公开(公告)号：TW201919203A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107133037

申请日：2018-09-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪振翔 ,  HUNG, CHEN HSIANG ,  褚立新 ,  CHU, LI HSIN ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING ,  曾仲銓 ,  TSENG, CHUNG CHUAN

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/94

Abstract: 一種半導體裝置包含：一電容器，其包含第一金屬板；設置在第一金屬板上方的電容介電層；以及設置在電容介電層上方的第二金屬板；以及一電阻器，其包含金屬薄膜，其中電阻器的金屬薄膜和電容器的第二金屬板是由一相同金屬材料所形成，且其中金屬薄膜的頂表面與電容器之第二金屬板的頂表面實質上共平面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含：一电容器，其包含第一金属板；设置在第一金属板上方的电容介电层；以及设置在电容介电层上方的第二金属板；以及一电阻器，其包含金属薄膜，其中电阻器的金属薄膜和电容器的第二金属板是由一相同金属材料所形成，且其中金属薄膜的顶表面与电容器之第二金属板的顶表面实质上共平面。

公开(公告)号：TWI672821B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW107119035

申请日：2018-06-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪振翔 ,  HUNG, CHEN HSIANG ,  曾仲銓 ,  TSENG, CHUNG CHUAN ,  褚立新 ,  CHU, LI HSIN ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

IPC: H01L31/111 ,  H01L21/78 ,  H01L29/36

公开(公告)号：TW201911591A

公开(公告)日：2019-03-16

申请号：TW107119035

申请日：2018-06-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪振翔 ,  HUNG, CHEN HSIANG ,  曾仲銓 ,  TSENG, CHUNG CHUAN ,  褚立新 ,  CHU, LI HSIN ,  賴佳平 ,  LAI, CHIA PING

IPC: H01L31/111 ,  H01L21/78 ,  H01L29/36

Abstract: 一種半導體裝置包含：形成在基板中的光二極體；以及至少一電晶體，具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的閘極結構，第一部分設置在基板的主要表面上方並沿著基板的主要表面延伸，且第二部分從基板的主要表面延伸到基板中，其中光二極體以及至少一電晶體至少部分形成畫素。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含：形成在基板中的光二极管；以及至少一晶体管，具有包含第一部分以及耦接到第一部分的末端的第二部分的闸极结构，第一部分设置在基板的主要表面上方并沿着基板的主要表面延伸，且第二部分从基板的主要表面延伸到基板中，其中光二极管以及至少一晶体管至少部分形成像素。