公开(公告)号：TWI584349B

公开(公告)日：2017-05-21

申请号：TW104137126

申请日：2015-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 胡建群 ,  HU, CHIEN CHUN ,  張振涼 ,  CHANG, CHEN LIANG ,  謝忠儒 ,  HSIEH, JU RU ,  陳柏嘉 ,  CHEN, PO CHIA ,  莊舜宇 ,  CHUANG, SHUN YU ,  林威佐 ,  LIN, WEI TUZO

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/04 ,  B08B3/102 ,  B08B3/12 ,  H01L21/67051

公开(公告)号：TW201631623A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104137126

申请日：2015-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 胡建群 ,  HU, CHIEN CHUN ,  張振涼 ,  CHANG, CHEN LIANG ,  謝忠儒 ,  HSIEH, JU RU ,  陳柏嘉 ,  CHEN, PO CHIA ,  莊舜宇 ,  CHUANG, SHUN YU ,  林威佐 ,  LIN, WEI TUZO

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/04 ,  B08B3/102 ,  B08B3/12 ,  H01L21/67051

Abstract: 本揭露提供在半導體製造中清洗晶圓的方法。該方法包括使用晶圓洗滌器清洗晶圓。該方法還包括將晶圓洗滌器移入攪動的清洗液內。該方法也包括在攪動的清洗液中，在晶圓洗滌器和清洗工作臺之間產生接觸。此外，該方法包括在攪動的清洗液清洗晶圓洗滌器之後，藉由晶圓洗滌器清洗晶圓或另一晶圓。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，借由晶圆洗涤器清洗晶圆或另一晶圆。

公开(公告)号：TWI605541B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW106101278

申请日：2017-01-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳正一 ,  WU, CHENG YI ,  朱立軒 ,  CHU, LI HSUAN ,  溫慶文 ,  WEN, CHING WEN ,  洪家駿 ,  HUNG, CHIA CHUN ,  張振涼 ,  CHANG, CHEN LIANG ,  李錦思 ,  LEE, CHIN SZU ,  劉响

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

公开(公告)号：TW201814831A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106101278

申请日：2017-01-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳正一 ,  WU, CHENG YI ,  朱立軒 ,  CHU, LI HSUAN ,  溫慶文 ,  WEN, CHING WEN ,  洪家駿 ,  HUNG, CHIA CHUN ,  張振涼 ,  CHANG, CHEN LIANG ,  李錦思 ,  LEE, CHIN SZU ,  劉响

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687

Abstract: 本揭露是關於半導體的製造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金屬或該第一金屬之氧化物之第一表面的元件。本方法更包含沉積具有矽(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介電層於第一表面之上，使得介電層接近第一表面之第一部分，相較於較第一部分更遠離第一表面之介電層之第二部分，具有較高的氮及碳濃度。本方法更再包含形成導電特徵於介電層之上。此種介電層會使導電特徵及第一金屬或第一金屬之氧化物之間互相電性絕緣。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露是关于半导体的制造方法。本方法包含接收具有暴露出第一金属或该第一金属之氧化物之第一表面的组件。本方法更包含沉积具有硅(Si)、氮(N)、碳(C)及氧(O)之介电层于第一表面之上，使得介电层接近第一表面之第一部分，相较于较第一部分更远离第一表面之介电层之第二部分，具有较高的氮及碳浓度。本方法更再包含形成导电特征于介电层之上。此种介电层会使导电特征及第一金属或第一金属之氧化物之间互相电性绝缘。