公开(公告)号：TW202014270A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：TW108135424

申请日：2019-10-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 魏宇晨 ,  WEI, YU-CHEN ,  楊智淵 ,  YANG, CHIH-YUAN ,  林世和 ,  LIN, SHIH-HO ,  賴人傑 ,  LAI, JEN-CHIEH ,  王偲丞 ,  WANG, SZU-CHENG ,  朱俊叡 ,  CHU, CHUN-JUI

IPC: B24B55/12 ,  B24B37/34 ,  H01L21/304

Abstract: 一種化學機械研磨方法，包括放置一研磨漿至一化學機械研磨站之一研磨墊上。研磨一工件，且藉由一真空頭將研磨之副產物及研磨漿自上述研磨墊去除。一種化學機械研磨設備包括一研磨墊，配置以在一化學機械研磨製程中旋轉。上述設備也包括一研磨漿分配器，配置以放置一研磨漿至上述研磨墊之一研磨表面上。上述設備更包括一動能真空組件，上述動能真空組件包括面向上述研磨墊之上述研磨表面之一開槽口。上述設備也包括一第一吸入管，與上述動能真空組件之一上方部分耦接，且導向一第一真空源，上述第一吸入管係配置以運輸自上述研磨墊通過上述開槽口去除之研磨產物。

Abstract in simplified Chinese: 一种化学机械研磨方法，包括放置一研磨浆至一化学机械研磨站之一研磨垫上。研磨一工件，且借由一真空头将研磨之副产物及研磨浆自上述研磨垫去除。一种化学机械研磨设备包括一研磨垫，配置以在一化学机械研磨制程中旋转。上述设备也包括一研磨浆分配器，配置以放置一研磨浆至上述研磨垫之一研磨表面上。上述设备更包括一动能真空组件，上述动能真空组件包括面向上述研磨垫之上述研磨表面之一开槽口。上述设备也包括一第一吸入管，与上述动能真空组件之一上方部分耦接，且导向一第一真空源，上述第一吸入管系配置以运输自上述研磨垫通过上述开槽口去除之研磨产物。

公开(公告)号：TWI697978B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW107141026

申请日：2018-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蘇正熹 ,  SU, JHENG SI ,  魏宇晨 ,  WEI, YU CHEN ,  楊智淵 ,  YANG, CHIH YUAN ,  林世和 ,  LIN, SHIH HO ,  賴人傑 ,  LAI, JEN CHIEH

IPC: H01L21/677 ,  B65G49/07

公开(公告)号：TW508650B

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW090132952

申请日：2001-12-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  王英郎 ,  梁鴻新 ,  鄭翔升 ,  徐勝德 ,  楊智淵

IPC: H01L

Abstract: 一種製程反應室之預防保養(preventive maintenance； PM)裝置。本發明之製程反應室之預防保養裝置連接至例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)製程反應室以進行預防保養工作，且特徵在於具有排氣管連接至抽氣裝置以進行排氣功能、具有拉門便於在排氣進行中仍能清潔反應室之內部元件甚至取出、具有可360度旋轉之頂蓋以利清潔反應室內之所有區域、以及幾乎所有零件皆以例如壓克力之透明材質製成。運用本發明之製程反應室之預防保養裝置，可具有根除污染源擴散、保護人員免於吸入或接觸有害氣體、以及有效避免工安事故等優點。

Abstract in simplified Chinese: 一种制程反应室之预防保养(preventive maintenance； PM)设备。本发明之制程反应室之预防保养设备连接至例如化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)制程反应室以进行预防保养工作，且特征在于具有排气管连接至抽气设备以进行排气功能、具有拉门便于在排气进行中仍能清洁反应室之内部组件甚至取出、具有可360度旋转之顶盖以利清洁反应室内之所有区域、以及几乎所有零件皆以例如压克力之透明材质制成。运用本发明之制程反应室之预防保养设备，可具有根除污染源扩散、保护人员免于吸入或接触有害气体、以及有效避免工安事故等优点。