公开(公告)号：TWI433265B

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW098127357

申请日：2009-08-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI408735B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：TW098115789

申请日：2009-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201320166A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：TW101150030

申请日：2009-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種含高介電常數金屬閘極結構之半導體元件的製造方法。提供一包含虛置閘極結構(例如犧牲多晶矽閘極)的基材，一第一及第二硬罩幕層位於此虛置閘極結構上方。在一實施例中，一應變區形成在此基材上。在形成此應變區之後，移除此第二硬罩幕層。形成一源/汲極區，接著在此基材上形成一層間介電層(ILD)。在進行一化學機械研磨(CMP)製程平坦化此層間介電層時，可用此第一硬罩幕層作為停止層。此化學機械研磨製程可持續進行以移除此第一硬罩幕層。移除此虛置閘極結構並形成一金屬閘極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种含高介电常数金属闸极结构之半导体组件的制造方法。提供一包含虚置闸极结构(例如牺牲多晶硅闸极)的基材，一第一及第二硬罩幕层位于此虚置闸极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬罩幕层。形成一源/汲极区，接着在此基材上形成一层间介电层(ILD)。在进行一化学机械研磨(CMP)制程平坦化此层间介电层时，可用此第一硬罩幕层作为停止层。此化学机械研磨制程可持续进行以移除此第一硬罩幕层。移除此虚置闸极结构并形成一金属闸极。

公开(公告)号：TWI382498B

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：TW098129694

申请日：2009-09-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TW201019456A

公开(公告)日：2010-05-16

申请号：TW098135053

申请日：2009-10-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  鄭光茗 ,  鍾昇鎮 ,  梁孟松

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種熔絲結構，包括：一含金屬導線，設置於一半導體基板之一部上；一介電層，設置於該半導體基板上，以覆蓋該含金屬導線；一第一內連物以及一第二內連物延伸並穿過該介電層而分別於一第一介面處與一第二介面處接觸該含金屬導線之一頂面；一第一導線，形成於該介電層上並電性連結該第一內連物；以及一第二導線，形成於該介電層上並電性連結該第二內連物，其中該含金屬導線之該頂面包括一不含矽材料且該第二介面具有一足夠小區域以使得應用一預先選擇電流時於該第二介面處產生電致變遷效應。

Abstract in simplified Chinese: 一种熔丝结构，包括：一含金属导线，设置于一半导体基板之一部上；一介电层，设置于该半导体基板上，以覆盖该含金属导线；一第一内连物以及一第二内连物延伸并穿过该介电层而分别于一第一界面处与一第二界面处接触该含金属导线之一顶面；一第一导线，形成于该介电层上并电性链接该第一内连物；以及一第二导线，形成于该介电层上并电性链接该第二内连物，其中该含金属导线之该顶面包括一不含硅材料且该第二界面具有一足够小区域以使得应用一预先选择电流时于该第二界面处产生电致变迁效应。

公开(公告)号：TWI478247B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW101128181

申请日：2012-08-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  林煥哲 ,  LIN, HUAN JUST ,  李再春 ,  LI, TSAI CHUN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI412070B

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：TW098128776

申请日：2009-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TWI396254B

公开(公告)日：2013-05-11

申请号：TW098131332

申请日：2009-09-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  梁孟松 ,  LIANG, MONG SONG

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4238

公开(公告)号：TWI393220B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW098130696

申请日：2009-09-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉炅翰 ,  YEH, CHIUNG HAN ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TWI390708B

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：TW098129005

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 迪雅茲 卡羅斯H ,  DIAZ, CARLOS H. ,  許義明 ,  HSU, YI MING ,  王志慶 ,  WANG, ANSON ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  蔡豪益 ,  TSAI, HAO YI ,  陳憲偉 ,  CHEN, HSIEN WEI ,  鄭心圃 ,  JENG, SHIN PUU

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848