公开(公告)号：TW201327751A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101143377

申请日：2012-11-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃見翎 ,  HWANG, CHIEN LING ,  林勇志 ,  LIN, YEONG JYH ,  蕭義理 ,  HSIAO, YI LI ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  蔡再宗 ,  TSAI, TSAI TSUNG ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  李明機 ,  LII, MIRNG JI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/13 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/78621 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/854 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  Y10T29/49192 ,  Y10T29/49213 ,  Y10T29/514 ,  Y10T29/5177 ,  Y10T29/53217 ,  Y10T29/53235 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本發明揭露一種凸塊製造裝置，包括用以提供焊線的捲盤、用以在焊線內形成缺口的切割裝置以及用以接合焊線與形成間柱凸塊的焊針(capillary)。此凸塊製造裝置將焊線從缺口拉斷，使得焊線的尾端區貼附於間柱凸塊。本發明亦揭露一種凸塊製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种凸块制造设备，包括用以提供焊线的卷盘、用以在焊线内形成缺口的切割设备以及用以接合焊线与形成间柱凸块的焊针(capillary)。此凸块制造设备将焊线从缺口拉断，使得焊线的尾端区贴附于间柱凸块。本发明亦揭露一种凸块制造方法。

公开(公告)号：TW201118966A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：TW099139501

申请日：2010-11-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 黃見翎 ,  蕭義理 ,  劉重希

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14

Abstract: 本發明提供一種半導體組裝結構與其形成方法。方法包括清潔一包含銅之連接結構，且此連接結構形成於一基材之上；施加一冷錫到連結結構；施加一熱錫到連結結構；以及旋轉潤洗(spin rising)與乾燥(drying)連接結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组装结构与其形成方法。方法包括清洁一包含铜之连接结构，且此连接结构形成于一基材之上；施加一冷锡到链接结构；施加一热锡到链接结构；以及旋转润洗(spin rising)与干燥(drying)连接结构。

公开(公告)号：TW544890B

公开(公告)日：2003-08-01

申请号：TW091123767

申请日：2002-10-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理 ,  周梅生 ,  彭進興 ,  黃見翎 ,  陳擇毅 ,  李俊儀 ,  吳學昌

IPC: H01L ,  G05D

Abstract: 一種具有溫度補償特徵的溫度控制方法和裝置。此溫度控制方法至少包括：操作主溫度控制裝置，來提供主溫度特性曲線；提供補償溫度特性曲線，其中補償溫度特性曲線與主溫度特性曲線互為鏡射(Mirror Reflected)；以及根據主溫度特性曲線來操作主溫度控制裝置，同時並根據補償溫度特性曲線來操作補償溫度控制裝置。因此，當受控體的機台欲動作一特定程式時，則該補償溫度控制裝置同時將以該特定程式的溫度特性來補償之，故溫度能完全維持在設定溫度。此主溫度控制裝置可為：具有主冷卻液(Coolant)槽的冷卻機(Chiller)，或PN介面(Junction)溫度控制裝置等，而此捕償溫度控制，置可為：具有溫度補償冷卻液槽的冷卻機，或PN介面溫度控制裝置等，其中此補償溫度控制裝置可為開放迴路或封閉迴路的自動控制方式。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有温度补偿特征的温度控制方法和设备。此温度控制方法至少包括：操作主温度控制设备，来提供主温度特性曲线；提供补偿温度特性曲线，其中补偿温度特性曲线与主温度特性曲线互为镜射(Mirror Reflected)；以及根据主温度特性曲线来操作主温度控制设备，同时并根据补偿温度特性曲线来操作补偿温度控制设备。因此，当受控体的机台欲动作一特定进程时，则该补偿温度控制设备同时将以该特定进程的温度特性来补偿之，故温度能完全维持在设置温度。此主温度控制设备可为：具有主冷却液(Coolant)槽的冷却机(Chiller)，或PN界面(Junction)温度控制设备等，而此捕偿温度控制，置可为：具有温度补偿冷却液槽的冷却机，或PN界面温度控制设备等，其中此补偿温度控制设备可为开放回路或封闭回路的自动控制方式。

公开(公告)号：TW509384U

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW089216204

申请日：2000-09-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理 ,  洪正杰 ,  傅昱琮 ,  方文良

IPC: H01L

Abstract: 本創作提供一種托板自動導正晶圓裝置，其設置在機械手臂上，用以在真空隔絕室間搬送晶圓。本創作之托板自動導正晶圓裝置與習知裝置不同點在於：在承載晶圓之托板上增設複數個導夾，除可將位於托板上的晶圓位置導正外並將其夾持，除用以增加傳送晶圓位置之準確度及可靠度外，並可增快傳送速度。另外，在托板上增設雷射頭，以確知晶圓位於托板上之位置。

