放大器,用以接收在一既定时间由个别对应之字符线区段驱动器所致能之第一比特单元或第二比特单元之一者所输出之信号。

    記憶體裝置及其操作方法
    9.
    发明专利
    記憶體裝置及其操作方法 审中-公开
    内存设备及其操作方法

    公开(公告)号：TW201732812A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW106107395

    申请日：2017-03-07

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 鄒宗成 ,  CHOU, CHUNG CHENG

    IPC: G11C13/00 ,  G11C7/12

    CPC classification number: G11C13/004 ,  G11C8/00 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

    Abstract: 一種記憶體裝置，其包含一驅動器、一接受器、一記憶體行、一參考行、一參考電阻和一感測單元。驅動器和接受器中至少一個具有可微調電阻值。至於寫入操作，基於其記憶體行中的列位置以導通其中一個電阻式記憶體單元，驅動器提供流經其中的寫入電流，且基於列位置調整可微調電阻值。至於讀取操作，當其中一個電阻式記憶體單元和與位置對應的其中一個參考電阻導通時，感測單元感測記憶體行的讀取電流以及參考行和參考電阻的參考電流。

    Abstract in simplified Chinese: 一种内存设备，其包含一驱动器、一接受器、一内存行、一参考行、一参考电阻和一传感单元。驱动器和接受器中至少一个具有可微调电阻值。至于写入操作，基于其内存行中的列位置以导通其中一个电阻式内存单元，驱动器提供流经其中的写入电流，且基于列位置调整可微调电阻值。至于读取操作，当其中一个电阻式内存单元和与位置对应的其中一个参考电阻导通时，传感单元传感内存行的读取电流以及参考行和参考电阻的参考电流。

    電荷泵系統 A CHARGE PUMP SYSTEM WITH SMOOTH VOLTAGE OUTPUT
    10.
    发明专利
    電荷泵系統 A CHARGE PUMP SYSTEM WITH SMOOTH VOLTAGE OUTPUT 有权
    电荷泵系统 A CHARGE PUMP SYSTEM WITH SMOOTH VOLTAGE OUTPUT

    公开(公告)号：TWI323568B

    公开(公告)日：2010-04-11

    申请号：TW095134010

    申请日：2006-09-14

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

    Inventor： 鄒宗成 ,  黃建華

    IPC: H03L ,  G05F

    CPC classification number: H02M3/07

    Abstract: 本發明係有關於一電荷泵(charge pump)系統。該系統包括：一個或複數個電荷泵元件，用以提供一輸出電壓；一環型振盪器，連接至上述電荷泵元件，並且提供一振盪器輸出；以及一多重準位偵測元件，用以偵測該輸出電壓，並且控制上述電荷泵元件以穩定該輸出電壓。 A method and system is disclosed for an improved charge pump system. The system comprises one or more charge pump devices for providing an output voltage, a ring oscillator coupled with the charge pump devices for providing an oscillator output, and a multiple level detection device for detecting the output voltage and controlling the charge pump for stabilizing the output voltage. 【創作特點】 本發明提供一電荷泵(charge pump)系統，該電荷泵系統使得其電荷泵電路輸出平整的電壓準位，以最佳化能量管理並且改善資料健全性。
    根據本發明一實施例，一電荷泵系統包括：一個或複數個電荷泵元件，用以提供一輸出電壓；一環型振盪器，連接至上述電荷泵元件，並且提供一振盪器輸出；以及一多重準位偵測元件，用以偵測該輸出電壓，並且控制上述電荷泵元件以穩定該輸出電壓。
    接下來的實施方式將列舉數個實施例，同時配合圖例詳細說明本發明之內容、操作方法、其他的功能、以及優點。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一电荷泵(charge pump)系统。该系统包括：一个或复数个电荷泵组件，用以提供一输出电压；一环型振荡器，连接至上述电荷泵组件，并且提供一振荡器输出；以及一多重准位侦测组件，用以侦测该输出电压，并且控制上述电荷泵组件以稳定该输出电压。 A method and system is disclosed for an improved charge pump system. The system comprises one or more charge pump devices for providing an output voltage, a ring oscillator coupled with the charge pump devices for providing an oscillator output, and a multiple level detection device for detecting the output voltage and controlling the charge pump for stabilizing the output voltage. 【创作特点】 本发明提供一电荷泵(charge pump)系统，该电荷泵系统使得其电荷泵电路输出平整的电压准位，以最优化能量管理并且改善数据健全性。 根据本发明一实施例，一电荷泵系统包括：一个或复数个电荷泵组件，用以提供一输出电压；一环型振荡器，连接至上述电荷泵组件，并且提供一振荡器输出；以及一多重准位侦测组件，用以侦测该输出电压，并且控制上述电荷泵组件以稳定该输出电压。 接下来的实施方式将枚举数个实施例，同时配合图例详细说明本发明之内容、操作方法、其他的功能、以及优点。

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