公开(公告)号：TW201547022A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104117731

申请日：2015-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI ,  鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/085 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了半導體元件之結構與形成方法。半導體元件包括半導體基底及半導體基底上之鰭結構。半導體元件還包括覆蓋一部分的鰭結構之閘極堆疊及於鰭結構之上且鄰接閘極堆疊之磊晶成長源極/汲極結構。半導體元件更包括於磊晶成長源極/汲極結構上之半導體保護層。半導體保護層之矽原子濃度大於磊晶成長源極/汲極結構之矽原子濃度。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体组件之结构与形成方法。半导体组件包括半导体基底及半导体基底上之鳍结构。半导体组件还包括覆盖一部分的鳍结构之闸极堆栈及于鳍结构之上且邻接闸极堆栈之磊晶成长源极/汲极结构。半导体组件更包括于磊晶成长源极/汲极结构上之半导体保护层。半导体保护层之硅原子浓度大于磊晶成长源极/汲极结构之硅原子浓度。

公开(公告)号：TWI563657B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW104117731

申请日：2015-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI ,  鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L27/085 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201409561A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102128417

申请日：2013-08-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳威成 ,  CHEN, WEI CHENG ,  王琳松 ,  WANG, LING SUNG ,  林志勳 ,  LIN, CHIH HSUN ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/67028

Abstract: 本發明揭露一種清洗及乾燥半導體晶圓的方法，包括將一半導體晶圓置入一清洗設備的一腔室內，以大約為300 RPM至1600 RPM的範圍的轉速旋轉半導體晶圓，且同時以異丙醇及氮氣的一混合物及一去離子水噴灑半導體晶圓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种清洗及干燥半导体晶圆的方法，包括将一半导体晶圆置入一清洗设备的一腔室内，以大约为300 RPM至1600 RPM的范围的转速旋转半导体晶圆，且同时以异丙醇及氮气的一混合物及一去离子水喷洒半导体晶圆。

公开(公告)号：TW201639014A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW104139592

申请日：2015-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周振成 ,  CHOU, CHEN CHENG ,  孫鍾仁 ,  SUN, CHUNG REN ,  吳啓明 ,  WU, CHII MING ,  吳政達 ,  WU, CHENG TA ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

Abstract: 本揭露中製作鰭狀物場效電晶體(FinFET)之技術包含提供基板，其具有鰭狀結構；以及形成隔離區，其上表面具有第一表面形狀。斜向佈植掺質至上表面的邊緣部份。接著以蝕刻製程移除邊緣部份。在此例中，蝕刻製程對上表面之邊緣部份的蝕刻速率，大於對上表面之其他部份的蝕刻速率，並調整隔離區使其具有第二表面形狀。第二表面形狀之階高小於第一表面形狀之階高。上述斜向佈植與蝕刻製程，可在形成閘極結構之前，在形成閘極結構之後但在使鰭狀結構凹陷之前，或在使鰭狀結構凹陷之後。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露中制作鳍状物场效应管(FinFET)之技术包含提供基板，其具有鳍状结构；以及形成隔离区，其上表面具有第一表面形状。斜向布植掺质至上表面的边缘部份。接着以蚀刻制程移除边缘部份。在此例中，蚀刻制程对上表面之边缘部份的蚀刻速率，大于对上表面之其他部份的蚀刻速率，并调整隔离区使其具有第二表面形状。第二表面形状之阶高小于第一表面形状之阶高。上述斜向布植与蚀刻制程，可在形成闸极结构之前，在形成闸极结构之后但在使鳍状结构凹陷之前，或在使鳍状结构凹陷之后。

公开(公告)号：TWI576902B

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW104139592

申请日：2015-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 周振成 ,  CHOU, CHEN CHENG ,  孫鍾仁 ,  SUN, CHUNG REN ,  吳啓明 ,  WU, CHII MING ,  吳政達 ,  WU, CHENG TA ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI544626B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104117732

申请日：2015-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI ,  鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TWI524413B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102128417

申请日：2013-08-08

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳威成 ,  CHEN, WEI CHENG ,  王琳松 ,  WANG, LING SUNG ,  林志勳 ,  LIN, CHIH HSUN ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/67028

公开(公告)号：TW201547019A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW104117732

申请日：2015-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張簡旭珂 ,  JANGJIAN, SHIU KO ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI ,  鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 提供了半導體元件之結構與形成方法。半導體元件包括半導體基底及半導體基底上之鰭結構。半導體元件還包括覆蓋一部分的鰭結構之閘極堆疊及於鰭結構之上且鄰接閘極堆疊之磊晶成長源極/汲極結構。半導體元件更包括於磊晶成長源極/汲極結構上之半導體保護層。半導體保護層之碳原子濃度大於磊晶成長源極/汲極結構之碳原子濃度。

Abstract in simplified Chinese: 提供了半导体组件之结构与形成方法。半导体组件包括半导体基底及半导体基底上之鳍结构。半导体组件还包括覆盖一部分的鳍结构之闸极堆栈及于鳍结构之上且邻接闸极堆栈之磊晶成长源极/汲极结构。半导体组件更包括于磊晶成长源极/汲极结构上之半导体保护层。半导体保护层之碳原子浓度大于磊晶成长源极/汲极结构之碳原子浓度。

公开(公告)号：TW202010600A

公开(公告)日：2020-03-16

申请号：TW108130091

申请日：2019-08-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 崔 驥 ,  CUI, JI JAMES ,  張家熏 ,  CHANG, CHIA-HSUN ,  陳志宏 ,  CHEN, CHIH HUNG ,  陳亮光 ,  CHEN, LIANG-GUANG ,  林子凱 ,  LIN, TZU KAI ,  陳其賢 ,  CHERN, CHYI SHYUAN ,  蒯光國 ,  KOAI, KEITH KUANG-KUO

IPC: B24B37/34

Abstract: 本揭露提供一種化學液體加熱系統，該化學液體加熱系統包含：一第一導管，用於輸送化學液體；一施配頭，其經連接至該第一導管；及一輻射加熱元件，其經組態以加熱該第一導管中之該化學液體且經定位於該施配頭之一上游處。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种化学液体加热系统，该化学液体加热系统包含：一第一导管，用于输送化学液体；一施配头，其经连接至该第一导管；及一辐射加热组件，其经组态以加热该第一导管中之该化学液体且经定位于该施配头之一上游处。