公开(公告)号：TW489052B

公开(公告)日：2002-06-01

申请号：TW090110465

申请日：2001-05-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 游明豐 ,  李崑池 ,  蕭義理 ,  詹政勳

IPC: H01L ,  B65G

Abstract: 本發明揭示一種具有晶圓定位檢測功能的晶圓搬運裝置，可用以於搬運晶圓時檢測晶圓之定位，包括複數石英晶舟，晶圓夾持裝置，雷射感測器，以及一距離感測器。晶圓夾持裝置夾持一放有晶圓之晶舟，並將前述晶舟放置於垂直層疊之晶舟層上，此時雷射感測器發射雷射光線以偵測晶舟之感測孔位置是否彼此對準；然後，晶圓夾持裝置夾取下一晶舟之前，由距離感測器偵測晶圓夾持裝置至晶圓之外緣的距離，以決定晶圓位置是否正確。若有定位偏差時，則立即中斷搬運工作，以進行位置校正。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种具有晶圆定位检测功能的晶圆搬运设备，可用以于搬运晶圆时检测晶圆之定位，包括复数石英晶舟，晶圆夹持设备，激光传感器，以及一距离传感器。晶圆夹持设备夹持一放有晶圆之晶舟，并将前述晶舟放置于垂直层叠之晶舟层上，此时激光传感器发射激光光线以侦测晶舟之传感孔位置是否彼此对准；然后，晶圆夹持设备夹取下一晶舟之前，由距离传感器侦测晶圆夹持设备至晶圆之外缘的距离，以决定晶圆位置是否正确。若有定位偏差时，则立即中断搬运工作，以进行位置校正。

公开(公告)号：TW497215B

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：TW090117003

申请日：2001-07-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 包天一 ,  鄭雙銘 ,  章勳明 ,  余振華 ,  李崑池

IPC: H01L

Abstract: 在沉積氮化矽蝕刻停止層後，銅凸丘的產生會降低整個製程的可靠度，並影響缺陷偵測工具的偵測結果，銅凸丘產生的原因不外乎沉積的環境影響敏感的銅鑲嵌金屬表面，以及氧化銅的形成。本發明之(a)銅預熱程序，以 SiO2預覆鍍膜於真空腔壁，較其他之預覆材料有較佳之銅晶粒形成；(b)氨電漿比習知技藝之高溫氨氣有較高的氧化銅縮減速率，乃是因為有較多的氫原子產生，並且無高溫氨氣所產生的胺類殘渣，加上將Q-time控制在十二小時之內，避免氧化反應而降低氧化銅的生成，因此較不易產生銅凸丘。

Abstract in simplified Chinese: 在沉积氮化硅蚀刻停止层后，铜凸丘的产生会降低整个制程的可靠度，并影响缺陷侦测工具的侦测结果，铜凸丘产生的原因不外乎沉积的环境影响敏感的铜镶嵌金属表面，以及氧化铜的形成。本发明之(a)铜预热进程，以 SiO2预覆镀膜于真空腔壁，较其他之预覆材料有较佳之铜晶粒形成；(b)氨等离子比习知技艺之高温氨气有较高的氧化铜缩减速率，乃是因为有较多的氢原子产生，并且无高温氨气所产生的胺类残渣，加上将Q-time控制在十二小时之内，避免氧化反应而降低氧化铜的生成，因此较不易产生铜凸丘。

公开(公告)号：TW200410318A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：TW092135185

申请日：2003-12-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李崑池 ,  姚亮吉 ,  陳啓群 ,  陳世昌 ,  梁孟松

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/8249

Abstract: 本發明提供一種除去摻雜區上之自然氧化層的方法，包括以下步驟。首先，提供一基板，在基板上形成一摻雜磊晶矽層，對於摻雜磊晶矽層進行額外佈植，而形成一濃摻雜磊晶矽層，且在濃摻雜磊晶矽層上形成自然氧化層。接著，在壓力0.01–79torr和溫度500℃–900℃之下，進行氫氣烘烤，以除去自然氧化層。本發明之方法可用來製造異質接合雙載子電晶體，可在不增加熱預算和不影響產能的情況下，有效除去集極上的氧化層，而可避免HBT元件的晶格缺陷，降低BVceo的失敗比率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种除去掺杂区上之自然氧化层的方法，包括以下步骤。首先，提供一基板，在基板上形成一掺杂磊晶硅层，对于掺杂磊晶硅层进行额外布植，而形成一浓掺杂磊晶硅层，且在浓掺杂磊晶硅层上形成自然氧化层。接着，在压力0.01–79torr和温度500℃–900℃之下，进行氢气烘烤，以除去自然氧化层。本发明之方法可用来制造异质接合双载子晶体管，可在不增加热预算和不影响产能的情况下，有效除去集极上的氧化层，而可避免HBT组件的晶格缺陷，降低BVceo的失败比率。