-
公开(公告)号：TW201729427A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW106103361
申请日：2017-01-26
Inventor： 陳奕升 , CHEN, YI-SHENG , 鄭光茗 , THEI, KONG-BENG , 范富傑 , FAN, FU-JIER , 高榮輝 , KAO, JUNG-HUI , 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN , 林國樹 , LIN, KAU-CHU
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823475 , H01L23/528
Abstract: 一種半導體裝置，其包括一電晶體。該電晶體包括一主動區，在一基板中；一圖案化導電層，係一互連層的一部份，該互連層係用於路由；以及一絕緣層，延伸在該基板上方且用以將該主動區與該圖案化導電層絕緣。該圖案化導電層以及該絕緣層係作該電晶體的一閘極。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，其包括一晶体管。该晶体管包括一主动区，在一基板中；一图案化导电层，系一互连层的一部份，该互连层系用于路由；以及一绝缘层，延伸在该基板上方且用以将该主动区与该图案化导电层绝缘。该图案化导电层以及该绝缘层系作该晶体管的一闸极。
-
公开(公告)号：TW460965B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW089112787
申请日：2000-06-28
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明揭露一種矽基材的清洗方法，其步驟為首先以去離子水進行快速洗滌，接著進行氧化劑浸泡，在所述矽基材上形成氧化矽層做為保護層，以避免後續製程中氨水會侵蝕矽基材的表面。在進行SC-l清洗製程之後，以去離子水進行快速洗滌。其次進行SC-2清洗製程之後，再一次進行快速洗滌。其中所述氧化劑是雙氧水或臭氧或是其他任何能將矽基材氧化的化學品。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种硅基材的清洗方法，其步骤为首先以去离子水进行快速洗涤，接着进行氧化剂浸泡，在所述硅基材上形成氧化硅层做为保护层，以避免后续制程中氨水会侵蚀硅基材的表面。在进行SC-l清洗制程之后，以去离子水进行快速洗涤。其次进行SC-2清洗制程之后，再一次进行快速洗涤。其中所述氧化剂是双氧水或臭氧或是其他任何能将硅基材氧化的化学品。
-
公开(公告)号：TWI396239B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW096115336
申请日：2007-04-30
Inventor： 莊學理 , HARRY CHUANG , 梁孟松 , LIANG, MONG SONG , 鄭光茗 , THEI, KONG BENG , 高榮輝 , KAO, JUNG HUI , 鄭鈞隆 , CHENG, CHUNG LONG , 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 郭文輝 , GUO, WEN HUEI
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/1203 , H01L29/7843
-
公开(公告)号：TW201241936A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101113900
申请日：2007-04-30
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/1203 , H01L29/7843
Abstract: 一種半導體結構,包括:一基底包括一第一區域和一第二區域;一第一MOS元件位於第一區域中;一被動元件位於第二區域中,其中第一MOS元件和被動元件包括第一導電型態摻雜物,第一MOS元件之第一導電型態摻雜物的第一濃度較被動元件件之第一導電型態摻雜物的第二濃度高。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构,包括:一基底包括一第一区域和一第二区域;一第一MOS组件位于第一区域中;一被动组件位于第二区域中,其中第一MOS组件和被动组件包括第一导电型态掺杂物,第一MOS组件之第一导电型态掺杂物的第一浓度较被动组件件之第一导电型态掺杂物的第二浓度高。
-
公开(公告)号：TWI495013B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW101112186
申请日：2012-04-06
Inventor： 黃仁安 , NG, JIN-AUN , 張啟新 , CHANG, MAXI , 楊仁盛 , YANG, JEN SHENG , 林大為 , LIN, TA WEI , 羅仕豪 , LO, SHIH HAO , 葉志揚 , YEH, CHIH YANG , 林慧雯 , LIN, HUI WEN , 高榮輝 , KAO, JUNG HUI , 涂元添 , TU, YUAN TIEN , 林煥哲 , LIN, HUAN JUST , 彭治棠 , PENG, CHIH TANG , 鄭培仁 , JENG, PEI REN , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY
IPC: H01L21/316 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/28229 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823864 , H01L29/42364 , H01L29/4958 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6659
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW461029B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW089120821
申请日：2000-10-05
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種以化學溶液形成閘極氧化層預層之方法，至少包含下列步驟:載入一半導體基板於一溶有臭氧氣體之去離子水溶液進行晶圓上微粒之氧化作用，接著將該去離子水排出；隨後，再注入含氫氟酸及鹽酸溶液於晶圓清洗槽以去除金屬微粒子及有機微粒子之附著，再排出氫氟酸及鹽酸溶液，接著，再依次先後注入鹽酸溶液、氫氟酸溶液於化學溶液；最後，在氫氟酸繼續注入及含臭氧氣體之去離子水大量增加下，鹽酸溶液及氫氟酸溶液濃度比例先後下降至接近零以沉積一閘極氧化層預層於該半導體基板上。
