公开(公告)号：TW201248724A

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW100144602

申请日：2011-12-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  洪敏皓 ,  葛翔翔 ,  陳科維 ,  王英郎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置及其製造方法。上述半導體裝置及其製造方法係增加載子遷移率。上述半導體裝置的製造方法包括提供一基板,且於上述基板上形成一介電層。上述半導體裝置的製造方法更包括於上述介電層內形成一第一溝槽,其中上述第一溝槽延伸穿過上述介電層,且於上述第一溝槽內磊晶成長一第一主動層,以及以一輻射能選擇性硬化鄰接上述第一主動層的上述介電層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备及其制造方法。上述半导体设备及其制造方法系增加载子迁移率。上述半导体设备的制造方法包括提供一基板,且于上述基板上形成一介电层。上述半导体设备的制造方法更包括于上述介电层内形成一第一沟槽,其中上述第一沟槽延伸穿过上述介电层,且于上述第一沟槽内磊晶成长一第一主动层,以及以一辐射能选择性硬化邻接上述第一主动层的上述介电层。

公开(公告)号：TWI540688B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW101144434

申请日：2012-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖茂成 ,  LIAO, MIAO CHENG ,  梁晉魁 ,  LIANG, JINN KWEI ,  謝文杰 ,  HSIEH, WEN CHIEH ,  張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  葛翔翔 ,  KO, HSIANG HSIANG ,  王英郎 ,  WANG, YING LANG

IPC: H01L21/98 ,  H01L31/0203 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：TW201332064A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW101144434

申请日：2012-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖茂成 ,  LIAO, MIAO CHENG ,  梁晉魁 ,  LIANG, JINN KWEI ,  謝文杰 ,  HSIEH, WEN CHIEH ,  張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  葛翔翔 ,  KO, HSIANG HSIANG ,  王英郎 ,  WANG, YING LANG

IPC: H01L21/98 ,  H01L31/0203 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在本發明一實施例中提供一種背照式影像感測器裝置及其形成方法。背照式影像感測器裝置的形成方法包括：提供一背照式影像感測器晶圓；在該背照式影像感測器晶圓的一後側(backside)上沉積一第一保護層；在該第一保護層上沉積一第一電漿強化保護層；在該第一電漿強化保護層上沉積一第二電漿強化保護層；以及在該第二電漿強化保護層上沉積一第二保護層。在本發明另一實施例提供一種半導體裝置的形成方法。

Abstract in simplified Chinese: 在本发明一实施例中提供一种背照式影像传感器设备及其形成方法。背照式影像传感器设备的形成方法包括：提供一背照式影像传感器晶圆；在该背照式影像传感器晶圆的一后侧(backside)上沉积一第一保护层；在该第一保护层上沉积一第一等离子强化保护层；在该第一等离子强化保护层上沉积一第二等离子强化保护层；以及在该第二等离子强化保护层上沉积一第二保护层。在本发明另一实施例提供一种半导体设备的形成方法。

公开(公告)号：TW201409711A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102126830

申请日：2013-07-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪敏皓 ,  HONG, MIN HAO ,  周友華 ,  CHOU, YOU HUA ,  李志聰 ,  LEE, CHIH TSUNG ,  張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  廖茂成 ,  LIAO, MIAO CHENG ,  葛翔翔 ,  KO, HSIANG HSIANG ,  黃振銘 ,  HUANG, CHEN MING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明提供積體電路裝置及其製造方法。該積體電路包含：一積體電路裝置，包含：一基板，其中該基板具有一溝槽；一第一隔離層填入該溝槽中；一第二隔離層形成於該第一隔離層上；一磊晶成長矽晶層形成於該基板之上，並與該第二隔離層以水平方向相鄰；以及，一閘極結構形成於該磊晶成長矽晶層之上，其中該閘極結構係定義出一通道。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供集成电路设备及其制造方法。该集成电路包含：一集成电路设备，包含：一基板，其中该基板具有一沟槽；一第一隔离层填入该沟槽中；一第二隔离层形成于该第一隔离层上；一磊晶成长硅晶层形成于该基板之上，并与该第二隔离层以水平方向相邻；以及，一闸极结构形成于该磊晶成长硅晶层之上，其中该闸极结构系定义出一信道。

公开(公告)号：TW508650B

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：TW090132952

申请日：2001-12-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 廖茂成 ,  王英郎 ,  梁鴻新 ,  鄭翔升 ,  徐勝德 ,  楊智淵

