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1.发明专利半導體元件之製造方法與避免電荷累積之方法 METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE PERFORMANCE ENHANCEMENT 有权半导体组件之制造方法与避免电荷累积之方法 METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE PERFORMANCE ENHANCEMENT
公开(公告)号：TWI337390B
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：TW096102283
申请日：2007-01-22
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/7843
Abstract: 本發明提供一種半導體元件之製造方法，包括下列步驟：提供一半導體基板，至少具有一PMOS元件與一NMOS元件；順應性地形成一第一絕緣層於該PMOS元件與該NMOS元件上方；順應性地形成一第二絕緣層於該第一絕緣層上方；薄化位於該PMOS元件上方之該第二絕緣層以留下一殘餘部分；對該PMOS元件與該NMOS元件進行一第一加熱處理；以及移除位於該NMOS元件上方之該第二絕緣層以及位於該PMOS元件上方之該第二絕緣層之該殘餘部分，並薄化位於該PMOS元件與該NMOS元件上方之該第一絕緣層以留下一殘餘部分。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件之制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基板，至少具有一PMOS组件与一NMOS组件；顺应性地形成一第一绝缘层于该PMOS组件与该NMOS组件上方；顺应性地形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上方；薄化位于该PMOS组件上方之该第二绝缘层以留下一残余部分；对该PMOS组件与该NMOS组件进行一第一加热处理；以及移除位于该NMOS组件上方之该第二绝缘层以及位于该PMOS组件上方之该第二绝缘层之该残余部分，并薄化位于该PMOS组件与该NMOS组件上方之该第一绝缘层以留下一残余部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201338133A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101128184
申请日：2012-08-06
Inventor： 李東穎 , LEE, TUNG YING , 郭文暉 , GUO, WEN HUEI , 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 張守仁 , CHANG, SHOU ZEN
IPC: H01L27/085 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0629 , H01L29/0642 , H01L29/66636 , H01L29/6681
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置及其製造方法和設計方法。上述半導體裝置包括一主動鰭式場效電晶體，設置於一工件上方，上述工件包括一第一半導體材料，上述主動鰭式場效電晶體包括一第一鰭。一電性閒置鰭式場效電晶體結構，設置於上述工件上方，且接近上述主動鰭式場效電晶體，上述電性閒置鰭式場效電晶體結構包括一第二鰭。一第二半導體材料，設置於上述第一鰭和上述第二鰭之間。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备及其制造方法和设计方法。上述半导体设备包括一主动鳍式场效应管，设置于一工件上方，上述工件包括一第一半导体材料，上述主动鳍式场效应管包括一第一鳍。一电性闲置鳍式场效应管结构，设置于上述工件上方，且接近上述主动鳍式场效应管，上述电性闲置鳍式场效应管结构包括一第二鳍。一第二半导体材料，设置于上述第一鳍和上述第二鳍之间。
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公开(公告)号：TWI671858B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106104371
申请日：2017-02-10
Inventor： 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 莫亦先 , MOR, YI SHIEN , 郭文暉 , GUO, WEN HUEI
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
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4.发明专利半導體元件 STRAINED TRANSISTOR WITH OPTIMIZED DRIVE CURRENT AND METHOD OF FORMING 有权半导体组件 STRAINED TRANSISTOR WITH OPTIMIZED DRIVE CURRENT AND METHOD OF FORMING
公开(公告)号：TWI374541B
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：TW096147203
申请日：2007-12-11
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L29/7843
Abstract: 在本發明之實施例中，於MOS元件上形成應變誘發層以增加通道區中之載子移動率。較佳實施例中，應變誘發層之尺寸可導致NMOS元件與PMOS元件中之驅動電流增加的最佳化，並改善驅動電流一致性，且不需增加複雜的製程步驟。而且，所增加的製程步驟可輕易地整合至習知的CMOS製程中。此外，用來定義拉伸與壓縮應變誘發層之光罩不需對已存在的設計資料庫作額外的設計。
Abstract in simplified Chinese: 在本发明之实施例中，于MOS组件上形成应变诱发层以增加信道区中之载子移动率。较佳实施例中，应变诱发层之尺寸可导致NMOS组件与PMOS组件中之驱动电流增加的最优化，并改善驱动电流一致性，且不需增加复杂的制程步骤。而且，所增加的制程步骤可轻易地集成至习知的CMOS制程中。此外，用来定义拉伸与压缩应变诱发层之光罩不需对已存在的设计数据库作额外的设计。
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公开(公告)号：TW201742193A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106104371
申请日：2017-02-10
Inventor： 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 莫亦先 , MOR, YI SHIEN , 郭文暉 , GUO, WEN HUEI
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L29/0847 , H01L29/785
Abstract: 本發明實施例提供一種半導體元件，包括第一鰭狀場效電晶體及接觸條(源極/汲極接觸層)。第一鰭狀場效電晶體包括第一鰭結構，往第一方向延伸，第一閘極結構，往與第一方向交叉的第二方向延伸，及第一源極/汲極結構。接觸條位於第一源極/汲極結構之上，在平面圖往與第一源極/汲極結構交叉的第二方向延伸。接觸條包括：第一部分，位於第一源極/汲極結構之上，及第二部分。第二部分未與鰭結構及源極/汲極結構重疊。在平面圖中，第二部分於第一方向之寬度小於第一部分於第一方向之寬度。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体组件，包括第一鳍状场效应管及接触条(源极/汲极接触层)。第一鳍状场效应管包括第一鳍结构，往第一方向延伸，第一闸极结构，往与第一方向交叉的第二方向延伸，及第一源极/汲极结构。接触条位于第一源极/汲极结构之上，在平面图往与第一源极/汲极结构交叉的第二方向延伸。接触条包括：第一部分，位于第一源极/汲极结构之上，及第二部分。第二部分未与鳍结构及源极/汲极结构重叠。在平面图中，第二部分于第一方向之宽度小于第一部分于第一方向之宽度。
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公开(公告)号：TWI517358B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101128184
申请日：2012-08-06
Inventor： 李東穎 , LEE, TUNG YING , 郭文暉 , GUO, WEN HUEI , 張志豪 , CHANG, CHIH HAO , 張守仁 , CHANG, SHOU ZEN
IPC: H01L27/085 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0629 , H01L29/0642 , H01L29/66636 , H01L29/6681
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