Abstract in simplified Chinese: 一种以化学溶液形成闸极氧化层预层之方法，至少包含下列步骤:加载一半导体基板于一溶有臭氧气体之去离子水溶液进行晶圆上微粒之氧化作用，接着将该去离子水排出；随后，再注入含氢氟酸及盐酸溶液于晶圆清洗槽以去除金属微粒子及有机微粒子之附着，再排出氢氟酸及盐酸溶液，接着，再依次先后注入盐酸溶液、氢氟酸溶液于化学溶液；最后，在氢氟酸继续注入及含臭氧气体之去离子水大量增加下，盐酸溶液及氢氟酸溶液浓度比例先后下降至接近零以沉积一闸极氧化层预层于该半导体基板上。
-
公开(公告)号：TW201312655A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101112186
申请日：2012-04-06
Inventor： 黃仁安 , NG, JIN-AUN , 張啟新 , CHANG, MAXI , 楊仁盛 , YANG, JEN SHENG , 林大為 , LIN, TA WEI , 羅仕豪 , LO, SHIH HAO , 葉志揚 , YEH, CHIH YANG , 林慧雯 , LIN, HUI WEN , 高榮輝 , KAO, JUNG HUI , 涂元添 , TU, YUAN TIEN , 林煥哲 , LIN, HUAN JUST , 彭治棠 , PENG, CHIH TANG , 鄭培仁 , JENG, PEI REN , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY
IPC: H01L21/316 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/28229 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L21/823864 , H01L29/42364 , H01L29/4958 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6659
Abstract: 本發明一實施例提供一種形成積體電路的方法，包括提供半導體基板及在基板上形成閘極介電質，例如為高介電常數介電質。在半導體基板上形成金屬閘極結構，且閘極介電質及薄介電層形成於其上。薄介電層包括氮氧化物結合金屬閘極的金屬。上述方法更包括層間介電層(ILD)在金屬閘極結構的兩側。
Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种形成集成电路的方法，包括提供半导体基板及在基板上形成闸极介电质，例如为高介电常数介电质。在半导体基板上形成金属闸极结构，且闸极介电质及薄介电层形成于其上。薄介电层包括氮氧化物结合金属闸极的金属。上述方法更包括层间介电层(ILD)在金属闸极结构的两侧。
-
公开(公告)号：TW497166B
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：TW090102872
申请日：2001-02-09
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明提供一種可降低異丙醇殘餘物之濕式處理機台的乾燥裝置，此乾燥裝置位於濕式反應室的上方，適用於晶片清洗完後之乾燥製程，此乾燥裝置包括：反應室遮蓋物、具有孔洞的隔板、位於隔板下方之阻障板、以及位於隔板上方之高揮發性氣體導管、去離子水導管和惰性氣體導管。其中高揮發性氣體導管係用以將高揮發性氣體導入至反應室遮蓋物上部，並經由隔板之孔洞而往下部流動，以進行乾燥製程；去離子水導管係用以將去離子水導入至反應室遮蓋物上部，並經由隔板之孔洞而往下部流動，以清洗阻障板；惰性氣體導管係用以將惰性氣體導入至反應室遮蓋物上部，並經由隔板之孔洞而往下部流動，以進行清洗製程。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可降低异丙醇残余物之湿式处理机台的干燥设备，此干燥设备位于湿式反应室的上方，适用于芯片清洗完后之干燥制程，此干燥设备包括：反应室遮盖物、具有孔洞的隔板、位于隔板下方之阻障板、以及位于隔板上方之高挥发性气体导管、去离子水导管和惰性气体导管。其中高挥发性气体导管系用以将高挥发性气体导入至反应室遮盖物上部，并经由隔板之孔洞而往下部流动，以进行干燥制程；去离子水导管系用以将去离子水导入至反应室遮盖物上部，并经由隔板之孔洞而往下部流动，以清洗阻障板；惰性气体导管系用以将惰性气体导入至反应室遮盖物上部，并经由隔板之孔洞而往下部流动，以进行清洗制程。
-
公开(公告)号：TW464972B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW089114381
申请日：2000-07-18
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 晶圓洗淨製程包含執行一APM洗淨步驟，使用氨水、過氧化氫所組成之水溶液洗淨，之後沖洗晶圓，在沖洗步驟過程中持續加入臭氧。接著，執行HPM洗淨步驟，包含使用氯化氫、過氧化氫所組成之水溶液。然後，再次沖洗晶圓，同理於沖洗步驟過程中持續加入臭氧。接著，利用稀釋後之氫氟酸執行洗淨步驟，過程中持續加入臭氧。利用包含去離子水或水之溶液將晶圓沖洗並持續加入臭氧。完成之後乾燥該晶圓。上述加入臭氧之方式包含但不侷限於:(l)依據時間線性地增加臭氧之濃度;(2)以步階曲線方式隨時間增加該臭氧之濃度;(3)保待加入臭氧之含量維持在一定值，每經過一時間週期加入特定量之臭氧。
Abstract in simplified Chinese: 晶圆洗净制程包含运行一APM洗净步骤，使用氨水、过氧化氢所组成之水溶液洗净，之后冲洗晶圆，在冲洗步骤过程中持续加入臭氧。接着，运行HPM洗净步骤，包含使用氯化氢、过氧化氢所组成之水溶液。然后，再次冲洗晶圆，同理于冲洗步骤过程中持续加入臭氧。接着，利用稀释后之氢氟酸运行洗净步骤，过程中持续加入臭氧。利用包含去离子水或水之溶液将晶圆冲洗并持续加入臭氧。完成之后干燥该晶圆。上述加入臭氧之方式包含但不局限于:(l)依据时间线性地增加臭氧之浓度;(2)以步阶曲线方式随时间增加该臭氧之浓度;(3)保待加入臭氧之含量维持在一定值，每经过一时间周期加入特定量之臭氧。
-
公开(公告)号：TWI643348B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106103361
申请日：2017-01-26
Inventor： 陳奕升 , CHEN, YI-SHENG , 鄭光茗 , THEI, KONG-BENG , 范富傑 , FAN, FU-JIER , 高榮輝 , KAO, JUNG-HUI , 陳奕寰 , CHEN, YI-HUAN , 林國樹 , LIN, KAU-CHU
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.014 seconds)