IPC: H01L

Abstract: 一種製程反應室之預防保養(preventive maintenance； PM)裝置。本發明之製程反應室之預防保養裝置連接至例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition；CVD)製程反應室以進行預防保養工作，且特徵在於具有排氣管連接至抽氣裝置以進行排氣功能、具有拉門便於在排氣進行中仍能清潔反應室之內部元件甚至取出、具有可360度旋轉之頂蓋以利清潔反應室內之所有區域、以及幾乎所有零件皆以例如壓克力之透明材質製成。運用本發明之製程反應室之預防保養裝置，可具有根除污染源擴散、保護人員免於吸入或接觸有害氣體、以及有效避免工安事故等優點。

Abstract in simplified Chinese: 一种制程反应室之预防保养(preventive maintenance； PM)设备。本发明之制程反应室之预防保养设备连接至例如化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)制程反应室以进行预防保养工作，且特征在于具有排气管连接至抽气设备以进行排气功能、具有拉门便于在排气进行中仍能清洁反应室之内部组件甚至取出、具有可360度旋转之顶盖以利清洁反应室内之所有区域、以及几乎所有零件皆以例如压克力之透明材质制成。运用本发明之制程反应室之预防保养设备，可具有根除污染源扩散、保护人员免于吸入或接触有害气体、以及有效避免工安事故等优点。

公开(公告)号：TWI576170B

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW102120481

申请日：2013-06-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 孫鍾仁 ,  SUN, CHUNG REN ,  葛翔翔 ,  KO, HSIANG HSIANG ,  廖茂成 ,  LIAO, MIAO CHENG ,  曾維揚 ,  TSENG, WEI YANG

IPC: B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/68728

公开(公告)号：TWI525823B

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：TW102126830

申请日：2013-07-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪敏皓 ,  HONG, MIN HAO ,  周友華 ,  CHOU, YOU HUA ,  李志聰 ,  LEE, CHIH TSUNG ,  張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  廖茂成 ,  LIAO, MIAO CHENG ,  葛翔翔 ,  KO, HSIANG HSIANG ,  黃振銘 ,  HUANG, CHEN MING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI511199B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW100144602

申请日：2011-12-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖茂成 ,  LIAO, MIAO CHENG ,  洪敏皓 ,  HONG, MIN HAO ,  葛翔翔 ,  KO, HSIANG HSIANG ,  陳科維 ,  CHEN, KEI WEI ,  王英郎 ,  WANG, YING LANG

IPC: H01L21/3105 ,  H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：TW201402233A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102120481

申请日：2013-06-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 孫鍾仁 ,  SUN, CHUNG REN ,  葛翔翔 ,  KO, HSIANG HSIANG ,  廖茂成 ,  LIAO, MIAO CHENG ,  曾維揚 ,  TSENG, WEI YANG

IPC: B08B3/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/68728

Abstract: 本發明揭露一種晶圓清洗系統，包括一平台、在平台上方之複數個晶圓夾持單元、一前端水洗噴嘴、及一後端沖洗單元。複數個晶圓夾持單元係放置用於定義夾持晶圓的參考平面。前端水洗噴嘴在參考平面之上並配置用於朝參考面分配一第一水洗液。後端沖洗單元在參考平面之下並配置用於分配電解氣體。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种晶圆清洗系统，包括一平台、在平台上方之复数个晶圆夹持单元、一前端水洗喷嘴、及一后端冲洗单元。复数个晶圆夹持单元系放置用于定义夹持晶圆的参考平面。前端水洗喷嘴在参考平面之上并配置用于朝参考面分配一第一水洗液。后端冲洗单元在参考平面之下并配置用于分配电解气体。

公开(公告)号：TWI334179B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：TW093119475

申请日：2004-06-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 張簡旭珂 ,  陳聖文 ,  王英郎 ,  廖茂成 ,  張宏睿 ,  林明輝

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633

Abstract: 本發明提供一種金屬間介電層結構及其方法。本發明提供之方法包含下列步驟。導入一製程氣體，以在基板上方形成一低介電常數介電層。同步導入一反應物氣體，以回蝕低介電常數介電層，且與製程氣體反應以在低介電常數介電層上形成包含一額外元素的一介電層。額外元素係由反應物氣體提供。反應物氣體對製程氣體之一體積比大於大約2。反應物氣體可為一氟化氮(nitrogen fluoride，NF3)氣體以提供額外氮(nitrogen)，或一碳氟化物(carbon fluoride，CxFy)氣體以提供額外碳(carbon)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种金属间介电层结构及其方法。本发明提供之方法包含下列步骤。导入一制程气体，以在基板上方形成一低介电常数介电层。同步导入一反应物气体，以回蚀低介电常数介电层，且与制程气体反应以在低介电常数介电层上形成包含一额外元素的一介电层。额外元素系由反应物气体提供。反应物气体对制程气体之一体积比大于大约2。反应物气体可为一氟化氮(nitrogen fluoride，NF3)气体以提供额外氮(nitrogen)，或一碳氟化物(carbon fluoride，CxFy)气体以提供额外碳(carbon)。