Abstract in simplified Chinese: 本创作提供一种托板自动导正晶圆设备，其设置在机械手臂上，用以在真空隔绝室间搬送晶圆。本创作之托板自动导正晶圆设备与习知设备不同点在于：在承载晶圆之托板上增设复数个导夹，除可将位于托板上的晶圆位置导正外并将其夹持，除用以增加发送晶圆位置之准确度及可靠度外，并可增快发送速度。另外，在托板上增设激光头，以确知晶圆位于托板上之位置。

公开(公告)号：TWI459516B

公开(公告)日：2014-11-01

申请号：TW101112191

申请日：2012-04-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃見翎 ,  HWANG, CHIEN LING ,  黃英叡 ,  HUANG, YING JUI ,  蕭義理 ,  HSIAO, YI LI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L21/67144 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75754 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：TWI360193B

公开(公告)日：2012-03-11

申请号：TW096115307

申请日：2007-04-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  許呈鏘 ,  蕭義理 ,  柯俊成

IPC: H01L

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭露一種半導體製造方法，包括在一第一設備上對一第一基底進行加工，同時偵測到一第一製造參數之至少一數值。接著，分析上述第一製造參數，以便產生至少一第一預測參數值。其次，比對上述第一預測參數值與一第一既定參數值，以便產生至少一第一比對結果。接著，應用對應上述第一比對結果所產生之一第一製程條件，以在上述第一設備上對一第二基底進行加工。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种半导体制造方法，包括在一第一设备上对一第一基底进行加工，同时侦测到一第一制造参数之至少一数值。接着，分析上述第一制造参数，以便产生至少一第一预测参数值。其次，比对上述第一预测参数值与一第一既定参数值，以便产生至少一第一比对结果。接着，应用对应上述第一比对结果所产生之一第一制程条件，以在上述第一设备上对一第二基底进行加工。

公开(公告)号：TW201128753A

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：TW100100174

申请日：2011-01-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理 ,  余振華 ,  鄭心圃 ,  董志航 ,  魏程昶

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/44 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/52 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/80815 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明實施例提供之焊料凸塊，位於焊墊區上並電性連接至焊墊區。此外，形成金屬蓋層於至少部份的焊料凸塊上。金屬蓋層之熔點高於焊料凸塊之熔點。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供之焊料凸块，位于焊垫区上并电性连接至焊垫区。此外，形成金属盖层于至少部份的焊料凸块上。金属盖层之熔点高于焊料凸块之熔点。

公开(公告)号：TW423095B

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：TW088113620

申请日：1999-08-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蕭義理

IPC: H01L

Abstract: 在晶圓傳送系統中，晶圓於各晶圓反應室中往返傳送，晶圓會因外在因素於晶舟(cassette)上發生斜插、破片、黏片、遺失、異位或是疊片等情況，同時晶圓在反應室中也會發生黏片、遺失、斜放、升降臂(lifter)不平衡等情況，或是托板未完全正確地抓取晶圓等情況，而托板亦會因長期運轉而發生下垂或左右偏移情況而刮損、撞擊或污染其他晶圓，或反應室之下電極等其他部分。利用本發明所揭露之晶圓與托板定位偵測裝置，除可偵測出晶圓或托板定位異常即時停止晶圓傳送外，更可預判晶圓或托板發生異常原因，提供技術人員修複校正之參考，以確保托板能完全無誤的傳送晶圓到正確的位置。

Abstract in simplified Chinese: 在晶圆发送系统中，晶圆于各晶圆反应室中往返发送，晶圆会因外在因素于晶舟(cassette)上发生斜插、破片、黏片、遗失、异位或是叠片等情况，同时晶圆在反应室中也会发生黏片、遗失、斜放、升降臂(lifter)不平衡等情况，或是托板未完全正确地抓取晶圆等情况，而托板亦会因长期运转而发生下垂或左右偏移情况而刮损、撞击或污染其他晶圆，或反应室之下电极等其他部分。利用本发明所揭露之晶圆与托板定位侦测设备，除可侦测出晶圆或托板定位异常实时停止晶圆发送外，更可预判晶圆或托板发生异常原因，提供技术人员修复校正之参考，以确保托板能完全无误的发送晶圆到正确的位置。

公开(公告)号：TWI699858B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW108113761

申请日：2019-04-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING-HUA ,  董 志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  邵棟樑 ,  SHAO, TUNG-LIANG ,  黃英叡 ,  HUANG, YING-JUI ,  黃見翎 ,  HWANG, CHIEN-LING ,  楊素純 ,  YANG, SU-CHUN ,  蕭義理 ,  HSIAO, YI-LI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

公开(公告)号：TWI413202B

公开(公告)日：2013-10-21

申请号：TW098120972

申请日：2009-06-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蕭義理 ,  HSIAO, YI LI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  汪青蓉 ,  WANG, JEAN ,  何明哲 ,  HO, MING CHE ,  黃見翎 ,  HWANG, CHIEN LING ,  洪瑞斌 ,  HUNG, JUI PIN

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67772 ,  H01L21/67017 ,  Y10S414/135