公开(公告)号：TWI385735B

公开(公告)日：2013-02-11

申请号：TW096125062

申请日：2007-07-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖先釧 ,  KEN LIAO ,  潘國華 ,  PAN, KUO HUA ,  陳永修 ,  CHEN, YUN HSIU ,  章勳明 ,  JANG, SYUN MING ,  林宜經 ,  LIN, YI CHING

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636

公开(公告)号：TWI351075B

公开(公告)日：2011-10-21

申请号：TW095144654

申请日：2006-12-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 林宜經 ,  陳椿瑤 ,  王銓中 ,  伍壽國 ,  王中樞 ,  黃建華 ,  陳昆龍 ,  楊平

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894

Abstract: 本發明主要係提供一種嵌入式記憶體，包含：一基底，具有複數個第一電晶體於一記憶胞陣列(cell array)區內、與複數個第二電晶體於一周邊區內；一第一介電層於上述基底上，上述第一介電層中嵌有複數個與上述第一電晶體電性連接的複數個第一與第二導體插塞(plug)；一第二介電層於上述第一介電層上，上述第二介電層包含複數個電容器開口，暴露上述第一導體插塞；以及複數個電容器至少部分嵌於上述電容器開口內，上述電容器包含複數個下電極板、一電容器介電層於上述下電極板上、與一共用的上電極板置於上述電容器介電層上，其中上述下電極板係分別置於上述電容器開口內、並分別電性連接上述第一導體插塞，上述共用的上電極板具有一上電極板開口，而暴露上述第二介電層，且上述共用的上電極板係為上述電容器所共用。

Abstract in simplified Chinese: 本发明主要系提供一种嵌入式内存，包含：一基底，具有复数个第一晶体管于一记忆胞数组(cell array)区内、与复数个第二晶体管于一周边区内；一第一介电层于上述基底上，上述第一介电层中嵌有复数个与上述第一晶体管电性连接的复数个第一与第二导体插塞(plug)；一第二介电层于上述第一介电层上，上述第二介电层包含复数个电容器开口，暴露上述第一导体插塞；以及复数个电容器至少部分嵌于上述电容器开口内，上述电容器包含复数个下电极板、一电容器介电层于上述下电极板上、与一共享的上电极板置于上述电容器介电层上，其中上述下电极板系分别置于上述电容器开口内、并分别电性连接上述第一导体插塞，上述共享的上电极板具有一上电极板开口，而暴露上述第二介电层，且上述共享的上电极板系为上述电容器所共享。